SOI材料片缺陷研究

SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,文章介绍了SOI(绝缘体上硅)两类不同材料片SIMOX(注氧隔离法)SOI和Bonded Smart-Cut(智能剥离法)SOI的生产工艺流程。针对SOI材料片的特殊结构——顶层硅/埋氧绝缘层/衬底结构——对各个层次的缺陷进行详细的介绍,并对其在半导体工艺中产生的影响做了深入的阐述。结合目前实际工艺生产线的情况,将SOI材料片的检测分为两大类:可直接测试的表面及内部缺陷;间接的材料性能特征检测。同时提供了大量SOI材料片可行的测试原理,为工艺线SOI材料片缺陷检验提供了有效的方法。     

真空预压技术在温州地区吹填淤泥地基加固中的应用

吹填造陆是解决土地资源紧缺的有效途径,以温州民科基地永兴北园吹填淤泥地基处理工程为例,采用真空预压技术加固新吹填淤泥地基,介绍了该技术的施工工艺,分析了现场管理的要点和注意事项,并进行了现场监测及检测工作。结果表明,浅层加固技术可使新吹填淤泥层在较短的时间内获得良好的加固效果,土体含水量和孔隙比大幅度减小,表层承载力明显提高。该技术可节省地基处理工期和工程成本,在大面积超软弱地基处理工程中有着广阔的应用前景。     

球墨铸铁管外部防腐效果生产实践

针对铸管外观轨道印严重,加热炉烟气量小,沥青预热炉温度低、不均匀,沥青漆喷涂后,铸管外部滴流较多等缺陷,对加热炉的管式预热器、送风系统,烘干炉的进风口及保温系统进行改造,研究沥青漆的各项指标对铸管外观质量的影响,使管子外观质量明显改善.     

上位机历史数据库的HA改进

针对控制系统中上位机HMI软件单一历史数据库可靠性不高、最大历史数据量不能超过2G的限制,探讨了一种低成本的PostgreSQL历史数据库替代方案.以两台普通微机组成集群,并在其上实现了基于Slony-I的历史数据库双机实时热备系统.这一"高可用集群"[High-Availability(HA)Cluster]配置方案极大地提高了历史数据的安全性.     

基于OCDMA技术增强全光网络安全性的研究

针对当前全光网络（AON）面临的安全性问题,在分析光码分多址（OCDMA）系统结构及其关键技术的基础上,提出了基于OCDMA来增强全光网络安全性的方法。以现有渡分复（WDM）通信系统为例,分析了采OCDMA技术增强光传输安全性的可行性及需要解决的关键问题。本文所提方法为实现AON的安全提供了参考依据。     

一种温度不敏感占空比可调的振荡器

介绍了一种单比较器型锯齿波及CLK方波震荡器电路,它通过基准电压源对RT/CT充放电产生一定占空比的锯齿波及CLK方波信号。该电路所产生的方波及锯齿波频率的温度和电压稳定性好,波形的占空比可根据需求进行trimming调节。同时介绍了电路的工作原理,进行了HSPICE仿真,最后给出了流片验证结果。     

总剂量辐射对0.5μm部分耗尽SOI CMOS器件的影响

介绍了基于SIMOX SOI晶圆的0.5μm PD SOI CMOS器件的抗总剂量辐射性能。通过CMOS晶体管的阈值电压漂移,泄漏电流和32位DSP电路静态电流随总剂量辐射从0增加到500 krad(Si)的变化来表现该工艺技术的抗电离总剂量辐射能力。对于H型(无场区边缘)NMOS晶体管,前栅阈值电压漂移小于0.1 V;对于H型PMOS晶体管,前栅阈值电压漂移小于0.15 V;未发现由辐射引起的显著漏电。32位DSP电路在500 krad(Si)范围内,静态电流小于1 m A。通过实验数据表明,在较高剂量辐射条件下,利用该工艺制造的ASIC电路拥有良好的抗总剂量辐射性能。     

SiGe HBT超自对准结构模拟研究

侧墙厚度及悬梁长度是SiGe HBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放大系数β和特征频率ft.在目前的文献中,尚未见到有关SiGe HBT超自对准结构模拟的报道.文章在研究各种超自对准技术的基础上,给出了SiGe HBT超自对准器件的优化结构.利用二维器件模拟软件MEDICI,对该结构中的侧墙及悬梁进行了模拟研究.结果表明,侧墙厚度对器件的频率特性影响较大,而对直流放大倍数β影响较小;悬梁长度在仿真的参数范围内对器件的直流放大特性和特征频率都影响不大.     

化工工艺管道安装的组织与管理

介绍了大型化肥厂工艺管道的安装过程。对安装前的准备工作,现场的组织,材料的检查、保管和发放,管道的预制等进行了简明扼要的叙述。并对管道的现场安装、焊接、热处理及捡验、管道的压力试验和清沈进行了详细的论述。以达到提高安装质量和施工效率的目的。