全文获取类型
收费全文 | 932篇 |
免费 | 79篇 |
国内免费 | 68篇 |
专业分类
电工技术 | 372篇 |
综合类 | 76篇 |
化学工业 | 16篇 |
金属工艺 | 22篇 |
机械仪表 | 48篇 |
建筑科学 | 25篇 |
矿业工程 | 8篇 |
能源动力 | 14篇 |
轻工业 | 5篇 |
水利工程 | 17篇 |
石油天然气 | 1篇 |
武器工业 | 5篇 |
无线电 | 296篇 |
一般工业技术 | 57篇 |
冶金工业 | 15篇 |
原子能技术 | 11篇 |
自动化技术 | 91篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 8篇 |
2022年 | 8篇 |
2021年 | 12篇 |
2020年 | 18篇 |
2019年 | 14篇 |
2018年 | 15篇 |
2017年 | 34篇 |
2016年 | 25篇 |
2015年 | 47篇 |
2014年 | 46篇 |
2013年 | 52篇 |
2012年 | 61篇 |
2011年 | 80篇 |
2010年 | 43篇 |
2009年 | 63篇 |
2008年 | 54篇 |
2007年 | 57篇 |
2006年 | 65篇 |
2005年 | 66篇 |
2004年 | 36篇 |
2003年 | 46篇 |
2002年 | 31篇 |
2001年 | 30篇 |
2000年 | 34篇 |
1999年 | 23篇 |
1998年 | 18篇 |
1997年 | 7篇 |
1996年 | 12篇 |
1995年 | 14篇 |
1994年 | 22篇 |
1993年 | 10篇 |
1992年 | 11篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 2篇 |
1988年 | 3篇 |
1986年 | 3篇 |
1983年 | 1篇 |
排序方式: 共有1079条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
We investigated the resistive switching characteristics of a polystyrene:ZnO–graphene quantum dots system and its potential application in a one diode-one resistor architecture of an organic memory cell. The log–log I–V plot and the temperature-variable I–V measurements revealed that the switching mechanism in a low-current state is closely related to thermally activated transport. The turn-on process was induced by a space-charge-limited current mechanism resulted from the ZnO–graphene quantum dots acting as charge trap sites, and charge transfer through filamentary path. The memory device with a diode presented a ∼103 ION/IOFF ratio, stable endurance cycles (102 cycles) and retention times (104 s), and uniform cell-to-cell switching. The one diode-one resistor architecture can effectively reduce cross-talk issue and realize a cross bar array as large as ∼3 kbit in the readout margin estimation. Furthermore, a specific word was encoded using the standard ASCII character code. 相似文献
2.
Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现500℃以下薄膜电随几乎不变,600-690℃下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而690℃以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致,为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。 相似文献
3.
从应用的角度出发,介绍合理设计应用电路和合理选择数字电位器的种类与型号,来克服数字电位器普遍存在的主要缺点的方法。文章具有较强的针对性和可操作性,对数字电位器的应用实践具有指导作用。 相似文献
4.
5.
片式阻容元件的现状和发展方向 总被引:1,自引:1,他引:0
在国外的片式元器件(SMD)中,片式阻容元件发展最快,主要表现为片式化率迅速上升,尺寸越来越小,性能越来越好,包装形式多样化和生产管理不断改进。本文综述了国外阻容元件在这些方面的进展,指出了我国的差距,提出了我国如何发展的措施。 相似文献
6.
王振宇 《电气电子教学学报》2002,24(6):43-45
多级并接型权电阻解码网络结构简单,分析方便,文章给出了普通的和BCD码多级并接型权电阻解码网络,推导出了各级与运放的连接电阻的通用公式,并用EWB软件进行了电路模拟,这种方法对自行设计权电阻DAC有一定的参考价值。 相似文献
7.
带阻尼绕组的水轮发电机空载灭磁仿真 总被引:7,自引:2,他引:5
对转子带阻尼绕组的空载水轮发电机误强励时的灭磁进行了仿真计算。针对用非线性或线性电阻灭磁,以及用近似的分析表达式来考虑发电机空载特性的饱和,建立了微分方程组的数学模型,并利用差分法的数值计算,对三峡水电厂700 MW水轮发电机灭磁的实例进行仿真,得出了灭磁过程中磁场电流、电压和d轴阻尼绕组电流的变化曲线,以及灭磁时间和灭磁电阻、磁场绕组、d轴阻尼绕组吸收的磁场能量,并且给出了灭磁过程中空载发电机端电压在d,q轴分量的变化曲线。重点评价了水轮发电机转子阻尼绕组在灭磁过程中的作用。 相似文献
8.
席德明 《核电子学与探测技术》1993,(4)
本文提出了一种电荷灵敏放大器不用反馈高值电阻的新方法。对这种方法作了电路分析以及对实际电路的测量结果作了介绍。 相似文献
9.
水轮发电机灭磁电阻的选择 总被引:1,自引:1,他引:0
从灭磁时间和灭磁时反电压出发,讨论了水轮发电机灭磁用非线性电阻ZnO、SiC的选择。介绍了三峡水电厂700 MW VGS发电机带负荷突然三相短路后,用非线性电阻在不同灭磁反压下的灭磁仿真结果,分析了不同灭磁动作瞬刻下各部分的磁能吸收情况,并对灭磁时间的定义提出了建议。 相似文献
10.
英国8·9大停电事故的发生让我们思考高比例分布式发电系统存在一定的技术瓶颈。基于此,本文提出了一种适应于交流微网接地故障的限流控制策略,该方法可以将故障电流限制在两倍额定电流以内,进而使得分布式电源在电网故障情况下不会瞬时脱网运行。同时,该方法不需要在电网正常和故障运行状态时切换参考电流,且在两种状态下可实现较小的电流谐波和较低的电流幅值不对称度。首先,通过含有washout滤波器的改进下垂控制策略获得电压参考值和锁相环,并通过准PR控制器实现对外环参考电压的无静差跟踪;其次,将外环控制器的输出的滤波电感参考电流与实际电感电流的差值通过具有抗参数扰动能力的改进无源控制控制器以实现对参考电流的跟踪;最后,仿真搭建的含有4台分布式电源的交流微网模型验证了本文提出方法的有效性。 相似文献