施主型界面态引起深亚微米槽栅PMOS特性的退化

基于流体动力学能量输运模型 ,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面 PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究 ,并与受主型界面态的影响进行了对比 .研究结果表明同样浓度的界面态在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件 ,且 N型施主界面态密度对器件特性的影响远大于 P型界面态 ,N型施主界面态引起器件特性的退化趋势与 P型受主界面态相似 ,而 P型施主界面态则与 N型受主界面态相似 .沟道杂质浓度不同 ,界面态引起的器件特性的退化则不同     

受主型界面态在深亚微米槽栅PMOSFET中引起退化的研究

界面态引起的器件特性的退化是深亚微米微米器件失效的一个重要因素，本文基于流体动力学能量输运模型，对沟道杂质浓度不同的槽机和平面PMOSFET中受主型界面态引起的器件特性的退化进行了分析，研究结果表明同样浓度的界面态浓度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件，且P型受主型界面态度对器件特性的影响也远大于N型界面态，沟道杂质浓度不同，界面态引起的器件特性的退化不同。     

大悬挑结构抗风拉索弹簧-阻尼减振支座性能试验与风振控制研究EI北大核心CSCD

为提高大悬挑结构的抗风性能,提出将圆柱螺旋弹簧与筒式黏滞阻尼器相结合设计形成弹簧-阻尼减振支座,并将其布置在柱顶与拉索配合起到竖向减振的作用。对该弹簧-阻尼减振支座的力学性能进行试验研究,依次开展了轴向刚度与低周往复加载试验共计61种工况,探究了静位移、位移幅值与加载频率对支座力学性能的影响,并基于有限元软件对安装弹簧-阻尼减振支座前后的体育场结构进行风振动力响应分析。结果表明:支座的轴向刚度随加载等级的增加而增大;支座的滞回耗能性能随位移幅值的增加而增大,等效阻尼比和等效刚度则随位移幅值的增大而减小;与支座性能随位移幅值的变化情况相比,其力学性能随加载频率的变化幅度更小,各个区段变化范围均小于±10%;静位移对支座的滞回耗能性能、等效刚度和等效阻尼比影响较小。弹簧-阻尼减振支座对大悬挑结构的风振响应具有显著的控制效果,最大达92.16%,平均38.79%。     

电视节目主持人服饰色彩的研究

服装色彩,常被人们视作服装美的灵魂,色彩也是服装美的重要表现手段,它表现的得体、恰当与否,是衡量服装设计的重要因素之一。本文通过对电视艺术色彩以及与节目主持人服饰色彩的影响等方面的分析与研究,结合大量实践案例,根据不同的节目定位、场景需求来分析电视节目主持人服饰色彩。主持人作为一个节目的灵魂,要根据电视节目的类别、节目定位、色彩情感倾向以及场景需要等各方面来选择服饰色彩。     

构建应用型本科院校创新创业教育体系探析

近年来,很多应用型本科院校开始高度关注创新创业教育体系的构建,取得了一定的成绩,但由于起步较晚等诸多原因,就目前来看,创新创业教育体系尚未完全形成,在发展道路上仍然遇到诸多困难。文中从应用型本科院校教育本质和大学生创新创业教育基本内涵出发,对当前构建应用型本科院校创新创业教育体系的现状和存在的问题进行了分析,提出了应用型本科院校创新创业教育体系构建的措施。     

凹槽深度与槽栅PMOSFET特性

基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅PMOSFET性能的影响进行了分析,对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论,最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性的影响进行了对比.研究结果表明随着负结深(凹槽深度)的增大,槽栅器件的阈值电压升高,亚阈斜率退化,漏极驱动能力减弱,器件短沟道效应的抑制更为有效,抗热载流子性能的提高较大,且器件的漏极驱动能力的退化要比改变结深小.因此,改变槽深加大负结深更有利于器件性能的提高.     

连续变断面循环挤压AZ31镁合金的微观组织与力学性能

采用连续变断面循环挤压技术(CVCE)对AZ31镁合金进行循环挤压。采用光学显微镜、电子拉伸机等设备,分析变形前及不同循环道次后AZ31镁合金的微观组织和力学性能。结果表明:AZ31镁合金经10循环CVCE后,平均晶粒尺寸由变形前25.3μm有效细化到5.5μm;伸长率提高到34.3%,抗拉强度下降到200MPa。由于晶粒细化效应,导致α相主要变形机制由1循环的孪生变为随后道次的位错滑移。抗拉强度的降低与挤压后(0001)晶面取向分布的分散性有关;伸长率的增大与晶粒细化和滑移面的激活有关。     

连续变断面循环挤压AZ31镁合金的组织与性能

采用连续变断面循环挤压法分别对变形镁合金AZ31铸锭和商业AZ31进行不同循环道次的变形,考察其组织、性能变化.结果表明:AZ31镁合金铸锭经过一个循环的挤压,晶粒明显细化.商业AZ31铝合金材料分别进行2、4、6、8次循环变形,随着变形量增大,平均晶粒尺寸不断减小,组织趋于均匀;真应变为16时,平均晶粒尺寸为5.5 μm;随着循环次数增加,伸长率不断增加,与原始态的相比可提高2倍左右,但强度没有明显变化.     

潘宁气体组成对交流等离子体显示器放电特性影响的数值分析

为优化彩色ＡＣ ＰＤＰ中的气体组成以提高其性能,建立了ＡＣ ＰＤＰ单元气体放电的一维模型,模型是基于对电子和离子输运的二元流体描述,并耦合了泊松方程及一系列动力学方程。利用此模型对潘宁气体Ｎｅ＋Ｘｅ中Ｘｅ的百分含量对ＡＣＰＤＰ单元放电特性的影响进行了数值分析,给出了气体组成比例对ＡＣ ＰＤＰ工作电压及放电过程中产生ＵＶ射线效率的影响特性。计算过程中,假定放电气体处于局域平衡状态,各种粒子的反应概率     

深亚微米槽栅NMOSFET结构参数对其抗热载流子特性的影响

基于流体动力学能量输运模型和幸运热载流子模型,用二维器件仿真软件Medici对深亚微米槽栅NMOSFET的结构参数,如沟道长度、槽栅凹槽拐角角度、漏源结深等,对器件抗热载流子特性的影响进行了模拟分析,并与常规平面器件的相应特性进行了比较.结果表明即使在深亚微米范围,槽栅器件也能很好地抑制热载流子效应,且其抗热载流子特性受凹槽拐角和沟道长度的影响较显著,同时对所得结果从内部物理机制上进行了分析解释.