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氘氚中子源通过氘离子束轰击氚靶片引发氘氚聚变反应,产生14.1 MeV高能中子。高能中子调控后亦可产生宽能谱中子场,是先进核能及核技术交叉应用研究的重要实验平台。作为中子源的核心部件,氚靶片由靶片基底和储氚薄膜组成,其中储氚薄膜的核素组成会影响氚原子密度与入射氘离子射程,最终直接关系到中子源强的高低。本文基于MATLAB和SRIM软件建立氘氚中子源强计算模型,对比计算了不同新型储氢金属材料组成的储氚薄膜(TiT_2、MgT_2、Mg_2NiT_4、VT_2、LiBT_4和LaNi_5T_6)和不同氘离子能量对中子源强的影响。计算结果表明,在同等束流条件下,MgT_2的中子源强相比TiT_2可提高30%以上,且制备工艺较为成熟,是氘氚中子源的优秀储氚薄膜材料。 相似文献
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综述用吸附法处理和处置放射性核素的研究现状.吸附机制研究方面包括化学吸附、物理吸附(有的是化学吸附十物理吸附)和生物吸附,一般可以用Langmuir吸附模型或者Freundlich吸附模型对吸附机制进行描述.根据吸附机制,归纳影响对放射性核素吸附的各种因素,并提出对放射性核素吸附行为的研究方向. 相似文献
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