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HfOxNy 填充多孔Si空穴结构在室温下得到了改善的光致发光。观测到425nm处强的蓝光和690nm红的发光峰。量子限制效应和极化效应应该是产生发光峰的原因。N/O的化学配比同样影响蓝光发射。最后观测到样品具有极弱的温度淬灭效应。 相似文献
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研究了未掺杂和Co掺杂HfO2薄膜内部的铁磁性质。对于理想配比的HfO2薄膜,没有发现铁磁行为, 但在高缺氧状态下的HfO2则观测到了弱的铁磁性。Co掺杂增强了这种铁磁性。使用真空和氧气交替退火的方法未掺杂和Co掺杂薄膜进行铁磁性测试,结果显示,氧空位的存在可以增强铁磁性,减少氧空位,或者增加薄膜内部的间隙氧会导致铁磁性降低。Co掺杂引起的磁性和观测到的d0 磁性被认为是两种性质的磁性。 相似文献
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用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究. 实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能. 研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论. 相似文献
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