一种星敏感器安装误差标定模型仿真研究

安装误差对星敏感器姿态确定精度有严重影响,需对其进行有效的标定与补偿。为此提出了一种以星敏感器量测信息为依据的安装误差快速标定模型和方法。该方法通过分析星敏感器输出的姿态信息与安装误差之间耦合关系,建立四位置下星敏感器测量信息及相对位置关系与安装误差的观测模型,在此基础上推导了安装误差标定及补偿算法。仿真表明,该法能够实现对星敏感器安装误差的高精度标定,可有效提高星光天文定姿的精度,对星敏感器的高精度应用具有重要的理论意义和实际参考价值。     

一种柔性双足压力检测装置与步态分析系统设计研究

为了获取人机交互中的人体下肢运动信息,针对目前可穿戴助力机器人中感知系统可靠性差,信息特征模糊等缺点,在分析了机器人控制系统所需的交互信息的基础上,设计了一种适用于助力机器人的柔性双足压力信息采集与处理系统。该系统由前端的信息采集装置与终端的信号处理单元两部分组成,可以实时测量使用者行走过程中足底压力分布信息。相关实验结果表明,所设计的系统性能稳定,响应迅速,测得的数据信息特征明显,重复性好,能够较好的划分人体行走过程中的步态相位,为实现可穿戴助力机器人控制提供了保障。     

航空发动机静电传感器前置放大器设计

分析了静电监测传感器的原理和信号特点,设计了一种适用于发动机气路静电监测的传感器信号前置放大器,此放大器具有高输入阻抗、低输出阻抗、低噪声、高共模抑制比等特点,并给出了该放大器的电路分析与设计要点。发动机气路模拟实验表明：该放大器可以对微弱信号进行无失真放大,有效地实现对气路静电监测信号的调理,为后续的信号采集和处理奠定了基础。     

胎压监测系统研究与应用

介绍了TPMS结构和原理,给出了基于MPXY8020A传感器的胎压监测系统实现的关键技术.该系统可实时监测每个轮胎内部的实际温度、压力和电压,确定故障轮胎并实时报警,有效避免爆胎事故的发生.     

电压相角测量算法研究及其应用

探讨了递归Fourier算法、过零点同步相角测量算法和过零点异步相角测量算法,分析了3种电压相角测量算法的优缺点,并利用过零点异步相角测量算法设计了一种GPS母线电压相角测量装置,介绍了该装置的结构组成及工作原理。该装置实现了对静态电力系统运行的实时监控和调度,具有较高的工程实用价值。     

基于OpenGL的岩石楔形体边坡三维分析系统

随着工程应用的需要和计算机技术的发展,对岩石地质信息三维空间模型的可视化研究逐渐引起了研究人员的关注.用三维可视化技术来表现公路建设中的岩石楔形体边坡的结构和组成,可以更形象直观地研究它的动力稳定性,为公路工程处治提供科学的决策依据.讨论了岩石楔形体边坡三维分析系统的基本功能及系统结构,并分析了该系统的一些关键技术,包括三维模型多视图技术的实现、三维建模、三维交互技术等.最后给出了应用实例,结果表明,该系统具有良好的应用价值.     

独立分量分析在高光谱图像舰船检测中的应用

根据海七舰船目标的特点,提出了一种基于独立分量分析的目标检测算法,应用于高光谱图像海上舰船检测.首先采用基于峰度的快速独立分量分析方法(FastICA)对高光谱图像进行处理,获得统计独立的独立分量影像,然后以偏度为特征度量指标从上述独立分量中选择特征影像,得到舰船目标的检测结果.应用于海上高光谱舰船图像,能够抑制背景中的海浪杂波及舰船尾迹对目标的影响,取得较好的检测效果.实验结果也进一步验证了基于峰度的FastICA算法在高光谱数据分析中的有效性.     

在双端口SRAM中实现同步硬件原语

在多处理器并行环境中,必须通过同步机制保证系统的一致性.硬件实现同步原语能大大减小系统开销,提高同步可靠性.本文介绍了如何在双端口SRAM中实现同步硬件原语,可在处理器不支持同步硬件原语的条件下提供可靠的同步机制.     

基于故障树的电力生产作业全过程风险监测方法∗

常规的电力生产作业风险监测方法多数采用并行挖掘大数据技术原理对电力生产作业进行监测,其监测范 围有限,无法获取生产作业状态与技术状态参数之间的关系,导致监测结果的重叠率与准确率较低.为了改善这一状 况,引入故障树理念,提出了一种全新的电力生产作业全过程风险监测方法.首先,建立对应的风险影响因素体系, 识别风险影响因素,并对其进行剔除与降维处理;在此基础上,利用故障树的逻辑因果关系,建立以电力生产故障模 式为顶事件的故障树,计算各个生产作业环节风险发生的概率,反映生产作业状态与技术状态参数之间的实时关系; 基于风险监测结果,建立电力企业生产作业风险矩阵,设计风险预警等级.由实验分析结果可知,通过提出方法监测 电力生产作业全过程风险,其各个风险监测点监测结果的重合度较低,监测结果中的有效值较多,准确率较高.     

GaAs衬底上β-Ga2O3纳米点阵薄膜的MOCVD制备

将热氧化与MOCVD工艺相结合,总结了一种在本征GaAs衬底上进行β-Ga₂O₃纳米点阵薄膜制备的工艺,该工艺不涉及金属催化剂与复杂刻蚀,工艺更为简单。使用扫描电子显微镜对所制备薄膜的形貌特征进行了表征与分析,发现所制备的纳米点阵薄膜呈现五方的柱状结构。对所制备样品进行了X射线衍射、拉曼振动、光致发光谱的测试,结果表明薄膜的晶体质量随着MOCVD生长温度与Ⅵ/Ⅲ比的提高而得到优化。使用有限元法（FEM）仿真验证了β-Ga₂O₃纳米点阵薄膜制备的高陷光特点。