嵌入式实时操作系统μC/OS-Ⅱ在C8051F020上的移植

通过对嵌入式实时操作系统应用背景的分析，论述了在嵌入式控制系统中采用嵌入式实时操作系统的必要性.简略介绍了源代码开放的嵌入式实时操作系统μC/OS-Ⅱ及微控制器C8051F020的特点，重点阐述了μC/OS-Ⅱ在以微控制器C8051F020为运行平台的移植.对μC/OS-Ⅱ的移植条件及各个组成模块进行说明，讨论了移植过程中遇到的问题，并对需要编写的底层硬件的相关函数进行了深入细致的分析，提出了相应的示意性代码.在此基础上，根据实际系统的要求优化改进了原有的任务堆栈结构.     

Experimental Study on Polymer Artificial Bone with HA Coated and Fiber Liners

1Introduction HA(hydroxyapatite)wasakindofbioactiveceram ics,whichhadexcellentbiocompatibilityandtissueaffin ityinthatitscomponentsweresimilartothoseofhuman bone[1].Soitwasthebestknownhumanbonesubstitute,andunprecedentedeffecthadbeenharvestedinrecenttwo d…     

C2 用于声化学研究的大功率超声系统的研制

根据声化学反应的特殊要求，我们研制了上前用于声化学研究的大功率超声系统，由参数可调节的超声发生器配合不同频率的换能器工作，并用它组合成杯式幅杆结构声化学反应器，解决了有关声化学设备的一些技术问题。为声化学技术从实验室规模向工业应用过渡做了必要的准备。     

HL-1M装置的真空运行与质谱诊断

通过对 HL- 1M装置真空运行模式、真空运行参数、氦辉光放电清洗和硅化壁处理手段等的规范化 ,显著地改善了装置的真空壁出气、本底杂质浓度、托卡马克放电杂质出气比和再循环 ,成功地实现了高参数放电、长脉冲放电和装置暴露大气后快速恢复放电 ,并成功地为演证低混杂电流驱动、离子回旋共振加热、电子回旋共振加热、中性束注入、弹丸注入和分子束注入实验和升级等离子体运行等提供了良好的真空壁条件。描述了 HL- 1M装置真空系统、壁出气和再循环控制、质谱诊断和程序脉冲送气等方面的主要实验成果 ,并为 HL- 2 A装置的真空系统研制和运行提供了有益的参考     

多约束的桥梁结构拓扑优化

基于ESO (Evolutionary Structural Optimization)的拓扑优化方法,本文提出了一种适应于桥梁结构的拓扑优化方法。引进了两种性能指标公式来确定最佳拓扑设计。另外,为了更有效地尝试改进最终设计的细节,而又不进行更精细有限元网格的完整分析,这里提出了一种精细网络设计方案。再者,结合细啃技术,完成了考虑应力、位移、频率约束的斜拉桥优化设计。通过几种桥梁的设计优化,表明该方法的可应用性、简洁性和有效性。     

Ion irradiation—induced structure damage to botanic samples using the ion transmission energy spectrum

1 INTRODUCTIONThe new aPplications of low energy heavy ion beam in irradi4ted botanical materialswere studied in recellt yeaxs. The beaminduced mutation effect on crop seeds has causedthe attention of physicist and biologists.[1l:] FOr examPle, 1ow energy ions can induceremarkable mutation to rice seeds.[3] There are many special phenomena when heavyions bombard botanic sW1e due to its special structure. Some studies showed that tllepenetration depths of some ions were far larger than t…     

大面积1.54μm波长测距用InGaAs雪崩光电二极管

设计并研制成功适合人的眼睛安全测距应用的ＩｎＧａＡｓ雪崩光电二极管（ＡＰＤ）。器件直径为２００μｍ，工作在２１℃，１５４０ｎｍ波长时响应为０．６４Ａ／Ｗ，典型暗电流和噪声因子分别为３０ｎＡ和６．５。介绍了该器件的工作原理，设计和制作工艺。     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

搅拌工艺对半固态Y112铝合金组织及性能的影响

采用自行研制的机械搅拌装置,研究了不同工艺参数对半固态Y112铝合金组织及性能的影响.研究表明,搅拌温度越高,搅拌速度越大,固相颗粒越细小、均匀和圆整,其抗拉强度与伸长率越高;但温度太高,固相颗粒会熔化,抗拉强度及伸长率也降低;随搅拌时间的延长,固相颗粒先变得细小、均匀和圆整,然后长大,抗拉强度、伸长率先升高后降低.