GaN and AlGaN high-voltage rectifiers grown by metal-organic chemical-vapor deposition

In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm² are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm², and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm². It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.     

A2弯曲振动变幅杆的设计

按照一般的变幅杆设计理论，超声弯曲振动变幅杆的设计将会非常复杂，为满足工程上的需要，我们在本文中给出一种简单的近似有效的弯曲振动变幅杆的设计方法，并以纯弯曲理论来分析其放大倍数，在考虑了转动惯性及剪切形变的影响后，还阐述了更精确的设计理论，通过实验发现实测的变幅杆谐振频率很接近于理论设计值     

三峡水库减淤增容调度方式研究——多汛限水位调度方案

本文建议在汛期中小流量时（Q<35000m3/s），将坝前水位维持在148～151m；出现汛情且流量更较大后，将坝前水位降低到143m；入库流量大于35000m3/s且短期预报将出现大于十年一遇洪水时，预泄洪水到135m.按这一调度，汛期约80％时间可以维持在较高水位，一般洪水期。汛限水位143m不影响坝区通航，135m水位迎洪可大量增加防洪库客。到100年后可减淤30亿m3，增加防洪库容约40亿m3.变动回水区减淤40%，优化了坝区水沙搭配，可改善通航条件。降低库区洪水位，缓解防洪与移民的矛盾。可对发电带来较大好处：提高发电效益，减少粗沙过机。初期水库排沙比大于原方案，可减轻下游冲刷。同时，可减小三峡汛初泄水与鄱阳湖防洪的矛盾。     

a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的空间电荷效应和稳定性分析

基于pin结构的a-Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应,讨论了a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的稳定性.结果表明,在光照射下,光生空穴俘获造成了a-Si∶H中正空间电荷密度的增加,从而改变了电池内部的电场分布,提高了a-Si∶H薄膜中的电场强度.空间电荷效应不会给a-Si/poly-Si叠层结构中的a-Si∶H薄膜带来准中性区(低场"死层"),也没有发生a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退,因而a-Si/poly-Si叠层结构太阳能电池具有较高的稳定性.     

银行代理财政统发工资系统的分析与设计

财政统发工资系统是银行根据财政部门传送的代发工资信息，实现工资的实时代发。该系统基于UNIX操作系统，使用C语言和Oracle数据库进行开发。     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

大功率UPS的并联控制技术

提出了一种新的N 1三相大功率UPS的并联控制方案，并且在4台40KVA三相在线式UPS上进行了实验研究，实际运行结果证明采用此方法可以获得良好的静态与动态特性。     

具有除草活性的双膦酸衍生物的研究动态

许多含双膦酸结构单元的化合物都显示了良好的除草活性,本文对这类化合物的结构特点、生物活性以及相关的研究动态进行了归纳和概述。     

电子衡器特殊故障的分析及处理

因为电子衡器在安装与调试过程中出现的较为特殊的故障，难以找出正确的起因与处理方法，所以介绍了如何保证电子衡器的正常使用和计量准确性的工作体会。     

Pruning Redundant Alarm Correlation Patterns

1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅｓｔｉｃｋｉｎｇｐｏｉｎｔｏｆａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎｒｕｌｅａｌｇｏｒｉｔｈｍｓｄｅｐｅｎｄｓｏｎｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙｆｉｎｄｉｎｇａｌｌｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎｐａｔｔｅｒｎｓｔｈａｔｓａｔｉｓｆｙｖａｌｕｅｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｉｎｔｈｅｍａｇｎａｎｉｍｉｔｙｏｆｄａｔａ.Ｂｕｔｔｈｅａｌｇｏｒｉｔｈｍｓａｌｓｏｂｒｉｎｇａｎｅｇａｔｉｖｅｅｆ ｆｅｃｔ:ｔｈｅｎｕｍｂｅｒｏｆａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎｒｕｌｅｓｉｓｖｅｒｙｌａｒｇｅ.Ａｌｓｏｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ…