SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响

对SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响,与温度、掺杂浓度和杂质能级深度的关系进行了系统研究.发现只有在高温且掺杂浓度低的情况下,能级分裂的影响很小可忽略不计,其他条件下均需考虑能级分裂因素.随掺杂浓度的增加,能级分裂的影响增强;随温度的升高,能级分裂影响的整体趋势下降,但存在峰值.当杂质能级深度发生变化时,能级分裂的影响显得比较复杂;曲线上的峰值随着能级深度的增加而向高温方向移动,能级越浅峰就越小;并且在高于某一温度时,随能级的加深能级分裂的影响逐渐增强.     

非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究

测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。     

304不锈钢板材冲压成形中应变诱发马氏体及其影响

X射线衍射分析、磁针分析和力学性能及硬度测试等的结果表明,冷轧(固溶处理)状态的304奥氏体不锈钢板材在冷成(变)形过程中产生了应变诱发马氏体(Martensite,M),扩孔、杯突成形时可达35％M,单向拉伸变形不足10％M.另一方面,发现须在一定程度的应变量驱动下冷轧304钢的亚稳态奥氏体(Austenite,A)才能较明显地转变为马氏体,拉伸试验时此门槛值约为20％;对304钢板料扩孔成形的有限元分析表明,在应变约为10％时即可生成22％的马氏体;那些较高硬度地点,即应变诱发马氏体量较多的部位,也正是扩孔应变量最大的区域.分析认为,二向拉应力状态的扩孔、杯突成形更有利于具有体积膨胀效应的A→M转变,能在主要变形区域(凸台、杯突处)诱发多量的马氏体,产生的综合硬化效应可达A35 HRB.304钢薄板成形中所诱发的马氏体是甚低碳(wc＜0.05％)的体心立方强韧结构(α'-马氏体),具有增加n值、促进变形传播和应变均匀化等作用,有利于不锈钢板料伸长类成形性能的提升以及获得高的扩孔值λ、杯突值IE,也有利于提高304不锈钢冲压制件的结构强度.     

Al2O3掺杂ZnO纳米粉体的制备及气敏特性研究

采用sol-gel法制备了w(Al2O3)为2%～4%的Al2O3-ZnO纳米粉体,利用XRD和SEM等测试手段分析了粉体的微观结构.研究了Zn2+浓度、pH值和清洗对粉体制备的影响.采用静态配气法测试了由所制粉体制成的气敏元件对丙酮、乙醇、甲醇等气体的气敏性能.结果表明:用该法得到的粉体材料颗粒粒径小,工作温度为160℃时,由w(Al2O3)为3%的粉体在700℃退火制得的气敏元件对体积分数为40%的丙酮的灵敏度最高可达到7 779,响应-恢复时间均为1S.     

基于GaAs的新型稀磁半导体材料（Ga,Mn）As

介绍了一种基于GaAs的新型稀磁半导体材料（Ga,Mn）As,包括（Ga,Mn）As的制备方法、结构特性、磁性质及磁输运性质。最后,展望了(Ga,Mn）As的应用前景。     

GaAs MISFET制备中柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs结构的选择湿法腐蚀

用α台阶仪和原子力显微镜(AFM)研究了不同体积比的柠檬酸(50%)/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs系统的选择湿法腐蚀特性,对AlxGa1-xAs停止层的组分和腐蚀液体积比进行了优化.当腐蚀液体积比在1.5∶1到2∶1范围时获得了最好的选择腐蚀效果.在25℃.温度条件下,当腐蚀液体积比为1.5∶1时,对Al摩尔分数x为0.2、0.3和1的GaAs/AlxGa1-xAs系统腐蚀比分别为45、74和大于200,表面腐蚀形貌均匀平整.将这种选择腐蚀技术用于GaAsMISFET的栅槽工艺,获得了良好的阈值电压均匀性.     

基于GPRS电力无线抄表系统的设计与实现

针对目前电力系统中人工抄表费时费力。可靠性和实时性差等缺点，提出了使用GPRS作为传输方式的电能表无线抄表方案。该方案使用采集终端，通过RS485方式把采集点的电能表数据采集起来，再使用GPRS把数据传送到监控中心，由监控中心的软件对数据进行汇总处理，具有很高的应用与研究价值。方案中的采集终端使用HPIUP公司双串口的芯片P89C669作为主控MCU，一个串口采集智能电能表的数据，另一个串口与GPRS模块MC55通讯。该方案经过实验测试，运行稳定可靠，符合实际应用的要求。     

微晶硅材料及其在太阳能电池中的应用

微晶硅（μc—Si：H）是国际公认的新一代硅基薄膜太阳能电池材料。综述了微晶硅的基本特性，器件质量级材料的表征参量，材料的生长技术，微晶硅在太阳电池中的应用及其发展前景。     

GaAs近红外吸收特性和主要深电子陷阱浓度的测量

本文研究液封直拉(LEC)未掺杂半绝缘GaAs室温和低温近红外吸收特性,对主要深电子陷阱(EL2)引起红外吸收的机理进行了探讨。利用低温高分辩率技术,发现样品中EL2内部跃迁特征谱及由零声子线和五个声子耦合峰组成的精细结构。零声子线与近红外吸收带具有相同的光淬灭效应,其强度与EL2浓度具有良好的线性关系,由此阐述了一种测定EL2浓度的新方法。