2-戊基蒽醌在TMB/TOP中溶解度的测定与关联

引　言H2 O2 是一种理想的绿色化学品 ,在化学合成、环保、医药等行业有重要用途 ,尤其是一些典型的绿色化工过程 ,如丙烯的环氧化、环己酮的肟化、苯的羟基化等[1～ 3] 都选用H2 O2 为氧化剂 .然而 ,较高的价格制约了它的广泛应用 .解决问题的根本途径是提高H2 O2 的生产效率     

裂解态正癸烷点火延迟时间的理论研究（英）

在先进飞行器发动机中,吸热碳氢燃料在进入燃烧室之前会发生热裂解反应,生成未反应燃料和小分子裂解产物的混合物(称为裂解态燃料)。本工作研究了在1300~1800 K、0.1~3.0 MPa和当量比为1.0的条件下,不同的裂解转化率、裂解压力、点火压力和自由基对正癸烷裂解着火特性的影响。通过采用一种精确的组合机理,从理论上计算了流动反应器中3.0和5.0 MPa下正癸烷裂解组分,与文献中的实验结果吻合较好。结果表明,正癸烷在3 MPa和5 MPa下裂解的出口转化率分别为46.2%和58.8%,裂解产物分布一致,但乙烯的含量随着压力的升高明显的降低,而烷烃含量随着压力的增大而增加。尽管自由基总体含量很低,但在3 MPa条件下裂解产物中的自由基浓度依然高于5 MPa条件下。对于点火延迟时间的计算结果则表明,裂解态正癸烷的点火延迟时间随着转化率的增大而延长,且在5 MPa下随着转化率的变化更明显。相同转化率下,5 MPa下的裂解态正癸烷的点火延迟时间比3 MPa下更短。此外,与无自由基的裂解正癸烷相比,裂解正癸烷中自由基的存在可以加速着火过程,转化率小于40%时,着火延迟时间缩短15%以上。     

光伏出力预测理论与方法综述

大规模光伏发电并网给我国电力系统运行的稳定性带来了巨大挑战,因此,光伏发电出力的精确预测至关重要。论文对光伏出力预测理论与方法进行系统综述。首先,对光伏出力预测进行分类,特别是按预测形式分为点预测和不确定性预测。其次,通过物理方法、统计方法、人工智能方法及组合方法进一步阐述光伏出力预测;其中从机器学习和深度学习两个方面对人工智能方法进行详细介绍。然后,梳理了点预测和不确定性预测的评价指标,归纳了人工智能预测模型的优化技术。最后,根据我国光伏出力预测的发展现状,对未来的研究趋势做出展望。     

改进的基于FPFH特征配准点云的方法

ICP(Iterative Closest Point)算法是点云配准中最常用的算法,而点云的FPFH(Fast Point Feature Histograms)特征可在点云配准中为其提供初始匹配信息。针对该方法的初始匹配中距离测度等问题,提出一种改进的基于FPFH特征配准点云的方法。点云配准时首先计算2个点云的点的FPFH特征之间的巴氏距离,以k-d树检索巴氏距离最小的对应点,然后利用奇异值分解计算初始转换矩阵,进行ICP算法精细匹配,求得最终变换矩阵。实验结果表明,改进的基于FPFH特征配准点云的方法能为ICP算法提供良好的初始变换矩阵,在同等迭代次数下该方法具有更高的精度。     

位置服务中基于二分图的身份推理攻击算法

针对位置服务中的身份隐私泄露问题,提出了一种基于二分图的身份推理攻击算法。其基本思想是构建移动用户真实身份和假名间的有权二分图,运用Kuhn-Munkres算法找到其最佳完美匹配,确定用户的真实身份完成攻击。通过实验验证了该算法的有效性,并分析了隐私保护机制、位置服务隐私泄露率和假名生存期等因素对算法的影响。     

分离工程课堂教学中多媒体应用之我见

本文简述了多媒体在本科生课堂教学中的作用及存在的问题,结合分离工程课的特点和本校分离工程教学团队的教学经验,以及笔者在德国高校的教学观摩体会,从板书篇幅设计、课件内容选择、教学节奏控制和屏幕位置设置等方面提出了四点建议。     

监控系统中基于RTP的视频处理

本文主要介绍了监控系统中视频捕捉及传输技术。总结了视频捕获现有的几种方法,重点介绍了传输协议的选取以及MPEG-4流的RTP载荷格式,说明了分片原则及相应的示例图,并对其进行了简化。     

应变硅技术在纳米CMOS中的应用

应变硅技术具有迁移率高、能带结构可调的优点,且与传统的体硅工艺相兼容,在CMOS工艺中得到广泛地应用,尤其是MOS器件的尺寸进入纳米节点。文章综述了应变硅技术对载流子迁移率影响的机理,并从全局应变和局部应变两个方面介绍了应变硅在CMOS器件中的应用。同时,将多种应变硅技术整合在一起提升MOS器件的性能是未来发展的趋势。     

SOI抗总剂量辐射加固工艺栅氧可靠性研究

文章对采用了埋层二氧化硅抗总剂量加固工艺技术的SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了干法氧化和湿法氧化工艺的栅氧击穿电荷,干法氧化的栅氧质量劣于湿法氧化。采用更敏感的12.5nm干法氧化栅氧工艺条件,对比采用抗总剂量辐射加固工艺前后的栅氧可靠性。抗总剂量辐射加固工艺降低了栅氧的击穿电压和击穿时间。最后通过恒压法表征加固工艺的栅氧介质随时间击穿(TDDB)的可靠性,结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5nm栅氧在常温5.5V工作电压下TDDB寿命远大于10年,满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。     

POWerBuidler编程方法与Intemet数据库的安全方案的实现

讨论了PowerBuidler在编程过程中会遇到的一些限制。探讨了PowetBui-dler的编程方法。给出了如何既遵守语言规则,又能灵活运用,充分发挥PowerBuidler特色的解决方案。最后讨论了Internet数据库访问的安全性方案。