论传统文化在现代设计中的应用

通过对安徽建筑工业学院新校区大门设计的剖析,阐述了笔者对"传统"与"现代"有机结合的设计方法进行的尝试.     

基于V/F的智能多路数据采集系统及串口通信

智能多路数据采集系统实现了多路温度采集与检测，利用仪用放大器AD620进行信号放大，采用LM331型电压-频率转换器进行电量转换，采用89S52单片机进行数据采集及存储并用Visual Basic 6.0实现单片机与PC机的通信；最后给出了智能多路数据采集系统在梅江小区综合办公楼生态能源示范系统的应用数据。     

钽、铌电解电容器工艺研究进展(续)

结合对钽、铌电解电容器性能特点的介绍，综述了近年来国内外钽、铌电解电容器研究、生产方面的进展以及市场动态。     

不同抗、感枯萎病黄瓜品种不同生育时期根际微生物数量消长动态分析

通过对不同抗、感枯萎病黄瓜品种不同生育时期的根际微生物数量消长动态研究发现，黄瓜抗、感枯萎病品种的根际真菌、放线菌数量存在明显差异，且这些根际微生物数量与黄瓜的生育期有一定关系。在结瓜期抗病品种的真菌、放线菌数量明显多于感病品种，黄瓜的根际细菌数量与黄瓜抗性无相关性。根际真菌、放线菌数量在黄瓜初花期、结瓜期呈明显上升趋势，而细菌数量则呈波动变化，在初花期出现下降趋势。     

合宁高速公路部分路段改建优化方案

合宁高速公路是安徽省交通史上第一条高速公路,由于投入时间长,车流量逐年增大、加上养护不到位,高速路面部分路段现已出现纵横向裂缝、拥包、坑槽、泛油、车辙等不同程度病害,严重影响了道路通行能力,为了满足经济快速发展相适应的高速度、高效率、高安全的交通需求,本文提出合宁高速改建优化方案,对高速车道的数量、出入口的设置等进行改造设计,以提高路面通行能力及安全性能,使其对合肥与周边地区的经济拉动发挥更重要的作用。     

境外农药产品中禁限用的助剂及相关杂质名单(二)——西班牙和德国禁限用物质

介绍了西班牙和德国农药产品中禁限用助剂及相关杂质名单。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定土壤中8种组分

为满足土地质量调查的需求,实现土壤中多组分的同时消解及准确测定,提高大批量样品的分析效率,建立了土壤样品经高压密闭消解后,采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定K₂O、Na₂O、CaO、MgO、Ba、Mn、Cu、Zn的方法。通过对消解体系、酸用量、消解温度等方面的考察,确定最佳实验条件;并对待测液中共存元素Al、Fe的干扰进行探讨,两者均不干扰测定。各组分校准曲线线性相关系数均大于0.999;检出限为0.01~10μg/g。实验方法用于测定土壤标准样品GBW07385、GBW07386、GBW07388中K₂O、Na₂O、CaO、MgO、Ba、Mn、Cu、Zn,测定结果的相对标准偏差(RSD,n=12)为1.1%~4.3%,相对误差RE为-4.0%~4.6%。采用实验方法对土壤实际样品中K₂O、Na₂O、CaO、MgO、Ba、Mn、Cu、Zn进行测定,结果的RSD(n=6)为1.2%~4.6%;并与地矿行业标准方法DZ/T 0279.2—2016测定结果进行比对,测得结果基本一致。     

密闭消解-电感耦合等离子体质谱法测定小麦样品中的Cr、Ni、Cd、As

选用5 mL HNO_3在140℃时对小麦样品进行密闭消解,幵置于电热板上将NO_2气体赶尽,定容至25mL后,以In、Ge、Rh、Re为内标溶液,建立了电感耦合等离子体质谱仪测定小麦样品中Cr、Ni、Cd、As四种重金属污染元素的方法。通过对质谱干扰、试剂空白、消解温度及消解时间等方面进行深入探讨,确定了最佳试验方案。本方法具有空白值低、消解完全、污染小、效率高、可操作性强等优势,方法检出限为0.001～0.085μg/g,Cr、Ni、Cd、As的线性相关系数均大于等于0.9999,采用实验方法对小麦粉成分分析标准物质NCS101017、NCS101018进行分析,相对标准偏差(RSD, n=12)为5.59%～14.44%,相对误差(RE, n=12)为-6.60%～9.96%。     

氚靶片核素组成对氘氚中子源强的影响

氘氚中子源通过氘离子束轰击氚靶片引发氘氚聚变反应,产生14.1 MeV高能中子。高能中子调控后亦可产生宽能谱中子场,是先进核能及核技术交叉应用研究的重要实验平台。作为中子源的核心部件,氚靶片由靶片基底和储氚薄膜组成,其中储氚薄膜的核素组成会影响氚原子密度与入射氘离子射程,最终直接关系到中子源强的高低。本文基于MATLAB和SRIM软件建立氘氚中子源强计算模型,对比计算了不同新型储氢金属材料组成的储氚薄膜(TiT_2、MgT_2、Mg_2NiT_4、VT_2、LiBT_4和LaNi_5T_6)和不同氘离子能量对中子源强的影响。计算结果表明,在同等束流条件下,MgT_2的中子源强相比TiT_2可提高30%以上,且制备工艺较为成熟,是氘氚中子源的优秀储氚薄膜材料。