在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性

在经NH3等离子体氮化的Si(100)衬底上。用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)的方法生长了ZnO缓冲层，经X射线衍射(XRD)测量，得到了单一取向的ZnO(0002)膜。在此ZnO缓冲层上利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法生长了较高质量的ZnCdSe／ZnSe量子阱。通过不同阱宽的ZnCdSe／ZnSe量子阱生长和测量，得到了多级共振拉曼峰。从发光谱中可见，在1520nm附近有很强的发光，而在未覆盖ZnO的Si衬底上直接生长的ZnCdSe／ZnSe量子阱结构，其光致发光(PL)谱未见发光。可见，在氮化的Si衬底上覆盖ZnO膜生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱质量较好。是一种在Si衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料的有效方法。     

GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究

分子束外延生长GaAlAs／GaAs量子阱材料时，适当的衬底温度和Ⅴ／Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化，获得了高质量的量子阱材料，有源层分别为8nm、10nm、12nm时，10K下的PL谱半峰宽（FWHM）分别为6．42meⅤ、6．28meⅤ、6．28meⅤ。     

RHEED振荡精确测量AlGaAs生长速率研究

采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具。通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制,并可以估算衬底温度,更重要的是能计算出材料的生长速率。RHEED强度振荡周期决定生长速率,每一个周期对应一个单层。实验测量GaAs的生长周期为0.82s,每秒沉积1.22单分子层,AlAs的生长周期为2.35s,每秒沉积0.43单分子层。     

硫铝酸盐水泥的性能与应用

１引言硫铝酸盐水泥是一个新的水泥系列，它是以适当成分的石灰石、矾土和石膏为原料，低温（１３００～１３５０℃）煅烧而成的以Ｃ４Ａ３Ｓ和Ｃ２Ｓ为主要矿物组成的熟料，通过掺加适量混合材进行共同粉磨所制成的水硬性胶凝材料。该种水泥以其熟料的矿物组成不同于其他...     

粉末试样的扫描电镜观察方法

阐述了用扫描电镜研究粉末试样的分散技术、固定方法和镀膜技术。对于各种不同粒度的粉末试样，推荐了不同的既简便又可靠的制备方法。研究了用扫描电镜观察粉末试样时加速电压和束流的选择。通过研究和试验获得了实用的试验技术和理想的观察结果。     

介绍几种优质儿童食品

当你漫步市场,打算给宝宝选择理想的辅助食品时,首先要考虑下面几个问题:第一,要看营养成份是否适合婴儿生长发育的需要;第二,应当有利于婴儿消化吸收;第三,应当合乎卫生,吃后不生病也无副作用.下面介绍几种市售的优质、方便食品,供父母们为孩子选择.     

韩国教师为何能富且贵

韩国教师收入高且地位尊贵,可谓富且贵。这与国人熟悉的穷教书匠和叫兽形象正好相反。韩国政府特别立法要求:国家及地方自治团体既要努力造成一种全社会尊敬教师的气氛,又应特别优待教师的报酬     

长庆气田天然气流量量值溯源体系的建立

为了准确地复现天然气流量标准值,科学公正地开展天然气流量量值溯源和仪表计量性能测试及有关的科研工作,长庆气田建成了具有较高准确度水平的移动式实流在线标准装置,并建立了相应的天然气流量量值溯源体系,基本上实现了气田在用孔板流量计、旋进旋涡流量计、涡街流量计等常用天然气仪表的实流检定或校准。本文将量值溯源的方法结合长庆气田的实际,阐述了建立长庆气田的天然气量值动态溯源体系的过程,以供同行参考。     

东京湾海岸开发失利

东京湾海岸开发失利王晓华，王莉编译日本经济萧条和东京办公楼市场不景气直接影响到东京湾海岸的巨大开发。已进驻海岸的企业也准备退出，开发规划难以实现，官方和民间不得不对共同进行的泡沫开发重新认识。重新调整将是东京泡沫经济的最终结局。东京湾海岸泡沫开发受挫...