C0-Ti替代钡铁氧体的高频磁性研究

用化学共沉淀工艺制备了Co—Ti替代系列钡铁氧体磁粉及烧结磁体，结合相结构、显微形貌分析和对材料磁化机理的讨论，该文主要研究了替代量和烧结温度对钡铁氧体高频磁性的影响。实验表明，初始磁导率和共振频率随替代量的变化存在极值，当Co—Ti替代量为1．0时钡铁氧体具有较高的磁导率和较低的磁共振频率，偏离1．0均导致磁导率的降低和磁共振频率的升高；高烧结温度导致晶粒尺寸的长大和品格结构的完善，有利于提高材料的磁导率，同时降低了磁共振频率。     

片式化高压电容器的内电极结构及优化

耐高压片式化多层陶瓷电容器(MLCC)要求其内电极具有特殊的结构以保证产品的可靠性。本文对比了普通MLCC和高压MLCC的内电极结构，用有限元方法对两种ML—CC中若干典型位置的电场分布进行了分析，从电学角度对高压MLCC中内电极结构尺寸进行了优化，建立了高压MLCC内电极结构尺寸和所选用陶瓷介质材料的电学性能、MLCC的额定工作电压等参数之间的关系，这对中、高压MLCC的设计和制造具有指导意义。     

衬底对PZT铁电薄膜显微结构的影响

利用ＸＲＤ和ＳＥＭ观察了在不同衬底材料上用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备的ＰＺＴ铁电陶瓷薄膜的显微结构，发ＰＺＴ薄膜的结晶性能受衬底材料的影响极大。ＰＺＴ薄膜在金属铂片上能够很结晶。而在单晶硅片上则很难结晶，其在镀铂硅片上的结晶难易程度介于金属铂片与单晶硅片之间，在衬底上制备ＰＴ过渡层可以促进ＰＺＴ薄膜的结晶。     

CaF2掺杂对ZnNb2O6陶瓷烧结行为及介电性能的影响

用传统固相法合成了CaF2掺杂ZnNb2O6微波介质陶瓷,通过XRD、SEM以及HP4291阻抗分析仪等测试手段对其烧结行为、晶体结构及微波介电性能进行了系统研究。结果表明,CaF2掺杂能有效地降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,但品质因数Q值有所下降。1100°C烧结w(CaF2)=0.5%(质量比)掺杂的ZnNb2O6陶瓷具有较好的介电性能:εr=31.6,Q×f=68THz,τf=-47×10-6°C-1。     

低温烧结Mn掺杂Mg-Cu-Zn铁氧体研究

利用溶胶-凝胶自燃烧法合成了-系列低温烧结Mn掺杂Mg—Cu—Zn铁氧体(Mg0.2Cu0.2Zn0.6O)(Fe2-x，MnxO3)0.97(x=0,0．01，0．03，0．05，0．07)。该文对低温烧结Mn掺杂Mg—Cu—Zn铁氧体的成相，致密化过程及锰含量对其磁性能和显微结构的影响进行了研究。研究发现，具有较低磁致伸缩系数的Mg—Cu—Zn铁氧体呈现出比Ni—Cu—Zn铁氧体更好的磁性能。因此，低温烧结的Mg—Cu—Zn铁氧体有望替代Ni—Cu—Zn铁氧体而用作多层片式电感材料。在一定Mn掺杂范围内,Mn掺杂对Mg—Cu—Zn铁氧体磁性能的改进，主要是通过其对材料内部磁致伸缩系数和内应力的调控来实现的,而不是通过对微观结构的影响而获得的。     

烧成温度对Pb（Mg_（1／3）Nb_（2／3））O_3－pb（Zn_（1／3

研究了一种满足Ｙ５Ｕ指标要求的ＰＭ计ＰＺＮ－ＰＴ介电陶瓷的恒温老化行为与烧成温度的关系，发现在低温烧结要求的温度范围内（９００∽９５０℃），该材料的老化性能满足有关标准，而过高或过低的烧结温度均导致１０倍时间老化率的增大；利用显微结构结构观察分析了上述结果。     

甚高频片式电感用材料的研究进展

为适应表面安装技术的发展,片式电感器不断向微型化、复合化、多功能化方向发展。介绍了甚高频片式电感器件及其所用材料的研究现状和发展前景。用氧化物固相反应法及软化学方法(柠檬酸络合法)制备的Co2Z型平面六角晶系铁氧体,在实现低烧后,具备优异的电磁性能,满足高性能的甚高频片式电感材料的要求,填补了甚高频段片式电感材料的空白。     

绿色/红色长余辉材料γ-Zn3（PO4）2:Mn2+,Ga3+,Ho3+的合成及光谱性质

采用高温固相法合成了Mn2+单掺杂、Mn2+,Ga3+(Ho3+)共掺杂以及Mn2+,Ga3+,Ho3+三掺杂的γ-Zn3(PO4)2。在Mn2+单掺杂的样品中,发射峰位于620nm,该样品在紫外光照射样品后,发现存在红色余辉,余辉中心与荧光中心相同。当Mn2+,Ga3+(Ho3+)共掺杂时,样品同时存在峰值位于620nm的红光发射和峰值位于507nm的绿光发射,紫外光照射样品后,样品存在红色余辉及绿色余辉。Ga3+和Ho3+在基质中自身是不发光,作为共掺杂离子,不仅可以起到调节发光中心的作用,还形成了新的深度适合的陷阱,使得绿色余辉及红色余辉性能有了很大的提高。掺杂双陷阱离子Ga3+和Ho3+,样品余辉性能最佳。     

Li、Sb、Ta共掺杂对铌酸钾钠基无铅压电陶瓷相结构和压电性能的影响

采用固相法及常压普通烧结方法,制备了Li、Sb、Ta共掺杂的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷(Na0.52K0.44Li0.04)(Nb1-x-ySbxTay)O3,通过调节x、y在0至0.10之间的取值,研究Sb、Ta两种元素共掺杂对铌酸钾钠基陶瓷相结构、压电和介电性能的影响,获得优化的掺杂比例。在研究的组成范围内,随着Sb含量的增加,所得样品均存在一个由正交相向四方相的O-T相变,而随Ta含量的增加,相组成没有变化,且存在一个成分窗口,对应一系列具有较优压电性能的组分。在x=0.05,y=0.06的组分附近时,性能达到最优,d33～334pC/N,Kp～0.35,介电常数约为1900,介电损耗约为2.7%,Pr～16.4μC/cm2,Ec～8.4kV/cm。     

压电陶瓷直线驱动器的设计与实验研究

提出一种新型的可直线运动的压电陶瓷驱动器.驱动器选用圆环形的压电陶瓷(PZT4),其外径10 mm,内径4.5 mm,厚0.8 mm,陶瓷表面均匀分成4个扇形电极区,以"正、正、负、负"沿厚度方向极化.该驱动器定子采用棒板结合式结构,一个中轴的两端分别连接了两个对称的圆形平板,圆板与中轴相互垂直.两片陶瓷分别粘接在定子的两圆形平板外侧,对定子激振形成两圆平板的交替式跨步直线运动.驱动器整体外径12 mm,长度10.6 mm.采用有限元方法对驱动器的运动模态进行了仿真,通过谐响应分析计算了驱动器在X向和Y向的振幅,分析了驱动器的运行原理.实验结果表明:驱动器最佳工作频率在13.15 kHz左右,驱动电压100 Vo-p时驱动器的最高运行速度为34 mm/s.该驱动器在小载荷、高精度精密定位等场合具有很好的实用化前景.