VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

带热电偶数显温度巡回检测仪校准方法的研究

本文通过对巡检仪进行示值稳定性、重复性的试验,探讨热电偶的选择与巡检仪示值之间的关系,以确定校准方法,指导使其有效溯源.     

异种铁素体耐热钢接头界面组织及其影响

综述了铁素体与铁素体异种金属焊缝（dissimilar metal welds，DMWs）接头界面组织及其影响。结果表明，在焊后热处理或运行温度下的铁素体钢DMWs接头的不均匀界面组织中，通常会形成脱碳层和增碳层。在铁素体钢DMWs焊接接头界面组织影响因素中，焊缝金属的化学成分有重要影响；焊后热处理规范（温度和时间）、工作温度下运行时间的影响较为突出；焊接工艺参数的影响亦不可忽略。异种钢接头界面处近缝区裂纹的产生，以及接头的蠕变强度随Larson Miller 参数增大而下降等不利影响，均为异种钢界面碳迁移行为所导致。焊缝成分控制法是接头界面组织控制或改善的必要条件，而脱碳层部位转移法能有效防止裂纹发生，亦是接头安全运行的重要工艺措施之一。     

好消息

<正>应广大读者及广告客户的强烈要求,《金属热处理》杂志2014年合订本出炉,该合订本除了全年刊登的文章外还有大量行业信息及广告信息,欢迎订购。订购价为260元(含快递费)。另本编辑部还珍藏有1984~1999年(每本120元);2003~2007年每本(150元);2008、2009年(每本200元)合订本,数量有限,需要者请速与本编辑部联系。汇款后,请将邮局或银行汇款底单及联系人姓名、电话和详细通信地址发传真,以便准确投递。     

储能界的一颗新星——M Xene材料

<正>2012年,二维晶体MXenes(过渡金属的碳化物和氮化物)首次引起研究人员的关注。该材料因具有导电性强、扩散系数低,且单层原子薄片结构的稳定性等性能,可满足高性能电池制备材料的要求。现在,MXenes被赋予更高的期望,因为研究人员发现该类材料具有较好的柔韧性、较高的电容,而且可以容易地制备其复合材料和模压材料。新的发现表明MXenes同样可应用于柔性和可穿戴电子设备,这一特性吸引了越来越多的关注。一些研究人员于2014年12月聚集在波士顿举行的美国材料学会年会上,交流     

问答与讨论信箱

214174无锡惠山经济开发区北惠路55号无锡一汽铸造有限公司现代铸铁编辑部王峰(收)寄自:xxxxxx本信箱由北京亿通正龙工贸有限公司独家赞助。借由本刊铸铁生产专家团队,热诚欢迎读者就生产中遇到的技术问题进行提问,并希望提问能尽量全面叙述生产条件、出现情况以及需要解决的问题,以使答复有针对性,并真正对提问者有所助益。另外,除邮     

元素化合物复习技巧

纵览2010至2014年广东高考卷,元素化合物相关知识是广东省高考必考知识点之一,且其涉及内容范围广泛,涉及考点较多。常出现于以实验探究为背景的选择题和简答题。内容繁多琐碎,复习时应化繁为简,用网络图串联,使之结构化,系统化。以下是笔者复习元素化合物相关知识的策略。希望对大家有所启发。