150次级束的产生

在北京HI-13串列加速器次级束流线上利用2H(14N,15O*)n逆运动学反应产生了15O次级束.经准直后,在焦平面位置处的15O次级束的能量为(74.3±0.7)MeV,纯度可达50%,强度约为80 pnA-1·s-1.利用15O次级束可实现对核天体物理高温CNO循环及其泄漏过程中若干关键反应的逆运动学实验测量.     

利用ANC方法间接确定天体物理反应~(26)Si(p,γ)~(27)P的反应率

26Al衰变放出能量为1.809MeV的γ射线,该射线在诸如新星、X射线爆炸等天体物理事件中是一个极好的观测量。26Al主要通过反应链24Mg(p,γ)25Al(β )25Mg(p,γ)26Al合成,然而26Al的合成由于其短寿命(T1/2=6.34s)同质异能态的存在而变得复杂。26Si(p,γ)27P能跨越26Al的主要产生链     

利用同质缓冲层溅射生长c轴择优取向氮化铝薄膜

采用射频反应磁控溅射技术，利用低温低功率下生长的氮化铝（AlN）作为缓冲层，在铟锡复合氧化物（ITO）玻璃衬底上制备出具有良好c轴择优取向的多晶AlN薄膜.采用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和场发射扫描电子显微镜（FESEM）研究了缓冲层对薄膜结晶特性和表面形貌的影响.结果表明，该缓冲层在提高AlN薄膜结晶质量的同时，薄膜的表面粗糙度由19.1 nm减小到2.5 nm，使薄膜表面更为平滑、致密.剖面扫描电子显微镜（SEM）照片显示AlN晶粒呈高度一致的柱状生长体制.通过分析样品的透射光谱，计算得到AlN薄膜的折射率和消光系数分别为2.018 7和0.007 7.     

亚太地区信息技术政策个案分析

基于通常的观念，我们曾预期在硬件生产上成功的也会在软件生产上成功。然而，我们发现，成功地发展硬件业也软件业的国家大不相同。     

^8Li（p，d）^7Li角分布的测量

^8Li（p，d）^7Li是大爆炸原初核合成非标准模型和r过程种子核合成反应网络中的关键反应。在非标准模型中，A=8处稳定核空隙可以通过^4He（t，γ）^7Li（n，γ）^8Li（α，n）^11B（n，γ）^12B（e-v）^12C…、^8Li（α，n）^9Li（e-v）^9Be（n，γ）^10Be（e-v）^10B（n，γ）^11B（n，γ）^12B（e-v）^12C…等一系列反应链跨越过去，从而使核合成的反应能够向更重的核区发展。     

低本底高分辨测量技术在16N衰变的出射α粒子测量中的应用

¹⁶N的β延迟α衰变能谱在Ec.m.≈12 MeV处有一低能峰,该α峰的形状和高度可用于约束12C(α,γ)16O反应截面的E1部分,对其进行测量具有重要意义。本工作尝试采用重离子注入法对其进行测量,在兰州重离子加速器国家实验室RIBLL1放射性束流线上产生了16N放射性束流并将其注入到双面硅微条探测器(DSSD)中,利用DSSD对其β延迟α能谱进行了测量。通过选用薄的DSSD探测器、DSSD正反面能量符合关系以及DSSD点火数约束等方法,显著减小了16N衰变产生的电子对α能谱测量的干扰,将α能谱的测量阈值降低到800 keV左右,成功观测到了Ec.m.≈12 MeV处的低能峰。该方法为间接研究12C(α,γ)16O反应率开辟了一条新的实验方法。     

光激发LT—GaAs共面微带传输线THz色散与衰减特性

彩和半经验色散公式分析了ＬＴ－ＧａＡｓ衬底共面微带传输线的ＴＨｚ模式色散与切伦柯夫辐射损耗特性,同时计算了导体欧姆损耗和衬底介电损耗,结果表明,较小的横向尺寸有利于改善ＬＴ－ＧａＡｓ共面微带传输线模式色散和辐射损耗特性。较大的横向尺寸比可降低导体欧姆损耗。     

聚三唑/碳纳米管复合材料的制备与性能研究

将叠氮基与碳纳米管(CNT)反应,制备叠氮化碳纳米管(ACNT),用FTIR、XPS等手段证明碳纳米管实现了叠氮化;借助超声波的作用使ACNT均匀分散于单体中,然后用原位聚合方法制备了聚三唑/碳纳米管(PTA/ACNT)复合材料。用透射电镜观察ACNT在基体树脂中的分散状况和复合材料的微观结构,研究了ACNT的添加分数对PTA/ACNT复合材料玻璃化温度(Tg)、热稳定性(Td5)和导热系数(λ)的影响。结果表明:与PTA纯树脂相比,当ACNT添加分数为1.0%(质量分数,下同)时,复合材料的Tg提高了33℃,在氮气中Td5提高了15℃,在空气中Td5提高了8℃;当ACNT添加分数为5.0%时,复合材料30℃的λ提高了45%,150℃的λ提高了30%。     

硬脆材料的化学机械抛光机理研究

化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP)技术是目前唯一可提供全局平面化的超精密表面加工技术,加工后无表面和亚表面损伤。该技术广泛应用于光学元件、微机电系统、集成电路芯片等表面的处理,可达到纳米级的表面粗糙度和微米级的面形精度。目前的研究主要集中在化学机械抛光工艺上,抛光机理尚未形成统一的学说。针对硬脆材料(Si、SiC)的CMP技术进行综述,介绍了CMP技术的发展现状,并对加工过程中存在的材料去除机理做了可能性解释,最后对CMP技术的发展和研究重点做了预测和建议。