上榆泉煤矿煤泥水多参数在线检测系统应用研究

针对上榆泉煤矿煤泥水性质参数人工检测周期长、误差大、滞后性严重的问题,采用多参数传感器和PLC,开发了煤泥水多参数在线检测系统。经过8 h稳定运行,平均结果显示该厂煤泥水参数为pH值为7.71、浓度9.45%、中值直径(D50)39.56μm、流量2 440 m3/h、水质硬度428.94 mg/L,与人工检测结果相一致。应用结果表明,该检测系统能够实现煤泥水多参数在线监测和数据分析功能,使煤泥水的处理更高效。     

水泥浆失水制约下套管与井眼间隙的研究

通过对水泥浆失水规律的室内试验分析以厦对注水泥顶替过程中水泥浆失水桥堵套管与井眼间隙问题的研究，建立了顶替过程中滤失层不发生水泥浆失水而桥堵环形空间的临界失水量计算模型，提出了调配水泥浆失水性能和确定合理套管井眼间隙的具体方法，对注水泥现场施工和井身结构设计具有一定的指导意义。     

一种可替代漂珠的低密度材料

漂珠低密度水泥浆由于密度低、强度高、体系稳定而在油田低压易漏层及低压油气层长封固段固井作业中获得了广泛的应用。但近年来,由于漂珠的产量越来越少,油田低成本要求急需开发代替漂珠的新型减轻材料,以满足配制低密度水泥浆的需求。开发了BCL-10S低密度混合减轻材料,其物化性能与漂珠相当,用它作减轻剂配制的低密度水泥浆性能与用漂珠作减轻剂配制的低密度水泥浆性能相媲美,并已经在长庆油田获得了应用。     

乐滩灌区输水隧洞穿合山煤矿采空区处理设计

分析了乐滩灌区工程北干渠溯河隧洞段长约1.06 km穿合山煤矿采空区的地质情况.借鉴高速公路煤矿采空区的成功处理经验,通过科学分析,对采空区变形和区域内覆岩的稳定性做了评价,论述了输水线路穿采空区段采取全充填压力注浆法的工程处理方法.     

超临界流体萃取技术生产重交通道路沥青的研究

研究了采用超临界流体萃取技术(SFEF),以减压渣油和催化裂化油浆为原料,制备重交通道路沥青产品的可行性.结果表明:当原料中油浆掺入量为10%～30%时,可以生产出牌号为AH70,AH90,AH110的重交通道路沥青产品.工业试验表明,生产牌号为AH70,AH90的重交通道路沥青,采用此技术方案是可行的.     

输气管线中水合物的形成及预防

天然气管道输送过程中因地貌、气象及各种管道条件而使少量天然气形成水合物，导致堵塞管线，影响管线的安全运行。分析了输气管线中形成水合物的热力学和动力学条件，其中在热力学条件中着重介绍了管道中含水量对形成水合物的影响，结合两方面条件简要介绍了预防水合物的常用措施。     

粉煤灰超细玻珠复配轻集料在固井低密度水泥浆中的作用

阐述了粉煤灰超细玻珠复配轻集料在固井低密度水泥浆中对其流变性能、强度、质量均匀性以及密度的影响和作用机理。表明该复配轻集料可以明显改善水泥浆的流动性、保水性以及水泥与高效外加剂的相容性,水泥石抗压和抗折强度有显著改善,水泥浆具有良好的质量均匀性,用该集料配制的超低密度水泥浆能满足固井要求,并由此提高固井的经济性。     

气田集输工艺的选择

近几年我国加快天然气工业的发展，开发了几个大型气田，在与外国石油公司的合作开发中，引进了一些先进的技术及设计理念，集气管道从传统的气液分输工艺发展到气液混输工艺。介绍了气田集输采用的新工艺，分析、总结了各种集输工艺的适用场所。     

Characterization and optimization of copper chemical mechanical planarization

The feature scale planarization of the copper chemical mechanical planarization (CMP) process has been characterized for two copper processes using Hitachi 430-TU/Hitachi T605 and Cabot 5001/Arch Cu10K consumables. The first process is an example of an abrasive-free polish with a high-selectivity barrier slurry, while the second is an example of a conventional abrasive slurry with a low-selectivity barrier slurry. Copper fill planarization has been characterized for structures with conformal deposition as well as with bumps resulting from bottom-up fill. Dishing and erosion were characterized for several structures after clearing. The abrasive-free polish resulted in low sensitivity to overpolish and low saturation levels for dishing and erosion. Consequently, this demonstrated superior performance when compared to the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2000 roadmap targets for planarization. While the conventional slurry could achieve the 0.13-μm technology node requirements, the abrasive-free polish met the planarization requirements beyond the 0.10-μm technology node.