Φ177mm PQF无缝管连轧机前横移系统改进

对鞍钢股份无缝钢管厂连轧机前毛管坯横移装置存在的设计缺陷进行了分析,并提出改进方案,将原横移装置由高架轨道横移机构及上下升降链传动装置,改进为地面轨道横移系统及同步旋转臂实现取管、放管过程。实施后消除了生产故障,缩短了轧制周期,降低生产成本。     

AP1000稳压器波动管竖直管段空气-水CCFL实验研究

使用竖直管代替波动管模型开展稳压器波动管竖直管段内空气-水两相逆流限制（CCFL）特性可视化实验研究。实验现象表明:竖直管与上容器接口处的局部CCFL决定了进入竖直管内的液相流量；竖直管内的局部CCFL决定了从竖直管流出的液相流量；两处局部CCFL均随空气流量的增大而增强。在较低气量情况，进入竖直管内的液相能够完全或大部分流出，竖直管内的局部CCFL较弱，上容器和竖直管接口处的局部CCFL在整体CCFL中占主导地位，整体CCFL程度随着上容器液位升高而略有增强。在高气量情况，从上容器进入竖直管的液相大部分或者完全被限制而不能向下流出，竖直管内的局部CCFL强烈，在整体CCFL中占主导地位，整体CCFL特性不受上容器液位变化的影响。通过实验数据拟合得到了新的稳压器竖直管CCFL模型。稳压器波动管CCFL数据和稳压器竖直管CCFL数据基本重合，表明波动管CCFL主要由CCFL-U决定。      

冷轧平整机机前甩尾轧制工艺的开发与应用

本文介绍了柳钢冷轧板带厂1550 mm单机架平整机机前甩尾轧制的工艺。改进前轧制每卷钢卷生产效率低,钢卷成材率低,改进后生产效率、成材率明显提高,部分规格的钢卷能实现带尾剪切长度为零。     

烧结机卸料装置耐磨性改善

烧结机导料箱、单辊破碎机和卸料漏斗承载着烧结热矿的导料、破碎与输送,是烧结生产的重要组成部分。高温、重载的工况环境决定着机尾卸料装置必须具有抗磨损、耐高温的特性。针对邯钢1^#435m^2烧结机机尾关键部件耐磨工作面寿命短,更换不方便等问题,分析磨损机理与失效原因,提出改进抗磨工作面结构,升级耐磨材料,优化焊接工艺等措施。通过技术方案的实施,使烧结机导料箱、单辊破碎机和卸料漏斗等卸料装置维持了较高的抗磨损性能,达到了预期的改造效果。     

碳酸盐岩岩溶储层多井评价方法及地质应用

多井评价是建立在单井精细解释对比分析基础上的预测储层及含油气性平面分布规律的技术方法,而常规测井资料无法区分碳酸盐岩岩溶储层,因而利用多井评价结果确定岩溶发育程度在平面上的分布规律就显得十分重要。为此,在岩心标定成像测井的基础上,对四川盆地高石梯—磨溪地区15口井的成像测井岩溶发育特征进行分析,建立了中二叠统茅口组岩溶发育各分带的标准成像图版,利用交会图及直方图分析各分带的常规测井响应特征,在此基础上形成了电成像测井刻度常规测井识别岩溶发育带的新方法。研究结果表明:①高石梯—磨溪地区茅口组岩溶带自上而下可划分为风化壳残积带、垂直渗流岩溶带、水平潜流岩溶带以及受岩溶作用较弱的基岩;②风化壳残积带在成像测井图像显示为"暗—亮—暗"条带状模式,垂直渗流岩溶带为垂直线状与暗色斑状组合模式,水平潜流岩溶带为水平线状—层状与斑状组合模式,基岩整体显示为亮色块状模式偶见线状或斑状特征;③有效储层主要发育在垂直渗流带和水平潜流带的顶部;④该区茅口组岩溶发育主要受裂缝发育控制,而裂缝发育又与断层关系密切。结论认为,该新方法对碳酸盐岩岩溶储层的多井评价具有普遍适用性,为四川盆地中二叠统风险探井的部署提供了技术支撑。     

Improving performance of high-power indium gallium nitride/gallium nitride-based vertical light-emitting diodes by employing simple n-type electrode pattern

In this work, simple n-type electrode structures were used to enhance the electrical and optical performances of fully packaged commercially mass-produced vertical-geometry light-emitting diodes (VLEDs). The forward bias voltage of the VLED with a Y-pattern electrode increased less rapidly than that of VLEDs with a reference electrode. The VLEDs with the reference and Y-pattern electrodes exhibited forward voltages of 2.93±0.015 and 2.89±0.015 V at 350 mA and 3.77±0.015 and 3.53±0.015 V at 2000 mA, respectively. The VLEDs with the Y-pattern electrode resulted in a higher light output than the VLEDs with the reference electrode with increase in the drive current to 2000 mA. The emission images showed that the VLEDs with the Y-pattern electrode exhibited better current spreading behavior and lower junction temperatures than the VLEDs with the reference electrode. With increase in the current from 350 to 2000 mA, the VLEDs with the Y-pattern electrode experienced a 39.4% reduction in the wall plug efficiency, whereas the VLEDs with the reference electrode suffered from a 43.3% reduction.     

浅析HPT250轧机中滑移系数对轧制过程的影响

通过HPT250轧机在技术改造中遇到的一个问题，即滑移系数对冷轧元缝钢管在轧制过程中所起的作用。在实际生产中经过不断的技术研究和改进。使闲置多年的HPT250轧机为钢管公司的生产迭拉起到很大的作用。     

Vapor absorption by LiBr aqueous solution in vertical smooth tubes

Heat and mass transfer in a falling film vertical in-tube absorber was studied experimentally with LiBr aqueous solution. The presented results include the effect of solution flow rate, solution subcooling and cooling water temperature on the absorption in a smooth copper tube 16.05 mm I.D. and 400 mm long. The experimental data in the previous report for a 1200-mm-long tube was also re-examined and compared. It was demonstrated by the observation of the flow in the tube that the break down of the liquid film into rivulets leads to deterioration of heat and mass transfer at lower film Reynolds number or in longer tubes. An attempt to evaluate physically acceptable heat and mass transfer coefficients that are defined with estimated temperature and concentration at the vapor–liquid interface was also presented.     

柔性联轴节在减小转子系统扭转冲击运动中的作用

通过对大型振动磨机运动特性的研究分析,把其旋转系统简化为由两个柔性联轴节连接的三转子系统。建立了柔性连接的三转子系统在冲击转矩作用下的运动方程,对方程求解得到了柔性连接转子系统的扭转冲击响应。通过对冲击响应随柔性联轴节扭转刚度和阻尼变化规律的讨论分析,发现减小柔性联轴节的扭转刚度和增大柔性联轴节的阻尼,可以减小转子系统的扭转冲击响应。     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。