W/O微乳液制备纳米羟基磷灰石的影响因素研究

W/O微乳液制备的纳米羟基磷灰石粉体具有颗粒细小、团聚度低、分散性好、表面活性高等优点。综述了W/O微乳液制备纳米羟基磷灰石的原理;重点论述了影响粉体粒径和形貌的水油比、表面活性剂与助表面活性剂类型、前驱物浓度、反应温度等因素;并初步展望了该领域的研究发展趋势。     

反相微乳液法制备纳米羟基磷灰石的研究进展

具有良好生物相容性和生物活性的纳米羟基磷灰石(Ca1(0PO4)(6OH)2,HA)被广泛应用在生物医学、环境功能材料等领域。反相微乳液法(W/O)制备纳米HA为实现高活性、低团聚、均一颗粒形貌及尺寸控制提供一种重要途径。综述目前国内外反相微乳液法制备纳米HA的研究进展及其机理;总结水油比、表面活性剂种类、助表面活性剂类型、反应物浓度等因素对制备纳米HA的影响;对反相微乳液法制备纳米HA的研究发展趋势进行前景展望。     

水基流延法制备堇青石坯片

以溶胶-凝胶法制得的纳米堇青石(2MgO-2Al2O3-5SiO2)粉体为原料,聚丙烯酸钠(PAAS)为分散剂,制备堇青石水基流延浆料并流延成型.对适于流延的堇青石粉体粒径、聚丙烯酸钠含量及流延坯片的微观形貌进行研究.结果表明:粉体粒径为600nm左右的堇青石粉体适用于制备水基流延浆料;分散剂聚丙烯酸钠最佳含量为1.5％(质量分数);得到的流延生坯微观结构均一,上下表面平整一致,不存在密度梯度,满足高频片式电感所用坯片的要求.     

金属铱多孔材料过滤性能分析

金属多孔材料因其良好的过滤和理化性能，在气-固分离方面得到广泛的应用。采用氦质谱检漏仪、扫描电子显微镜及比表面积测试仪等对金属铱多孔材料的孔隙率、微观结构、孔隙特征及孔隙分布等方面进行了研究。研究表明，该金属铱多孔材料由粉体颗粒和孔隙组成，其内部孔隙相互连通构成复杂的三维结构；孔隙率约为16.93%，有98.7%的孔隙孔径为0.002~0.05 μm，1.3%的孔径为0.05~0.46 μm；根据多孔材料微过滤理论及气体中微粒捕集理论（不考虑多孔材料厚度），该金属铱多孔材料对粒径不小于0.46 μm粉体颗粒过滤效率达100%，且不受气体流速的影响；对粒径小于0.46 μm的粉体颗粒，当气体流速不大于5.28 m/s时，过滤效率同样达100%，而当气体流速大于5.28 m/s时，则会有部分粉体颗粒通过。多孔材料微过滤理论及气体中微粒捕集理论可为多孔材料过滤性能评价提供参考，该金属铱多孔材料也可用于放射性同位素材料的气-固分离。     

B2O3和煅烧温度对堇青石陶瓷材料的影响

通过溶胶-凝胶法制备堇青石纳米粉体,采用差热分析、阿基米德排水法、Zata电位仪等测试手段进行了性能表征;研究了添加剂B2O3、煅烧温度对烧结性能以及线收缩率、密度、吸水率等物理性能的影响.结果表明,添加适量B2O3可降低烧结温度、提高样品致密度;煅烧温度越高特别是高于析晶温度时,材料的致密化程度降低.经600℃煅烧的样品,烧结后的致密化程度达99%.     

添加剂和制备工艺对溶胶-凝胶法合成堇青石陶瓷析晶机理的影响

堇青石具有较低的介电常数和低热膨胀系数,被广泛应用在高频电子领域的绝缘材料、集成电路基片及电路模板中.综述了溶胶-凝胶法制备堇青石基介电陶瓷的研究现状,介绍了目前国内外堇青石溶胶-凝胶合成过程中添加剂、制备工艺、烧结制度等因素对其显微结构、力学性能和电性能的影响,探讨了溶胶-凝胶法制备堇青石粉体于低温下的烧结机理与析晶机制.     

堇青石水基流延坯片烧结性能研究

以溶胶-凝胶法制备的堇青石粉体为原料,聚丙烯酸钠为分散剂、聚乙烯醇为粘结剂,聚乙二醇为增塑剂,通过水基流延成型制备了堇青石陶瓷生坯。研究了流延生坯的烧结性能及微观形貌。结果表明,1000℃下烧结体析出晶相全部为α-堇青石,致密性较好。叠层生坯在1000℃下烧结后层间界面消失,致密性好。叠片在1GHz下的介电常数ε=4.56,介电损耗tanδ=0.0032,基本满足低介片式电感元器件对介质材料的要求。     

水基流延浆料性能影响因素分析

水基流延法是在传统流延法上进行改进,采用水作溶剂制备片层陶瓷基板的一种方法。分子间作用力、静电力和空间位阻的共同作用,构成水基流延浆料的稳定机理;粉体的颗粒尺寸和粒径分布对流延生坯的性能具有重要影响;选择合适的添加剂种类和加入量能极大地改善水基流延浆料的流变性和稳定性,同时可提高流延生坯的可加工性;球磨工艺和真空除泡工艺的选择对于制得良好的水基流延浆料也很重要。     

放射源跌落冲击响应谱仿真与分析

采用冲击响应谱改进的递归数字滤波法,基于有限元模拟仿真,对密封放射源跌落冲击响应谱(SPS)进行研究。分析放射源包壳不同测点位置、跌落姿态以及跌落高度的最大加速度冲击响应谱特点及规律。结果表明,跌落冲击响应谱能够确定放射源结构在跌落冲击中存在的共振响应,准确计算共振产生放大效应的损伤势,可为放射源结构的抗冲击设计及优化提供依据。     

一步热压法制备N型Si80Ge20及其热电性能

采用一步热压法制备了N型Si80Ge20Px(x=0.2、1.0、2.0),通过改变P掺杂优化载流子浓度,对样品进行物相分析与微观结构分析,测试并比较了样品在30～800℃下的热电参数.结果表明:一步热压法可实现硅锗固相反应合金化,制备的Si80 Ge20结构致密、组分均匀;随着P掺杂增加,Si80Ge20Px的电导率...