综合管廊通风系统流场数值模拟分析

综合管廊属于密闭型地下构筑物,需要设置合理的通风系统.本文以汉中市兴元新区陈仓路综合管廊为研究对象,建立综合舱及电力舱的数值模拟模型,利用ANSYS FLUENT软件研究自然进风、机械排风通风方式下,不同进风温度及换气次数对舱室速度场、温度场的影响.结果表明:各舱室流场形态为入口旋转流和后续活塞流,建议在通风设计时在活...     

Ag-H柱去除氯离子提高包装水中溴酸盐的检测精度

采用Ag-H柱去除饮用水中高浓度的氯离子,离子色谱抑制型电导检测器检测包装饮用水中微量澳酸盐.Ag-H柱除氯效果可达99%,当澳酸盐的浓度在2.0～50.Oμg/ L范围内具有良好的线性关系,相关系数0.9999,定量检出限为2.Oμg/L,样品加标回收率大于94%,该方法适用于含氯离子浓度较高的包装饮用水中微量澳酸盐含量的测定.     

镁离子掺杂对Li_4Ti_5O_(12)/C结构和电化学性能的影响

以乳酸镁为Mg2+的掺杂源和部分碳源,以乙醇为溶剂,在惰性气氛下采用高温固相合成法合成掺Mg2+的Li4Ti5O12/C复合材料。采用X-射线衍射、扫描电子显微镜、激光粒度分析和电性能测试等对复合材料进行表征,考察了Mg2+对于目标化合物结构和电化学性能的影响。结果表明,在C/3倍率下材料掺杂前后第二个循环的放电容量分别为145、162 mAh/g,循环30次后容量为138、150 mAh/g。电化学交流阻抗表明,掺杂后的材料阻抗Rct从180Ω减小到45Ω。掺杂后振实密度比掺杂前提高了0.27 g/cm3。     

碳热还原法制备LiFePO_4/C及其电化学性能的研究

采用半固相高温碳热还原方法,以C2H4OOLi.2 H2O、NH4H2PO4、便宜的Fe2O3作为初始原料,以β-环糊精做为碳源和还原剂合成了LiFePO4/C材料。碳含量能够影响颗粒的大小和材料的电化学性能,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等对产物的结构和形貌进行了表征,同时通过充放电实验测试电化学性能和交流阻抗等手段研究了LiFe-PO4/C脱嵌机理。结果显示:在合适的碳量下用碳热还原反应制备的样品颗粒均匀细小并且电化学性能优越。在0.3 C倍率首次充放电比容量可达到162.4 mAg/h,循环35次后容量保持率达到99%,振实密度高达1.6 g/cm3左右。     

基于连续多帧加权平均法的炮弹铆点定位研究

在炮弹引信破铆旋卸隔离操作过程中,如何消除干扰,提高定位精度是关键。通过分析铆点定位的特点和比较现有主要定位方法,采用新提出的连续多帧加权平均确定铆点位置参数的方法。测试结果表明,采用的方法能达到提高铆点定位可靠性与精度的要求。     

钛合金复杂件等温锻造研究

针对TC4钛合金非对称变截面复杂件在加工过程中锻造温度范围窄、充型能力差、容易产生皱褶等问题,研究了TC4钛合金等温锻造的工艺过程,并采用DEFORM 3D有限元软件进行了数值模拟。结果表明:采用等温锻造工艺,成功的锻造出了某钛合金复杂件,且该锻件轮廓清晰,表面光洁,尺寸精度高;该锻件金属流线分布合理,组织性能超过了常规锻件;该锻件材料用量相对普通锻件材料用量可减少60%。通过软件模拟,了解锻件成形的应力应变及行程载荷等情况。     

高压井控楔形节流阀三维流场模拟及阀芯失效分析

井控节流阀是钻井井控管汇中的关键设备,直接关系到压井的成败。根据节流阀实际流场情况,建立了楔形节流阀三维有限元模型,并基于流体动力学理论,运用流体分析软件对高压井控节流阀内的三维流场进行了模拟,得出节流阀内部流场分布规律及特点。结果表明,由于内部流体的高速流动,阀芯在楔形面沿轴向处以及前端处会首先发生冲蚀失效。将该分析结果与现场阀芯失效的实际情况进行了比较,结果非常吻合。     

激光和热风重熔方法制得微小无铅钎焊接头中金锡化合物的形貌和分布

随着电子器件及产品向小型化、微型化方向发展,微小接头中的金含量会大比例提高。焊盘表面的金在重熔过程中会与钎料合金中的锡发生反应生成金属间化合物（IMCs）,而IMCs的形貌和分布受控于重熔工艺,并会对接头可靠性产生重大影响。本研究中采用激光、热风重熔方法和直径为120微米的锡球制得了焊盘表面镀有不同厚度金层的直角结构接头,用来研究重熔工艺对金锡Iits形貌和分布的影响。研究发现：激光重熔微小接头中,大部分的金锡IMCs都呈针状或树枝状,并分布于钎料于焊盘的界面处。对于焊盘表面镀有厚度为0.1微米金的焊盘界面处并未发现大块装的金锡IMCs。而对于采用热风重熔方法得到的接头,大块状和短棒状的金锡IMCs会遍布整个接头。本文分析了造成金锡IMCs形貌和分布在两种接头中出现巨大差异的原因。     

含有限晶粒的微小接头的拉伸变形行为研究

采用了电子背散射衍射技术和在扫描电镜下原位拉神实验手段相结合的方法对Sn3．0Ag0．5Cu／Cu接头在拉力作用下的变形行为进行了研究。首先,利用电子背散射衍射技术分析了接头钎料表面的晶粒分布。其次,在原位拉伸实验中注意观察分析不同晶粒在拉伸过程中的变化。结果表明：试样接头钎料上晶粒个数有限。在拉力作用下,不同的晶粒中激活的滑移系不同,因而其塑性变形行为也不一样,这种不协调的塑性变形导致晶界处易产生裂纹。在变形过程中,钎料会出现动态回复,使晶粒碎化。某些碎化后的晶粒通过扭转使其晶体取向改变,新的取向使其变形变得更容易。这些晶粒会产生很大的塑性变形。     

3D封装与硅通孔(TSV)工艺技术

在IC制造技术受到物理极限挑战的今天,3D封装技术越来越成为了微电子行业关注的热点。对3D封装技术结构特点、主流多层基板技术分类及其常见键合技术的发展作了论述,对过去几年国际上硅通孔（TSV）技术发展动态给与了重点的关注。尤其就硅通孔关键工艺技术如硅片减薄技术、通孔制造技术和键合技术等做了较详细介绍。同时展望了在强大需求牵引下2015年前后国际硅通孔技术进步的蓝图。