Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.     

电转化法转化钝顶螺旋藻转化条件的研究

确定了电转化法转化钝项螺旋藻S6-4的转化条件。无论受体是藻丝还是单细胞／藻丝段，钝项螺旋藻S6-4在对数生长期内，半致死电场强度无显著差别。实验表明以对数中期的螺旋藻用于转化为宜。当脉冲时间是5．0ms时，藻丝受体和单细胞／藻丝段受体的半致死电场强度分别是3．75—5．0kV／cm和3．1—4．4kV／cm，而电击缓冲液分别是1．0mmol／L HEPES(pH7．5)缓冲液和含有0．5mol／L蔗糖的1．0mmol／L HEP—ES(pH7．5)缓冲液。本文的研究结果为螺旋藻转化及外源基因表达提供了实验基础。     

室外电视接收天线高度与收看效果的关系

室外电视接收天线高度与收看效果的关系河南平顶山市教育学院杭增民随着电视节目内容的不断丰富，电视节目频道的不断增加，人们对电视画面质量的要求也不断提高，这样单凭电视机本身的室内天线远远不能满足要求。但室外接收天线可以有效的消除室内天线不能解决的重影、信...     

高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟

建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型，由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响，因而能较为正确地反映开关的电容特性。用数值方法计算了影响开关电容比的因素，并对计算结果进行了分析和讨论。提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜gj的厚度减少到50nm，从而使开关的电容比增加到3800。最后，讨论了实现高电容比MEMS膜开关的可行性。     

电场作用下水的粘性试验分析

电场作用下极性水分子和离子水化物将有序排列,由此导致水的粘度特性显著变化。文中通过室内试验,研究垂直于水流方向施加的电场对水的粘度特性的影响,在数字直流电源产生的强电场中进行常水头渗流试验,获得了水的粘度与电场强度关系的试验曲线,并观察在电场作用下,水的粘度与所含离子浓度、渗流速度等因素的关系,基于试验结果分析了电场改变水的粘度特性的作用机制。试验结果表明,外加电场对水的粘度有明显的影响,随着电场强度增加,水的粘度呈减小的趋势;在相同的电场强度下,水的粘度与离子浓度成正比关系,与渗流速度成反比关系。     

高压输变电工程的电磁辐射及其环境影响评价

介绍高压输变电工程产生的电磁环境与人类健康关系以及国内外的相关标准,通过监测实例说明已运行的500 kV变电站和线路的电磁辐射均符合相关标准的要求,同时提出了环境影响评价工作的问题和建议.     

宽度和长度缩减对体硅和SOI nMOSFETs热载流子效应的影响

针对标准体硅在CMOS和PD SOI CMOS两种工艺下的nMOSFETs,研究了沟道长度和宽度缩减对热载流子效应的影响。实验结果表明,在两种工艺下,热载流子的退化均随着沟道长度的减小而增强;然而,宽度的减小对两种工艺热载流子退化的影响却截然不同：体硅工艺的热载流子退化随宽度的减小而增强,SOI工艺的热载流子退化随宽度的减小而减小。基于界面态对热载流子效应的影响深入分析了长度减小导致两种工艺下热载流子退化均加重的原因;同时基于边缘电场分布对热载流子效应的影响解释了宽度减小导致两种工艺下热载流子退化规律截然相反的现象。研究结果对于实际深亚微米工艺下,集成电路设计中器件工艺尺寸和版图结构的选择具有一定指导意义。     

特高压换流站大尺寸典型电极起晕特性的仿真与试验

为确保特高压换流站均压屏蔽装置设计合理可靠,提出用于一种分析复杂电场环境下大尺寸典型电极起晕特性的三维仿真计算方法,并开展大尺寸球、环电极电晕试验进行试验验证。试验结果表明,所提出的计算方法能够有效计算特高压换流站大尺寸典型电极表面起晕电场强度,预测值与试验值的相对误差范围在-2.6%～3.4%之间。该文分析并验证了均压环等效半径经验公式,获得该公式适用的均压环管径与环径范围。研究成果可为大尺寸电极起晕电场强度预测、换流站均压屏蔽金具设计提供参考和依据。     

超高压输电线地面电场的测量、计算及分析

利用电磁辐射分析仪PMM8053B与工频电磁场探头EHP-50C对某地区500 kV超高压输电线路的电场强度进行了实际测量;应用等效电荷法对该地区空旷地带的电场强度进行了模拟计算。通过Matlab软件对比计算结果与实测结果后得出,采用等效电荷法计算电场强度所得结果与实测数据基本一致;建筑物中以及树林下的电场强度远小于空旷地带。