Au-GaAs(īīī)界面特性的研究

我们对Au—GaAs(īīī)界面进行了角分辨AES和UPS研究。分析了Au、Ga和As原子在热退火前后的界面行为,同时由功函数变化定性地讨论了界面势垒的形成。     

Ag/Si(001)界面的LEED,AES和UPS研究(英文)

Si(001) surface is a more important surface for pratical application, but the study of metal-semiconductor interfaces on this surface is much less than on Si (111) surface. In this paper, the initial formation of the Ag/Si (001) interface is investigated by LEED, AES and UPS using He lamp. Results on room temperature adsorption of Ag on Si(001)(2×1) surface show a LEED pattern unchanged from the clean surface until gradual blurring. Being relative to the pure metal Ag, a shift and the shape of the 4d peak of Ag apprpted on Si (001) indicate that Ag/Si(001) is consistent with 2D island formation. With iacreasing coverage, the 4d peak shifts toward E while the second peak develops and thus intermixing Ag and Si atoms are formed.     

Ag/Si(100)的结构以及银与硅衬底的相互作用

在Si(100)2×1再构面上蒸发银,除了得到Ag(111)1×1结构外,还发现了Ag(111)3×1再构,LEED和UPS分析表明界面上可能存在银原子与硅衬底的相互作用。     

表面势垒对俄歇电子极角分布的影响

本文根据电子在固体与真空界面的折射反射效应及立体角元的变化,讨论了表面势垒对俄歇电子极角分布的影响,修正了俄歇电子的极角分布公式,首次从理论上证明了均匀体样品俄歇电子的极角分布基本符合cosθ规律而和样品是单晶或多晶及和俄歇电子的能量大小无很大关系这一实验现象。     

Si(111)、Si(100)表面初期氧化的电子能谱研究

一、引言随着硅平面工艺的发展,硅表面氧化工艺、Si-SiO_2介面及硅初期氧化膜的结构和特性,由于在器件制造中的地位和作用,几十年来人们作了大量的研究。B-Lang等人利用离子刻蚀深度剖析研究了热氧化生长的厚SiO-2和真空室制备的SiO_2膜,结果发现,     

集成晶体管的基区宽变效应和交流小信号等效电路

在分析集成晶体管基区宽变效应的基础上,对比了T型和混合π型这两类晶体管交流小信号等效电路。指出,在应用到像第二代集成运放这类采用有源负载的晶体管电路中时,T型等效电路由于对基区宽变效应作了过份的省略而给出不正确的结果。反之,混合π型等效电路由于保留了这一效应的主要部分而能给出基本正确的结果。混合π型等效电路确实也忽略了基区宽变效应的某些次要部分。但是,在实际有用的情况中这样做引起的误差是微不足道的。     

碱法α-FeOOH生成机理的研究

本文运用 TEM、HREM 技术,对碱法α-FeOOH 制备过程进行研究。结果表明,α-FeOOH 在绿锈表面成核,通过绿锈溶解产生的 Fe(OH)~+经氧化后,并入铁黄晶格。短轴方向的生长以沿(120)晶面的凝并为主,碱法工艺所得α-FeOOH 存在120°左右的枝杈     

半导体中非平衡载流子的输运过程(Ⅱ)

本文讨论了包括载流子产生-复合过程的Boltzm(?)nn方程的若干应用,提出了少数载流子Hall效应的概念,并导出了有关公式。     

用染料脉冲激光研究一些固体的光声效应

本文介绍了以Chromatix CMX-4染料脉冲激光器为光源,自制的PZT换能器为探测元件,利用BOXCAR平均器的时间选通特性,从比光声讯号本身大十多倍的噪声讯号中检测出光声讯号。我们测得光波波长在5774～6095之间碳黑光声归一化曲线和理论分析符合;测得Nd_2O_3粉末在5890～6135之间光声归一化曲线和国内外文献报道符合;对光声讯号延迟时间进行了分析研究。并对石英簿板和铜簿板的光声讯号速度进行了比较。