3Cr 2W 8V钢热挤压模具的失效形式分析及对策研究

针对3Cr2W8V钢热挤压模具的实际使用寿命较低、极易发生早期失效的问题,对原材料的力学性能进行分析,详细阐述了模具早期失效的主要形式和原因。通过工艺试验发现:除了进行合理的模具设计与加工外,采用预先热处理可以改善碳化物的分布和形态,提高模具的抗断裂韧性;采用强韧化热处理可以提高模具的热强性和热疲劳抗力;采用表面强化处理可以提高模具的抗热磨损和抗咬合性能。实践证明,充分发挥工艺设计的潜力,可以在很大程度上弥补3Cr2W8V钢材料本身的不足,从而有效地防止模具的早期失效。     

对大气压低温等离子体刻蚀聚合物薄膜的工艺研究

研究了使用两种大气压等离子体射流(APPJ)刻蚀Parylene-C薄膜所产生刻蚀区域的形貌和成分之间的差异。两种APPJ分别由单环电极装置和双环电极装置产生。由单环电极APPJ刻蚀的Parylene-C表面是非均匀的,从刻蚀区域的中心到边缘可分为三部分:区域(I)是中心区域,此处Si衬底严重受损;区域(II)是有效的刻蚀区域;区域(III)是刻蚀边界。与单环电极APPJ相比,双环电极APPJ刻蚀的Parylene的形貌要好得多。特别是在区域(I)中,Si片受到轻微损坏。X射线光电子能谱分析(XPS)结果表明:单环电极APPJ刻蚀区域的O元素原子含量多于双环电极。此外,还研究了两种APPJ的刻蚀速率,相比于双环电极APPJ,单环电极APPJ具有较高的刻蚀速率。     

不同制样方法对直流辉光放电质谱法测定氮化硼中27种杂质元素的影响

讨论了3种制样方法对直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)检测氮化硼中的Na、Mg、Al、Si等27种杂质元素的影响。3种制样方法分别如下所示:方法1,直接把氮化硼压在铟薄片上;方法2,把氮化硼压在铟薄片上后,再盖上一层铟罩;方法3,把压碎后的氮化硼放在针状钽勺上。在优化的辉光放电参数下对比了3种不同制样方法对基体信号强度的影响。试验表明:在方法1中,当氮化硼尺寸约为3mm×3mm,厚度小于1mm时,基体¹¹B的信号可达1.8×10⁷ cps;在方法2中,选择铟孔大小合适的铟罩,基体¹¹B的信号可达1.0×10⁷ cps;方法3获得基体信号强度比方法1、方法2高一个数量级。大部分元素在中分辨率下可获得较好的结果,而对于在高分辨率下也较难分离的元素,可选择丰度较低的同位素在中分辨率下进行测定,如Ge选择⁷⁰Ge⁺,Se选择⁸²Se⁺,Cd选择¹¹¹Cd⁺,Sn选择¹¹⁹Sn⁺,Ag选择¹⁰⁹Ag⁺,Pt选择¹⁹⁴Pt⁺。氮化硼中的杂质元素含量可通过样品片中待测元素含量减去来自于铟薄片或钽勺中该元素贡献的含量来计算获得。将样品平行测定5次,相对标准偏差均在20%以内。对于Al、Si、Ti等元素的测定,3种制样方法的测定结果基本一致;方法1、方法2中检测到的In含量较大,使得铟中的Ni、Cu对氮化硼的测定值影响较大;方法3由于钽中Fe、Cu的贡献导致氮化硼中Fe、Cu的检测值较大,但方法3获得的基体信号强度大,可降低部分元素的检出限,如Cr、Mn、Ga、Ge等。综上所述,方法3为优选方法。     

等离子体刻蚀工艺控制模型分析

讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离子体刻蚀工艺中的应用.结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩,而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性.     

X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真

开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性。利用相同的有限元技术，对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真。结果表明，图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处，最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处。此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较，结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关。     

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究刘杰明，李志能，陈秀峰（浙江大学信息与电子工程学系）关键词：真空微电子，反应离子刻蚀一、引言近十年来，随着真空微电子学的崛起，利用微细加工技术，使真空元器件集成化和高性能化已成为可能，一种新型场致发射阵列真空荧光平...     

单片集成电路高台面联线

介绍了ＧａＡｓ ＭＭＩＣ高台面刻蚀制备工艺方法，解决了高低台面联线问题，提高了单片集成电路性能，保证了可靠性。     

高分子纳米LB膜的制备及其光刻性能研究

合成并表征了N-十六烷基丙烯酰胺（HDA）和对叔丁基苯酚甲基丙烯酸酯（BPhMA）的共聚物p（HDA-BPhMA）s。当HDA含量较高时，共聚物可在气，液界面上形成稳定，排列紧密的单分子薄膜，并可以Y型膜的方式沉积在各种固体基片上，形成多层均匀的Langrnuir-Blodgett（LB）膜。这种LB膜被成功地应用于光刻，获得了分辨率为0.5μm的LB膜图形。以该图形为抗蚀层，可将图形进一步转移至金属薄膜上，得到分辨率较高的金属图形，在图形转移的过程中，这种LB膜显示出较高的抗蚀性，有望作为纳米抗蚀薄膜材料在亚微米刻蚀领域得到应用。