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杨烁陈坤张衡王贵林黄海宾袁吉仁 《南昌大学学报(工科版)》2021,43(3):217
采用热丝CVD法在N型体硅上以全程真空环境镀膜与IN镀膜后破真空再镀IP的不同形式,分别生长IN-IP非晶硅膜层,用WCT-120对薄膜钝化性能进行分析,并用wxAMPS软件模拟样品电池效率。比对结果表明:全程真空环境镀膜样品的反向饱和电流密度(J0)和理论开压(iVOC)分别为5.12×10-15 A·cm-2和0.731 V,模拟效率为23.15%;IN-IP破真空镀膜样品的J0和iVOC分别为9.06×10-14 A·cm-2和0.654 V,模拟效率为20.24%。因此,热丝CVD全程真空环境相对于IN-IP破真空镀膜具有更优的膜层生长方法。 相似文献
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对汽轮机运行过程中真空下降的原因进行分析,并且对其进行技术整改以及调整,这样可以有效地将机组的真空提升上去,不仅可以确保机组迎高峰度夏的安全性以及稳定性,也可以降低能源消耗及生产成本。 相似文献
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以HfN为增强剂、Ni为金属添加剂, 通过真空热压烧结工艺制备了ZrB2-HfN陶瓷材料, 研究了HfN含量(质量分数)对ZrB2基陶瓷材料微观组织和力学性能的影响。结果表明: 随着HfN质量分数从5%增加到15%, ZrB2-HfN陶瓷材料的硬度和抗弯强度先增大后减小, 而断裂韧度逐渐增大; 当HfN质量分数为15%时, ZrB2-HfN陶瓷材料的断裂模式为穿晶断裂与沿晶断裂共存; 当HfN含量为10%时, ZrB2-HfN陶瓷材料具有较好的综合力学性能, 其硬度、抗弯强度和断裂韧度分别为: (16.47±0.24) GPa、(734.48±25) MPa和(5.37±0.20) MPa·m 1/2。 相似文献