一种基于MEMS的射频低相位噪声压控振荡器的研制

利用微机械可变电容作为频率调节元件,制备了一种中心频率为2GHz的 LC VCO.微机械可变电容的控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2GHz时的Q值最高约为38.462.MEMS VCO的测试结果表明,偏离2.007GHz的载波频率100kHz处的单边带相位噪声为-107.5dBc/Hz,输出功率为-13.67dBm.对微机械可变电容引起的机械热噪声以及减小空气压膜阻尼来降低相位噪声的方法进行了讨论,提出了一种优化阻尼孔数目的方法.     

基于小波变换和NMF的人脸识别方法的研究

为了克服PCA、ICA等传统方法在人脸图像特征抽取时存在速度慢、识别率低的缺点，该文提出了一种将非负矩分解思想应用于人脸特征提取的算法。利用小波变换对人脸图像进行分解，对其中包含主要信息的低频子带运用NMF构造特征子空间，在子空间内实现识别。实验结果表明，该方法实用、有效，减少了计算量，提高了系统的识别率，使识别率达到90％以上，有着广泛的研究价值和应用 前景。     

基于NAND Flash的FAT文件系统的实现

因为NAND Flash的容量很大，性价比高，NAND Flash在单片机系统中的应用已经很普遍。NAND Flash可以存储很多数据，为了方便数据的管理，可以采用FAT文件系统对数据进行管理。本文深入讨论了如何在NAND Flash中建立FAT文件系统。     

退火条件对注Mn GaAs结构的影响

通过离子注入在半绝缘GaAs衬底中掺引入Mn杂质,进行不同温度的退火后,在样品中形成了磁性MnAs粒子.利用原子力显微镜和磁力显微镜对样品的表面进行分析,发现退火条件会影响样品磁性粒子的分布.运用二次离子质谱仪测量了样品中Mn的深度分布,发现退火温度对样品中Mn的分布有很大影响.     

多步热处理对未掺杂LEC SI-GaAs特性的影响

对未掺杂ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ进行了“三步热处理”。用霍尔测量、光激电流谱测量和化学腐蚀方法研究了这种热处理对电阻率、迁移率、电活性缺陷、位错密度及Ａｓ沉淀的影响。     

基于MEMS的多模态电磁式能量采集器设计与仿真

提出了一种磁铁层和线圈层均能振动的电磁能量采集器方法,设计了磁铁、线圈、支撑层组成的“三明治”结构,并用COMSOL软件对其进行了模态、静态和谐响应仿真,结果表明:设计的结构可实现400 Hz以下6个振动模态,5个方向振动能量的采集,为进一步工艺生产奠定了基础.     

非掺杂半绝缘LFCGaAs中深施工主缺陷对注入硅激活率的影响

通过测量ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管的饱和漏－源电流分布研究了深施工主缺陷ＥＬ２对半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中注入硅激活率的影响,发现激活率随ＥＬ２浓度的增加而增加,讨论了ＥＬ２影响硅注入激活率的机理。     

基于相似性分析的SVM快速分类算法

针对支持向量机(SVM)分类速度取决于支持向量数目的应用瓶颈,提出一种SVM快速分类算法。通过引入支持向量在特征空间的相似性度量,构建特征空间中的最小支撑树,在此基础上将支持向量按相似性最大进行分组,依次在每组中找到决定因子和调整因子,用两者的线性组合拟合一组支持向量在特征空间的加权和,以减少支持向量的数量,提高支持向量机的分类速度。实验结果证明,该方法能以很小的分类精度损失换取较大的分类时间缩减,满足SVM实时分类的要求。     

DBR结构设计与GaInP/GaInAs/Ge太阳电池性能关系

空间太阳电池采用分布式布拉格反射(DBR)结构作为GaInAs中间子电池的背反射器,可以降低基区的厚度,进而提高电池的抗辐射能力.DBR的光学反射特性对该子电池的各项性能有很大的影响.本研究制备了三种不同反射特性的Al0.9 Ga0.1 As/Al0.1 Ga0.9 As DBR结构,并将它们应用在同一种GaInP/GaInAs/Ge晶格匹配的太阳电池,作为GaInAs中间子电池的背反射器.测试研究其对电池的光学反射率、光伏性能和辐射衰降性能的影响.研究表明:材料带隙分别为1.87 eV/1.40 eV/0.67 eV的三结太阳电池,随着DBR的中心波长从865 nm→875 nm→885 nm进行微调,这三种电池的光学反射率、光伏性能和辐射衰降性能均表现出规律性变化.电池的反射率出现了规律性红移,初始光伏效率逐渐升高,地球同步轨道剂量电子轰击实验后,电池的最终辐照衰降率也逐渐升高.同时,适当将DBR反射范围向长波方向微调,可以获得初始效率更高的电池,而寿命末期效率几乎相同,这一研究结果对高轨道空间项目全生命周期内的应用有很大的意义.     

高温淬火对GaAs中深施主缺陷的影响

研究了１ １２０℃ 高温淬火对非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡＳ中 ＥＬ２浓度的影响．发现真空条件Ｔ,在１１２０℃热处理２ｈ～８ｈ并快速冷却后,样品中ＥＬ２浓度下降近一个数量级,提高高温过程中的 ＡＳ压,可抑制 ＥＬ２浓度的大幅下降．