金属轧制扩散复合技术基础研究

利用热模拟试验机模拟研究轧制扩散一次成形的可能性。研究了环境（真空、大气条件）、加压和加热过程、变形量以及复合面表面处理状况对复合接头剪切强度的影响,并分析了各种条件下接头的界面结合情况。研究结果对正确选择轧制扩散工艺条件具有参考价值。     

纳米银微焊点阵列的超快激光图形化沉积及其芯片封装研究

随着集成电路芯片封装向小型化、集成化方向的不断发展,无铅锡基钎料性能已不能满足目前集成电路封装的需求.本文提出了一种脉冲激光图形化沉积纳米金属颗粒制备小尺寸、细节距焊点阵列的工艺,用于替代集成电路芯片封装中传统锡基焊点.采用图形化沉积的纳米银焊点阵列连接Si芯片及覆铜陶瓷(DBC)基板来验证该工艺在集成电路倒装芯片封装...     

Al／Ti／Al复合层原位生成金属间化合物连接陶瓷

用Al／Ti／Al复合层作连接材料，通过连接温度下原位生成金属间化合物真空连接Si3N4陶瓷。研究了Al与Ti的厚度匹配和工艺参数对接头显微组织及其强度的影响和接头的形成过程。结果表明：当原位生成的连接层金属组织为Al3Ti／Ti／Al3Ti时，由于纯金属间化合物Al3Ti脆性大，且其与剩余Ti片的结合强度低，陶瓷接头强度低；当连接层金属组织为大量Al3Ti颗粒加少量Al基固溶体时，连接层金属能获得良好的强化效果，与用纯Al连接的接头相比，接头室温和高温强度显著提高。Al与Ti的厚度匹配和连接参数适当时，接头室温和600℃剪切强度可分别达到89．4MPa和29．7MPa。     

含Al,Ti和Zr的活性合金连接陶瓷的防氧化

研究了含Ａｌ、Ｔｉ和Ｚｒ等易氧化元素的合金连接陶瓷时的防氧化问题。结果表明，对于易变形的活性合金，施加适当的压力可防止在大气中直接连接陶瓷时连接区中合金的氧化；常规高真空环境下连接时，试样放于开有小长孔的夹具中也可以达到良好的防氧化效果。两种防氧化措施的原则是连接区或试样周围局部含氧量减至不影响活性合金与被连接材料的结合     

网络化敏捷制造

对制造的发展阶段进行了简单回顾,概述了网络化敏捷制造的概念,总结了网络化敏捷制造的组成部分,综述了该领域的国内外研究与应用现状。     

Solid-liquid state pressure bonding of Si_3N_4 ceramics with aluminum based alloys and its mechanism

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＡｌｕｍｉｎｕｍｉｓｉｎｃｏｍｍｏｎｕｓｅａｓａｃｔｉｖｅｅｌｅｍｅｎｔｔｏｂｏｎｄｃｅｒａｍｉｃｓ.ＪｏｉｎｔｓｗｉｔｈｈｉｇｈｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｃａｎｂｅｅａｓｉｌｙｏｂｔａｉｎｅｄｗｈｅｎａｌｕｍｉｎｕｍａｎｄｉｔｓａｌｌｏｙｓｓｕｃｈａｓＡｌ Ｓｉ,Ａｌ ＭｇａｎｄＡｌ Ｃｕａｒｅｓｅｌｅｃｔｅｄａｓｂｒａｚｉｎｇｆｉｌｌｅｒｍｅｔａｌｓｏｒｄｉｆｆｕｓｉｏｎｂｏｎｄｉｎｇｉｎｔｅｒｌａｙｅｒｓｗｉｔｈａｄｅｑｕａｔｅｔｅｃｈｎｏｌｏ…     

高Tc氧化物陶瓷超导材料的连接研究状况与展望

综述了高Tc氧化物陶瓷超导材料连接研究在连接方法、工艺及机理方面的现状,分析 存在的问题,并对今后的研究进行了展望。     

O相合金Ti-22Al-25Nb固态扩散连接

用热-力学模拟试验机Gleeble 1500D进行O相合金Ti-22A1-25Nb的固态扩散连接。结果表明：当连接温度和连接压强分别不低于970℃和7MPa以及保温时间不短于30min时,能获得界面结合致密的接头;当连接温度高于1000℃时,B2基体相明显粗化,且O相明显减少：当连接温度、压强和保温时间分别为1020℃、7MPa和30min时,接头室温和650℃的拉伸强度分别为925 MPa和654 MPa;当连接温度不高于1000℃的接头,拉伸断裂大部分发生在结合界面;当连接温度高于1000℃时,则断裂主要发生在近界面母材中。关键词：O相合金：扩散连接：界面结合;接头强度     

耐高温陶瓷接头的合金化--用Al/Ni/Al复合层连接Si3N4陶瓷

用Ａｌ／Ｎｉ／Ａｌ复合层真空连接Ｓｉ３Ｎ４陶瓷,研究了Ａｌ与Ｎｉ的匹配对接头显微组织的影响以及影响接头强度的因素。结果表明,当Ａｌ与Ｎｉ的匹配合理并采用适当的连接工艺时,Ａｌ与Ｓｉ３Ｎ４和Ａｌ与Ｎｉ的互扩散和反应可分别获得牢固的结合界面和以Ａｌ３Ｎｉ耐高温相为主的焊缝金属,获得耐高温的陶瓷接头;Ｎｉ的厚度、连接温度及保温时间是影响接头强度的重要参数,它们的最佳值分别为４０μｍ、９００℃和６０ｍｉｎ     

先进结构陶瓷的发展及其钎焊连接技术的进展

本文综述了先进结构陶瓷的发展现状，并介绍了其主要连接方法之一的钎焊连接的主要问题以及针对这些问题国内外开展的最新研究工作与结果。