TiO2掺杂对ZnO压敏电阻低压化过程的影响

近年来，加入晶粒助长剂TiO2以实现低压化的低压ZnO压敏电阻发展迅速。实验所用配方为掺杂TiO2的98.3％ZnO-0.7％Bi2O3-1.0％TiO2(摩尔分数)和相应无TiO2掺杂的配方，在900～1200℃下烧结制备样品。给出了相分析、半定量分析及电性能测试结果。发现TiO2可以有效促进ZnO晶粒长大，降低压敏电压梯度。1100℃下，TiO2掺杂试样的平均晶粒尺寸为56.4μm，远大于无TiO2掺杂的31.8μm。大部分TiO2首先与Bi2O3反应生成Bi4(TiO4)3液相，这大大促进了ZnO晶粒生长。高于1000℃时Bi4(TiO4)3分解，分解出的TiO2与ZnO发生反应，生成Zn2TiO4尖晶石相，晶粒生长受阻，直至停止。     

Co2O3和MnCO3掺杂对低压ZnO压敏电阻电性能的影响

概述了低压ZnO压敏电阻的重要添加剂的作用,阐述了其电性能"三参数"(压敏电压梯度、非线性系数和漏电流)的影响因素.用低压ZnO压敏电阻的基本配方,以及在此基础上分别添加Co2O3、MnCO3、Co2O3 MnCO3四种配方制备样品作对比实验.发现Co2O3、MnCO3掺杂后都能引起压敏电压梯度升高,非线性系数显著提高,漏电流明显降低,且效果Co2O3 MnCO3大于MnCO3大于Co2O3.对造成上述差别的原因进行了深入分析.     

氧化锌压敏陶瓷中氧化锌晶粒极性生长现象的研究

发现了ZnO压敏陶瓷中的锥状或柱状“突起物”现象.通过能谱发现“突起物”的物质构成是ZnO,而且是ZnO晶粒生长形成的实体,并非气体在ZnO中形成的气泡.进一步论证了这种现象是ZnO极性生长造成的,并从内因和外因两个方面进行了分析.内因是ZnO的极性晶格结构和结晶形态,外因是ZnO压敏陶瓷中Bi₂O₃液相提供了极性生长得以显现的物化环境,并且通过单独添加Bi₂O₃的97mol%ZnO+3mol%Bi₂O₃配方和100mol%纯ZnO配方制备样品进行对比实验,验证了Bi₂O₃的作用.     

夏玉米冠气温差及其影响因素关系探析

测定了夏玉米主要生育期四个不同水分处理的冠层温度、气温、土壤含水率、叶面积指数和株高,分析了冠气温差与土壤含水率、叶面积指数及株高间的关系。结果表明:不同的灌溉水质和灌溉量措施对夏玉米冠气温差有显著的影响;中午12~14时左右H1高度(2/3株高)处的冠气温差较H2高度(H1 50 cm)更能反映作物和土壤的水分特征,可以用此时刻的卫星遥感冠层温度结合地面气象站数据监测作物和土壤的旱情;80~100 cm土层的土壤体积含水率与节水灌溉处理的冠气温差之间存在良好关系(α=0.05),0~80 cm四个土层中以中午20 cm和40 cm处的土壤体积含水率与冠气温差相关关系最好且稳定,可以利用此关系评价作物的缺水状况;充足灌溉下的夏玉米主要生育期的叶面积指数与冠气温差也有显著的相关关系,节水灌溉下二者关系不显著,说明水分充足条件下叶面积指数对冠气温差的影响更大;株高与不同水分处理的冠气温差也有一定的相关关系,冠层2/3高度处二者的相关系数分别为:0.7027(淡水节水处理)、0.4150(淡水充足处理)、0.3683(咸水节水处理)、0.3062(咸水充足处理)。这为区域上遥感反演夏玉米冠气温差进而监测农田蒸散和土壤含水率提供了试验依据。     

低压高能压敏电阻在汽车电气回路中的应用

本文综合介绍了在汽车电气回路中可能发生的过电压,以及对低压高能压敏电阻浪涌吸收器的技术要求,并给出了应用实例。     

掺杂TiO2的ZnO压敏电阻正电子寿命谱研究

利用正电子湮灭技术(PAS)和扫描电子显微镜(SEM),分析了掺杂TiO2的ZnO压敏电阻的晶界缺陷,以及不同降温速率对晶界特性的影响.实验结果表明,向样品中掺杂TiO2或者快速冷却样品,都能使得样品晶界处Zn空位团尺寸变大,浓度减小.