全文获取类型
收费全文 | 3751篇 |
免费 | 549篇 |
国内免费 | 140篇 |
专业分类
电工技术 | 2438篇 |
综合类 | 290篇 |
化学工业 | 273篇 |
金属工艺 | 83篇 |
机械仪表 | 163篇 |
建筑科学 | 31篇 |
矿业工程 | 108篇 |
能源动力 | 83篇 |
轻工业 | 25篇 |
水利工程 | 32篇 |
石油天然气 | 64篇 |
武器工业 | 11篇 |
无线电 | 435篇 |
一般工业技术 | 57篇 |
冶金工业 | 90篇 |
原子能技术 | 7篇 |
自动化技术 | 250篇 |
出版年
2024年 | 18篇 |
2023年 | 51篇 |
2022年 | 80篇 |
2021年 | 78篇 |
2020年 | 115篇 |
2019年 | 85篇 |
2018年 | 94篇 |
2017年 | 158篇 |
2016年 | 155篇 |
2015年 | 193篇 |
2014年 | 287篇 |
2013年 | 190篇 |
2012年 | 347篇 |
2011年 | 373篇 |
2010年 | 260篇 |
2009年 | 284篇 |
2008年 | 251篇 |
2007年 | 293篇 |
2006年 | 269篇 |
2005年 | 187篇 |
2004年 | 110篇 |
2003年 | 117篇 |
2002年 | 88篇 |
2001年 | 68篇 |
2000年 | 54篇 |
1999年 | 48篇 |
1998年 | 26篇 |
1997年 | 21篇 |
1996年 | 23篇 |
1995年 | 30篇 |
1994年 | 23篇 |
1993年 | 19篇 |
1992年 | 7篇 |
1991年 | 11篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有4440条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 相似文献
2.
3.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
4.
功率因数校正技术越来越成为电源行业研究的热点。文中介绍了适用于雷达等设备的250W带功率因数校正整流电源模块的设计,分析了其中升压电感器设计、主开关管保护、控制电路消振、散热设计和表面贴装等关键技术,完成了实验研究,获得了满意的试验结果。 相似文献
5.
6.
Recently, a demand for small-capacity generators has been increasing as electric sources in small ships and automobiles or as portable electric sources driven by engines. It is desired that the structure of small-capacity generators be simple and robust, and that the generators be highly reliable, easily maintained and controlled. This paper describes an analysis of the original brushless synchronous generator without exciter. The output voltage can be adjusted in the wide range by controlling the stator dc current. To analyze the characteristics of this generator, the finite element method is applied. It is found that the results of theoretical analysis agree well with the experimental results. 相似文献
7.
8.
9.
电子辐照加速器大功率工频高压电源 总被引:1,自引:0,他引:1
文章介绍目前两种用于烟气脱硫加速器的不同形式直流高压电源,分析了它们各自的特点。针对它们存在的不足之处,提出了一种全新的倍压型桥式整流线路,并对此线路进行了理论推导和计算机模拟仿真。 相似文献
10.
介绍了城市轨道交通直流牵引供电系统的构成,详细叙述了直流牵引供电系统的主要电气设备及其连接方法,以及系统的运行方式.另外,还简单介绍了系统配置的直流保护以及保护原理和保护作用. 相似文献