氟钛酸钾添加对铝镁复合板微弧氧化涂层结构及耐蚀性的影响

为研究氟钛酸钾(K₂TiF₆)添加对Al-Mg复合板微弧氧化涂层结构和耐腐蚀性能的影响,在硅酸盐-氢氧化钠电解液体系中加入不同浓度的氟钛酸钾(0、1、2和3 g·L^-1),利用微弧氧化技术(MAO)在Al-Mg复合板表面制备陶瓷氧化物涂层。通过SEM、XRD、EDS和电化学工作站等对制备陶瓷氧化物涂层显微组织、相组成、形貌及耐蚀性能进行表征。添加K₂TiF₆后,Al-Mg复合板Al侧的涂层厚度、表面孔隙率和表面粗糙度随K₂TiF₆浓度的增加呈下降的趋势(24.2～18.4μm、6.8%～5.3%、3.55～2.23),Mg侧涂层呈上升趋势(21.0～26.6μm、3.6%～5.3%,3.35～4.33),此外涂层中的Ti和F元素含量增加,各样品的耐蚀性均有所提高。添加K₂TiF₆为2 g·L^-1时,两侧涂层的耐蚀性最好,其中R_t均比未添加的样品增加...     

SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响

对SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响,与温度、掺杂浓度和杂质能级深度的关系进行了系统研究.发现只有在高温且掺杂浓度低的情况下,能级分裂的影响很小可忽略不计,其他条件下均需考虑能级分裂因素.随掺杂浓度的增加,能级分裂的影响增强;随温度的升高,能级分裂影响的整体趋势下降,但存在峰值.当杂质能级深度发生变化时,能级分裂的影响显得比较复杂;曲线上的峰值随着能级深度的增加而向高温方向移动,能级越浅峰就越小;并且在高于某一温度时,随能级的加深能级分裂的影响逐渐增强.     

压力传感器芯片的低温玻璃封接技术

在硅杯背面制备过渡层,然后用低温玻璃焊料将压力传感器芯片与玻璃基座封接在一起,有效地降低了热应力。采用这种新工艺制造出的压力传感器,性能良好,封接强度达７ＭＰａ,提高了可靠性与稳定性。     

利用自平衡电桥消除压力传感器的大热零点漂移

论述了利用并联自平衡电桥的方法补偿大热零点漂移的问题,主要分析了自平衡电桥的性质、补偿原理、补偿线路的原理及补偿效果。通过实验,得出了自平衡电桥可充分补偿热零点漂移的结论。     

GaAs中碳的补偿率对红外吸收方法测定其浓度的影响

通过直接测量GaAs中碳(C)的局域振动模(LVM)红外吸收带随其荷电态的变化,研究了GaAs中碳的LVM红外吸收与其荷电态的关系。结果表明,该吸收带对C的荷电态是不敏感的,红外吸收测定GaAs中碳浓度的方法对不同C补偿率的样品都是适用的。     

基于USB KEY的CSP实现

CSP是目前应用最广泛的PKI密码接口。CSP终端用户通过Windows提供的CryptoAPI公共接口访问密码函数,而不需要去关心密码运算的具体实现。USB KEY具有使用方便、安全性高、运算能力强等特点,是实现PKI密码运算的理想设备。用户可以通过调用动态库来使用USBKEY的加密运算功能,从而实现CSP所需要的PKI密码函数。本文从CSP的技术原理出发,结合USB KEY的功能特点,深入讨论了如何使用USB KEY实现CSP的功能。     

基于ARM9的公交车多功能终端的研制

文章全面分析了公交车多功能车载终端的功能要求,详细讨论了多功能终端的设计方案及实现.该方案使用Samsung公司的ARM920T芯片S3C2440作为主控MCU,软件使用嵌入式Linux,实现了公交车电子收费、智能报站、实时调度、车载多媒体播放等功能,能够很好的满足公交智能化的要求,适合在大中城市公交车安装应用.     

VHF-PECVD法制备微晶SiGe薄膜及太阳电池

以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在不同衬底温度和功率条件下制备了SiGe薄膜材料.用喇曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)对材料的结构进行了研究.结果表明:薄膜结构随温度的升高、功率的增大逐渐由非晶SiGe(a-SiGe)转变为微晶SiGe(μc-SiGe)材料.将这种材料应用于μc-SiGe薄膜太阳能电池中,电池结构为玻璃/SnO2/p-μc-Si/i-μc-SiGe/n-μc-Si/Al,首次获得效率η＝4.2%的μc-SiGe薄膜太阳能电池,开路电压Voc＝0.335 V,短路电流密度Jsc＝20.16 mA/cm2,填充因子FF＝41.938%.     

基于μClinux的嵌入式应用程序的开发

为了提高复杂嵌入式系统开发的效率,开发人员在嵌入式系统中使用μClinux操作系统.对于许多开发人员,如何在嵌入式系统中使用μClinux,并开发自己的应用程序,是一道难题.通过实验,总结了移植μClinux以及开发μClinux应用程序的方法和步骤.     

LEC GaAs中碳的分布及其对材料特性影响

用碳的局域振动模(LVM)红外吸收的方法测量了未掺杂半绝缘(SI)LECGaAs中碳的纵向和横向分布,对碳的掺入机理、影响碳分布的因素进行了讨论,并对碳含量与材料热稳定性的关系进行了分析研究。