竖井式隧洞进水口衬砌的应用研究

竖井式进水口的钢筋砼衬砌可以通过打排水孔使外水内排,从而达到设计优化的目的。     

VHDL编码中面积优化探讨

VHDL包含的语句非常丰富，不同的描述可以实现同样功能的电路，但可能在对资源的利用率上存在差异。根据应用MaxplusⅡ软件进行VHDL语言代码编写的经验，结合相应实例，阐述有关VHDL编码方面的面积优化问题。     

边缘检测滤波尺度自适应选择算法

为回避多尺度边缘检测中融合多幅图像涉及的启发性规则, 同时克服 Jeong 算法的局限性, 本文首先基于 Tan 的广义边缘定义设定一个适应度函数, 然后采用自适应遗传算法针对单个像素及其邻域结构的特征搜索最佳滤波尺度得到局部最佳边缘检测尺度, 最后由最佳尺度高斯滤波器得到最终边缘图像. 实验证明能够得到令人满意的结果.     

一种低压CMOS亚阈型PTAT基准源

设计了一款工作在低电源电压且与绝对温度成正比(PTAT)的基准电路;采用衬底偏置技术、电阻分压作为PMOS放大器的输入和用工作在亚阈值区的NMOS管代替衬底PNP管三种方法,使得该电路可以在低电源电压下工作,且工作电流较小。该电路采用CSMC 0.6μm2P2 M工艺,电源电压为1.2 V、温度为0~100℃时,输出电压的温度系数为0.912 mV/K,电源电流为6.8μA;当电源电压在1.1~2.0 V变化时,室温下的输出电压是461.4±0.4 mV。     

脉冲激光和磁控溅射沉积Mo薄膜研究

采用脉冲激光（PLD）和磁控溅射（MS）沉积技术制备了Mo薄膜，用扫描电镜（SEM）、白光干涉仪和X射线衍射仪（XRD）分别表征了薄膜的表面形貌和组织、表面粗糙度和薄膜密度。结果表明，PLD沉积的Mo的表面形貌受脉冲能量和基体温度的影响较大，能量越高、表面缺陷增多。MS沉积的Mo薄膜较致密，呈典型的柱状生长行为。PLD秽MS沉积的Mo薄膜的表面粗糙度均较好，R小于20nm。对实验结果进行了讨论。     

4G关键技术研究

随着用户对移动通信系统的速率要求不断提高,3G系统实际所能提供的最高速率已不能满足未来市场的实际需求,因而在3G系统还没有大规模投入商用的情况下,国内外移动通信领域的专家已经在进行4G系统的研究和开发工作.4G是多功能集成的宽带移动通信系统,具有许多关键优势,因而已成为移动通信领域的研究热点.文章给出了4G的体系结构,并对4G相关技术的原理进行了详细分析.     

TG12864B液晶显示器及其应用

描述了TG12864B的功能特点和MB90F594A的主要性能,详细分析了TG12864B的接口时序,并采用软件模拟方法实现了TG12864B与MB90F594A的接口技术。     

水热法制备Ba0.7Sr0.3TiO3粉体

利用水热法研究了BST前驱物的初始配比、矿化剂NaOH过量浓度、水热时间和温度等条件对合成Ba0.7Sr0.3TiO3粉体的影响.实验结果表明在240℃下反应10h合成的立方相Ba0.7Sr0.3TiO3粉体,平均粒径为100nm左右,粉体粒度均一,团聚少,纯度高,杂质离子少.并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、激光粒度分析仪(LPS)等方法对合成粉体的物相和形貌进行了表征.     

基于CCVS等效空心变压器的戴维南定理分析

结合空心变压器的电气分析在教学中的特点,分析了空心变压器的基本结构和基本特点,运用电流控制电压源CCVS对之进行了等效变换,然后将空心变压器的输入电路和输出电路看成一端口,运用戴维南定理分别对其输入端口和输出端口等效成一个电压源与一个电阻的串联形式,并进行了详细的讨论.     

下一代网络体系结构研究

下一代固定和移动电话网体系结构将建立在全IP的基础上,从某种意义上说,它将是一种可编程的、基于IP的网络,这必然要求下一代网络为应用开发提供强大的、方便的、定义明确的API。文章首先介绍了下一代网络的API体系结构,描述了系统构件智能化程度的演变趋势,最后给出了下一代网络的分层结构与功能结构。