江西省防汛PDA应用系统设计

防汛PDA系统采用B/S和C/S相结合的构架方式,通过GPRS网络平台,能够清晰而灵活的显示出各种防汛工作所需的信息,为防汛工作者提供了全方位的移动指挥办公手段.     

锡磷青铜带材表面黑丝黑点的分析及预防措施

本文通过全面系统的实验分析，确认锡磷青铜带材表面黑丝黑点源于生产过程中硫对铜带表面的污染和腐蚀。提出了预防黑丝黑点的一系列有效措施。采取这些措施后，成材率提高了3％，显著地降低了生产成本，增强了产品的竞争能力。     

基于进化算法的常减压装置模拟

提出了基于优选优生进化算法（Select—best and prepotency evolution algorithm，SPEA）的常减压装置模拟方法。以各塔的温度分布为目标，基于生产过程和分析数据，采用SPEA确定各塔板Murphree效率，从而精确描述各塔板平衡偏离程度。在实际应用中，获得具有良好精度的常减压装置模型。系统分析了SPEA算法的关键参数——优选领域大小与计算复杂性及寻优性能之间的关系，结果显示其取值为群体规模的10％最为合适。     

Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体生长和基本特性

Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料，可以用中频感应加热提拉法生长。X射线粉末衍射分析表明它的结构与Nd^3 :YVO4晶体结构相同，它的晶格常数介于YVO4和NdVO4晶格常数之间。用ICP光谱法测定晶体中Nd^3 含量为0．8at％，分凝系数为0．8，与Nd^3 :GdVO4晶体中Nd^3 的分凝系数0．78相当；用称重法测定其密度为5．00g／cm^3；用稳态纵向热流法测出其室温热导率为12．5W／mK。实验表明Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体有希望作为高功率ID泵浦激光晶体材料。     

西气东输对南水北调穿黄隧洞影响动力分析计算

西气东输管线距离南水北调工程穿黄河隧道的最近距离:河漫滩仅150 m,主河槽仅205 m.输气管线在运行过程中,存在着因误操作、管道腐蚀、自然灾害或人为破坏等因素引发事故发生爆炸的可能.对深泓区穿黄隧洞地下部分在天然气爆炸冲击波作用下的安全性进行动力分析计算,认为西气东输管道破裂引起的天然气爆炸,不会对南水北调输水隧洞产生破坏影响.     

焊膏工艺性要求及性能检测方法

焊膏是SMT工艺中不可缺少的钎焊材料,广泛应用于再流焊中;它是由一定的合金粉末和助焊剂均匀混合而成的膏状体。主要对SMT中焊膏的组成及焊膏性能检测方法进行了简要分析。     

义东油田大81-4块咸化湖泊生物礁储集层特征

义东油田位于济阳坳陷沾化凹陷义东断裂带，该油田大81—4块沙四段成化湖泊生物礁复合体自下而上可分为5个小型礁体(2个藻礁，3个藻礁丘体)。根据岩心观察、镜下鉴定和钻井等资料，主要有3种岩石类型：白云岩类是下部藻礁的主体，灰岩类是礁丘相的主体，其它岩类(主要为碎屑岩类和盐岩)分布局限；储集空间主要有7种类型(粒间孔隙、粒内孔隙、铸模孔隙、生长骨架孔隙、角砾间孔隙、晶间孔隙和构造裂缝）。该生物礁复合体位于凸起边缘的断阶带平台，发育于有陆源碎屑供给的半清水水域，紧邻深水区。礁体形成后经历了深埋藏成岩期，对储集空间演化影响最大的成岩作用是白云石化作用、溶解作用、新生变形作用和胶结作用。预测大81—221井区及附近的2个枝管藻白云岩礁体为最有利的勘探目标，义东22井附近生物礁也有良好的勘探前景。     

具有控制项的限定记忆卡尔曼滤波器

在已有的限定记忆卡尔曼滤波器的基础上 ,将确定性先验信息作为控制项加以应用 ,推导出了完整的限定记忆卡尔曼滤波公式 ,从而在记忆长度确定的情况下 ,有效地减小了模型不准的误差 ,降低了滤波总误差。仿真同样表明了该方法的有效性     

WPAN/WLAN应用环境下基于PER的链路自适应算法

本文重点研究基于包错误率测量的链路自适应算法，分析了包错误率与信道参数的关系，提出了一种有别于固定门限值方案的优化门限值方案。仿真结果表明，优化门限值方案的网络吞吐量要大于固定门限值方案和基于信干比估计的链路自适应算法，最大增幅可达12Mbit/s。在系统引入重传机制后，网络吞吐量将有所损失，但最大不超过1Mbit/s，相比较服务质量的提高是值得的。需指出的是，虽然分析和仿真均以HIPERLAN／2为例，但不失一般性，它们同样适合于WPAN/WLAN等类似系统。     

Reliability investigation of 0.07-/spl mu/m InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs with pseudomorphic In/sub 0.75/Ga/sub 0.25/As channel

The authors have investigated the reliability performance of G-band (183 GHz) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) amplifiers fabricated using 0.07-/spl mu/m T-gate InGaAs-InAlAs-InP HEMTs with pseudomorphic In/sub 0.75/Ga/sub 0.25/As channel on 3-in wafers. Life test was performed at two temperatures (T/sub 1/ = 200 /spl deg/C and T/sub 2/ = 215 /spl deg/C), and the amplifiers were stressed at V/sub ds/ of 1 V and I/sub ds/ of 250 mA/mm in a N/sub 2/ ambient. The activation energy is as high as 1.7 eV, achieving a projected median-time-to-failure (MTTF) /spl ap/ 2 /spl times/ 10/sup 6/ h at a junction temperature of 125 /spl deg/C. MTTF was determined by 2-temperature constant current stress using /spl Delta/G/sub mp/ = -20% as the failure criteria. The difference of reliability performance between 0.07-/spl mu/m InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs with pseudomorphic In/sub 0.75/Ga/sub 0.25/As channel and 0.1-/spl mu/m InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs with In/sub 0.6/Ga/sub 0.4/As channel is also discussed. The achieved high-reliability result demonstrates a robust 0.07-/spl mu/m pseudomorphic InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs production technology for G-band applications.