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991.
992.
在中频感应炉中用大气熔铸方法制备了CuCr25以及CuCr25RE合金触头材料,利用扫描电镜对其铸态及锻态的显微组织进行了观察和比较,并探讨了微量稀土对CuCr25电导率及软化温度的影响。结果表明:合金经锻造后可以获得均匀的组织分布,但添加稀土后Cr颗粒明显细化;合金添加稀土元素并经950℃×1h固溶,再在不同温度下进行时效处理,可有效地提高合金的电导率;对固溶后的CuCr25、CuCr25RE合金施以40%冷变形再进行480℃时效处理,其电导率较固溶后直接时效处理的有显著提高;添加微量稀土元素对合金的抗软化性能有所改善,使CuCr25合金的软化温度提高了约25℃。 相似文献
993.
XY平台直线伺服系统中,负载扰动、机械时间延迟及各轴响应速度不同会影响轮廓加工精度,为此提出了一种将积分-比例(I-P)控制、速度前馈控制及变增益交叉耦合控制相结合的控制策略。单轴采用由IP控制和前馈控制构成的复合速度控制器,IP控制具有快速响应和抑制扰动的能力,速度前馈控制可增加系统跟踪能力,降低机械时间延迟效应。间接减小轮廓误差。并且,在X、Y轴间加入变增益交叉耦合控制器,直接减小轮廓误差。仿真结果表明该控制方案可增强系统的鲁棒性,提高系统的快速性和轮廓加工精度。 相似文献
994.
在高溅射功率900W下用RF磁控溅射方法制备了厚为630-780nm的e-Ti-N薄膜。结果表明:当膜成分(原子分数,%,下同)在Fe-3.9Ti-8.8N和Fe-3.3Ti-13.5N范围内,薄膜由α′和Ti2N沉淀组成,磁化强度4πMs超过纯铁,最高可达2.38T;而矫顽力Hc下降为89A/m,可以满足针对1.55Gb/cm^2高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要,N原子进入α-Fe使α′具有高饱和磁化强度;Ti的加入,阻止α′→α γ′的分解,稳定了强铁磁性相α′,是Fe-Ti-N具有高饱和磁化强度的原因。由于由晶粒度引起的对Hc的影响程度Hc^D与晶粒度D有以下关系:Hc^D∝D^6,晶粒度控制非常重要。N原子进入α-Fe点阵的八面体间隙,引起极大的畸变,使晶粒碎化。提高溅射功率也使晶粒度下降。两者共同作用,能使晶粒度下降到约14nm,使Hc下降。晶界是择优沉淀地点,在α′晶界上沉淀Ti2N能起钉扎作用,阻止晶界迁移,使纳米晶α′不能长大。薄膜的结构和Hc的稳定温度不低于520℃。 相似文献
995.
焊接材料工艺性的分析与评价 总被引:7,自引:0,他引:7
过去对焊接材料工艺性的分析与评估主要是依靠人的直接经验。对德国汉诺威大学的汉诺威焊接质量分析系统进行二次应用开发。提出对不同焊接材料工艺性进行评估的判据,实现对焊接材料工艺性进行的科学评价。 相似文献
996.
997.
用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现(200)等晶体取向;对应TiN,TaN;ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别达108,327和478μΩ·cm,退火后降至正常的数个μΩ·cm;扩散阻挡层亦可明显降低膜的残余应力,无扩散阻挡层时膜的退火应力达475MPa,有ZrN扩散阻挡层后退火应力降至149MPa. 相似文献
998.
目的研究等离子喷涂Al_2O_3-3%TiO_2涂层的抗低温冲击性能和外部载荷下的绝缘性能等综合性能,探讨大气等离子喷涂技术作为核聚变反应堆磁体支撑结构绝缘涂层制备方法的可行性。方法采用大气等离子喷涂技术在喷砂处理的A286基体上制备Al_2O_3-3%TiO_2涂层并进行封孔处理,利用XRD、SEM等手段对涂层的微观结构和常规性能进行表征,重点关注了涂层的低温热冲击性能和加载绝缘性能。结果喷涂粉末充分熔融及铺展而沉积为典型的层叠状结构,涂层的结合强度达30 MPa,孔隙率可控制在5%以内。均匀涂刷在涂层表面的硅树脂封孔剂有利于填充涂层孔隙和微裂纹,封孔剂在涂层内部的渗透深度可达到大约100μm。从室温水浴到液氮进行10个循环的热冲击试验后,涂层未发现裂纹和剥落,且热冲击对绝缘性能没有显著影响。250 MPa压缩载荷下,涂层的表面电阻率明显降低,但仍高于30 MΩ/sqr。结论 Al_2O_3-3%TiO_2涂层可作为高载荷和低温环境下使用的潜在绝缘材料,而大气等离子喷涂将成为制备核聚变反应堆磁体支撑结构关键部件绝缘涂层的重要选择。 相似文献
999.
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