基于虚拟样机技术的机械液控式软启动系统设计与仿真

为了减轻重载输送设备骤然启动时对设备的损害和对电网的冲击,创造性地设计了行星轮系配合液压湿式离合器的结构,通过控制离合片间液体粘滞力的逐渐增大来使周转轮系的自由度由2逐渐变为1,从而使输出轴柔性加载。借助三维平台UG建立了软启动系统的数字样机,并通过运动分析模块和结构分析模块实现对该系统的动态仿真和有限元分析,为物理样机的精确运行提供保证。     

0.1μｍ槽栅CMOS器件及相关特性

通过实验成功得到了0.1μｍ槽栅结构CMOS器件，验证了理论结果的正确性，表明这是一种优良的小尺寸器件结构．该槽栅器件具有阈值电压漂移较小及较好抑制短沟道效应的特点，并分析了目前器件驱动电流较小的原因及解决办法．     

0.1μm槽栅CMOS器件及相关特性

通过实验成功得到了0.1μm槽栅结构CMOS器件,验证了理论结果的正确性,表明这是一种优良的小尺寸器件结构.该槽栅器件具有阈值电压漂移较小及较好抑制短沟道效应的特点,并分析了目前器件驱动电流较小的原因及解决办法.     

用AUTO CAD绘制工程形体轴测图的方法初探

以水工建筑物中的涵洞为例，从工程形体分析入手，介绍了绘制工程形体轴测图的基本思路和从简单体底面特征图形绘制到复杂工程形体轴测图组合的方法、步骤。     

改进制图课教学的几点看法

制图课是工科教育中一门历史较为悠久的课程,自从工科教育诞生的那一天起就有这一门课,若干年来,形成了较为定型的教法,也有比较成熟的教材.然而从当前教学改革的要求来衡量,传统的教材和教法还有若干不足之处,课程体系、讲授方法、教辅措施、习题类型诸方面还应进一步探讨.下面根据笔者自己教学实践的体会,谈谈关于制图课教学改革的看法.1 注意教学目的教育,充分调动学生的学习积极性在课程教学中,如果学生对学习目的及重要性缺乏明确的认识,则易形成消极被动的学习态度,造成教学的低效率.在授课中,从应用的目的出发引出教学内容,是防止出现这     

浅谈建筑工程制图教学中对学生综合能力的培养

建筑工程制图课程对培养学生的综合能力十分重要,文章总结了教学中的一些实践经验,对在建筑工程制图课程中培养学生的综合能力进行了实践探索。     

深亚微米槽栅PMOSFET短沟道效应的模拟研究

基于流体动力学能量输运模型，首先研究了槽栅器件对短沟道效应的抑制作用，接着研究了不同衬底和沟道杂质浓度的深亚微米槽栅PMOSFET对短沟道效应抑制的影响，同时与相应平面器件的特性进行了对比。研究结果表明，槽栅器件在深亚微米和超深亚微米区域能够很好地抑制短沟道效应，且随着衬底和沟道掺杂浓度的升高，阈值电压升高，对短沟道效应的抑制作用增强，但槽栅器件阈值电压变化较平面器件小。最后从内部物理机制上对研究结果进行了分析和解释。     

凹槽深度与槽栅PMOSFET特性

基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅 PMOSFET性能的影响进行了分析 ,对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论 ,最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性的影响进行了对比 .研究结果表明随着负结深 (凹槽深度 )的增大 ,槽栅器件的阈值电压升高 ,亚阈斜率退化 ,漏极驱动能力减弱 ,器件短沟道效应的抑制更为有效 ,抗热载流子性能的提高较大 ,且器件的漏极驱动能力的退化要比改变结深小 .因此 ,改变槽深加大负结深更有利于器件性能的提高 .     

施主型界面态引起槽栅PMOSFET性能退化的特征

基于流体动力学能量输运模型,对沟道杂质浓度不同的深亚微米槽栅和平面PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究.研究结果表明同样浓度的界面态密度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件,且电子施主界面态密度对器件特性的影响远大于空穴界面态.特别是沟道杂质浓度不同,界面态引起的器件特性的退化不同.沟道掺杂浓度提高,同样的界面态密度造成的漏极特性漂移增大.     

深亚微米槽栅PMOSFET结构参数对其抗热载流子效应和短沟道抑制作用的影舷

基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici对深亚微米槽栅PMOS器件的结构参数,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性和短沟道效应抑制作用的影响进行了研究.并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释.研究发现,随着凹槽拐角、负结深的增大和沟道杂质浓度的提高,器件的抗热载流子能力增强,阈值电压升高,对短沟道效应的抑制作用增强.而随着衬底掺杂浓度的提高,虽然器件的短沟道抑制能力增强,但抗热载流子性能降低.