一种用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀速率模型

本文提出了一种适用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀(RIE)速率模型。模型的建立采用统计数学方法,结合较少次数的实验。该模型精度高,实用性强。对CF_4/O_2刻蚀二氧化硅和SF_6/O_2刻蚀掺磷多晶硅的实验表明,模型精度达到5％。该模型植入刻蚀模拟器后能使亚微米刻蚀模拟的精度,提高到一个新的水平。     

适用于大电流的SiGe基区HBT的电流和频率特性的解析模型

本文提出了一个适用于大电流的ＳｉＧｅ基区双极型晶体管（ＳｉＧｅ－ＨＢＴ）的电流和频率特性的解析模型．本模型考虑了速度饱和效应，对ｎ＋ｐｎｎ＋双极型晶体管，当电流超过发生Ｋｉｒｋ效应的临界电流时，本模型考虑了集电结附近由窄到宽的禁带变化对集电极电流和特征频率ｆＴ的影响．解析模型的计算结果同数值模拟结果一致，证明了解析模型是可信和精确的．本模型可用于器件设计和电路模拟．     

电子群控技术综述

我们最近通过下厂调查及参阅有关资料,对电乎群控技术发展的现状作了一些了解,现介绍于后,供同志们参考。概况电子群控技术是指用一套电子控制装置对一群(多台)机器进行自动控制的技术。它是自动控制技术中的一门新技术。国外,美、日于1968年研制成功电子群控系统,并投入实际应用。国内,在批林批孔运动推动下,1974年第一季度上海羊毛衫八厂在二十多个单位协助下初步建成了我国第一个电子群     

几种适用于VLSI离子注入新工艺的模型研究,

本文采用能较精确模拟沟道效应的两个Pearson-IV 分布的线性组合来模拟硅中B注入分布,提出了一个基于剂量匹配求解等效厚度的两层结构注入分布修正射程表达式,用该式对B注入 MoSi_2/Si、CoSi_2/Si,P注入CoSi_2/Si 进行了模拟和验证,本文还给出了利用等效厚度概念导出的多层结构注入修正射程递推表达式,并以 Pol_7-Si/SiO_2/Si三层结构为例进行了验证。     

为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型

本文提出了一个为ＳＩＭＯＸＳＯＩ结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型，适用于０．７—２．０×１０１８ｃｍ－２剂量范围和５０—３００ｋｅＶ能量范围．模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好．本模型对ＳＩＭＯＸ工艺优化设计和发展ＶＬＳＩＴＣＡＤ具有参考价值，同时给出了在常规氧注入能量（如１５０ｋｅＶ）下用增大剂量方法制备ＴＦＳＯＩ结构的理论依据．     

AlGaAs／InGaAs／GaAs异质结构中扩散噪声和扩散系数的蒙特卡罗研究

本文用蒙特卡罗法研究了ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构中二维电子气的扩散噪声和扩散系数．同ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构的情况一样，平行速度相关函数呈现振荡，但不同的是振幅随电子密度变化很小．另外，振幅在ＩｎＧａＡｓ层厚度增加时下降．用单个电子的相关函数和一组电子的位移方差两种不同方法计算了扩散系数．     

适用于VLSI CAD的非均匀掺杂小尺寸MOSFET阈值电压模型

本文讨论了目前使用的MOSFET阈值电压模型的局限性,尝试了用分段近似法求解非均匀掺杂MOSFET的阈值电压,在此基础上提出了一个新的模型公式.它能反映非均匀掺杂MOSFET 阈值电压衬偏特性;不仅适用于浅注入,而且适用于深注入情况;不仅适用于长沟道,而且适用于小尺寸器件.此模型的计算结果同数值分析器MINIMOS的有关计算值相比,符合得很好.该模型公式特别适用于 VLSI CAD.     

电缆卡子打捞器的研制与现场试验

针对电潜泵在起、下泵作业过程中电缆卡子落井的问题,研制了电缆卡子打捞器。该打捞器由上接头、中心杆、顶丝、打捞篮和下接头组成。现场试验结果表明,打捞器整体结构简单紧凑,它连接在电动机下部,随同电潜泵完井管柱一起下井,无论是下泵还是起泵,只要有卡子脱落,就能捞获落物;作业时安装、拆卸及更换方便,适应性强,具有良好的推广应用前景。     

等离子显示终端电磁兼容性技术指标的实现

本文阐述了等离子显示终端机的特点,分析了影响等离子显示终端电磁兼容性技术指标实现的因素、给出了实现等离子显示终端机电磁兼容性的技术指标的方法。     

硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展

本文综述了SiGe-HBT工艺及性能研究的最新进展,提出了若干重要的研究课题.