Bi(GaxFe1-x)O3-PbTiO3高温压电陶瓷的结构和介电性能

采用传统固相反应法制备了0.4Bi(GaxFe1-x)O3-0.6PbTiOa (BGF-PT) (x=0.05,0.25,0.40,质量分数)陶瓷.BGF-PT呈四方相钙钛矿结构,四方畸变度c/a比约为1.09.当x(Ga) =25％时,BGF-PT陶瓷的晶粒分布均匀,Fe元素在局部区域无明显富集,该组分陶瓷在室温下具有最优的介电性能,居里温度为572℃.BGF-PT陶瓷在较低温度和高温下的载流子分别为电子和氧空位.Ga元素的引入抑制了电子电导和氧空位离子电导,降低了BGF-PT陶瓷的交流电导率.     

Bi,Zn掺杂的PNN-PZ-PT系压电陶瓷电畴结构的TEM研究

在A(B'B″)O-3-PZ-PT三元系中,Pb(Ni-{1/3}Nb-{2/3})O-3(PNN)-PZ-PT系压电陶瓷具有稳定的温度特性、优良的压电性能和瞬态电压响应特性,能够综合满足压电陶瓷微位移执行器的性能要求,是一种很有潜力的压电材料[1].人们对它的介电、压电、弹性等性能及掺杂改性规律进行了深入的研究[2-3].结果表明Bi和Zn的掺杂可提高PNN-PZ-PT系压电陶瓷的压电性能及温度稳定性;在准同型相界(MPB)(四方相与菱方相的相界)附近,压电活性最高.由于压电性能和电畴结构密切相关,为进一步改善材料的压电性能,很有必要了解压电陶瓷的电畴结构特征.本文以Bi,Zn掺杂的PNN-PZ-PT系压电陶瓷作为研究对象,利用透射电镜(TEM)观测了不同相结构的铁电畴,探讨电畴结构特征随相结构的变化规律.     

用甲酸盐／柠檬酸盐制备（Sr_（1－x）Ca_x）TiO_3微粉的研究

本文采用甲酸盐／柠檬酸盐溶液酒精脱水的方法制备出均匀的、结晶的、立方钙钛矿结构的（Ｓｒ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３微粉．借助于ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ及粒度分析等现代分析手段，研究了粉末的相结构、粒度、组成以及微观形态．研究表明，（Ｓｒ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３粉末的粒径和组成与溶液的ｐＨ值、焙烧温度、酒精与溶液的比例，以及酒精清洗、干燥步骤等因素有关．此外，还考察了粉末的烧结性能．     

Preparation of BiFeO3 thin films by pulsed laser deposition method

BiFeO3 （BFO） thin films were prepared on Pt（111）/TiO2/SiO2/Si（100） substrates by the pulsed-laser deposition （PLD） technique at a low temperature of 450℃. The XRD results indicate that the BFO thin films are of perovskite structure with the presence of small amount of second phases. The oxygen pressures have great effect on the crystalline structures and dielectric properties of BFO thin films. The dielectric constant of the BFO thin films decreases with increasing oxygen pressures, achieving 186, 171 and 160 at the frequency of 104 Hz for the oxygen pressures of 0.666, 1.333 and 13.332 Pa, respectively. The BFO thin films prepared at the oxygen pressure of 0.666 Pa reveal a saturated hysteresis loop with the remanent polarization of 7.5 ℃/cm^2 and the coercive field of 176 kV/cm.     

掺稀土多孔硅基光放大复合玻璃研究

研究了在多孔硅基骨架中渗入氯化物系和稀土离子功能团的光放大复合玻璃，通过真空溶液掺杂工艺，将稀土离及氯化物包裹体溶液渗入具有良好三维连通性的多孔石英玻璃微孔中，经烧缩封孔热处理包含稀土离子的功能团收缩至２０－５０ｎｍ，不会对１．３２μｍ光产生明显散射损耗，同时包裹体使稀土离子具有较好的发光环境。     

Pb 1-xSrx(Mn1/3Sb2/3)aZrbTicO3三元系压电陶瓷的压电和介电性能

对Pb 1-xSrx(Mn1/3Sb2/3)aZrbTicO3+0.2%(质量分数)CeO2 (PMS-PZ-PT)三元系压电陶瓷的烧结温度(1 150～1 225 ℃)和Sr2+取代量(摩尔分数0～8%)进行了系统研究. 通过XRD图谱计算的晶格参数说明Sr2+取代Pb2+后, 晶胞更趋于各向同性且产生收缩, 从而改善样品的性能. 实验结果表明 当x=0.02时, 在1 200 ℃, 2 h条件下烧结, 能获得优良的综合性能εr =1 461, tanδ=0.003 8, Kp=0.63, Qm=1 321, d33=409×10-12 C·N-1, 可以满足超声马达和压电变压器等应用方面的要求.     

纳米二氧化钛系材料的合成及表征技术

综合叙述了有关纳米级二氧化钛的制备方法，特别是溶胶-凝胶法在制备TiO2薄膜方面的应用，并对材料的表征技术进行了介绍。     

Sol-Gel法制备BaxSr1-xTiO3铁电薄膜化学机制的探讨

用ＦＴＩＲ分析,结合ＤＳＣ、ＸＲＤ、ＡＦＭ实验结果,展示了ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备ＢａｘＳｒ１－ｘＴｉＯ３（ＢＳＴ）薄膜热演化过程的化学机制,研究表明：螯合剂ＨＡｃＡｃ的引入减缓钛醇盐水解速率、改善晶化途径、降低结晶起始温度,从而制得了晶化完善、致密无裂纹的ＢＳＴ薄膜。     

超声马达的应用和发展动向

在简明阐述超声马达基本原理及性能特点的基础上,重点介绍了目前超声马达的应用情况,并展望了超声马达的研究和发展方向。     

Effect of （Ba＋Sr）/Ti ratio on dielectric and tunable properties of Ba0.6Sr0.4TiO3 thin film prepared by sol-gel method

Ba0.6Sr0.4TiO3 （BST） thin films were fabricated on Pt coated Si （100） substrates by sol-gel techniques with molar ratio of （Ba＋Sr） to Ti changing from 0.76 to 1.33. The effect of （Ba＋Sr）/Ti ratio deviating from the stoichiometry on microstructure, grain growth, dielectric and tunable properties of BST thin films were investigated. TiO2 and （Ba,Sr）RTiO4 were found as a second phase at the ratios of 0.76 and 1.33, respectively. The variation of the ratio reveals more significant effect on the grain size in B-site rich samples than that in A-site rich samples. The dissipation factor decreases rapidly from 0.1 to 0.01 at 1 MHz with decreasing （Ba＋Sr）/Ti ratio. The tunability increases with decreasing ratio from 1.33 to 1.05, and then decreases with decreasing ratio from 1.05 to 0.76. The film with （Ba＋Sr）/Ti ratio of 1.05 has a maximum tunability of 32% and a dissipation factor of 0.03 at 1 MHz.