轨道交通高频充电机应用研究

设计了一种轨道交通用的高频充电机,该充电机采用基于移相控制的全桥零电压开关（zvS）变换器的拓扑结构。对该充电机主要参数进行计算和系统建模,仿真结果满足系统要求。主控芯片采用TMS320F28335,算法采用带有电流前馈的比例积分（PI）控制方式,并设计了针对蓄电池负载的充电逻辑,样机试验结果满足系统要求。     

干熄焦余热发电对焦化厂电压影响分析及对策

围绕某焦化厂干熄焦余热发电站并网发电后出现的焦化厂电力系统10 kV母线电压偏高问题,分析了电压偏高的原因,并提出了几点切实可行的应对措施,较好地保证了焦化厂电力系统的安全、可靠、稳定运行,充分利用了干熄焦的产能,实现了节能、环保、经济效益最大化。     

平板集热器(倾角)变化工况数值模拟

运用FLUENT数值模拟软件分析了平板集热器(倾角)变化对集热器传热特性的影响,保证其结构参数不变,通过对5组不同倾角(0°、30°、45°、60°、75°)的数值模型进行非稳态模拟,对模拟数据进行分析,得出了平板集热器不同倾角对集热器传热性能变化的影响。     

Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

InGaAs MOSFET的电容电压特性

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低。研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小。     

电压对电刷镀三价铬镀层性能的影响

在45钢表面电刷镀得到三价铬镀层,镀液组成和工艺条件为:Cr2(SO4)36H2O 0.4 mol/L,甲酸铵0.5 mol/L,氨基乙酸0.5 mol/L,H3BO30.6 mol/L,NaH2PO2 H2O 0.3 mol/L,pH=1.5,温度50°C,镀笔移动速率15 cm/s。研究了电压对镀铬层显微结构、表面粗糙度、厚度、显微硬度和耐磨性的影响。随电压增大,镀层厚度增大,显微硬度和耐磨性均先提高后降低。电压为14 V时,镀层的表面平整,粗糙度为2.387μm,显微硬度为602 HV,耐磨性最好。     

巨型水电站孤岛试验期间AVC电压波动的解决

本文首先分析国内典型的AVC的一般配置、控制策略和控制原理,针对巨型水电站孤岛试验期间的AVC控制的复杂工况进行阐述,对出现的AVC电压波动的情况进行分析,并对采用的解决方案进行介绍,为今后类似电站的孤岛运行期间的AVC电压控制提供一些参考建议。     

不同参数选择对场发射扫描电镜图像的影响

场发射扫描电子显微镜(FESEM)是扫描电镜的一种,主要用于对样品显微结构的表征,同时还能定性、定量地获得样品微观区域内的化学成分和结构信息。目前作为一种先进的测试技术手段,FESEM在科学研究、工业生产和刑侦物证等众多领域中得到广泛的应用。本文研究了加速电压、工作距离、探头选择、信号选择等不同参数对FESEM图像的影响,并针对一些材料的形貌表征提出了较佳的参数选择。     

水深环境下湿法焊接声压替代图像信号可行性分析

水深环境下水下湿法药芯焊丝焊接(FCAW)受周围电弧气泡生长的影响，其状态需要通过信号采集. 文中首先搭建水下湿法焊接试验平台，进行湿法药芯焊丝焊接试验，对焊接过程中的气泡声压信号、高速摄像信号、电弧电流电压信号，进行同步采集；然后对比了引弧阶段下浅水和20 m水深的气泡动态演变图像及其声压信号，结合20 m水深稳弧阶段信号，发现气泡脉冲声信号与气泡图像在气泡大小、爆破周期等演变细节上有着很好的对应关系，但随着水深增加，烟尘导致图像信号更加模糊. 最后对水下20，40 m的环境中获取到的电弧从引弧到稳弧阶段的声电信号，进行对照分析. 结果表明，气泡声压信号可以清晰地反映出气泡的变化状态，深水下声压信号替代高速摄像具有可行性.