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101.
102.
针对传统频域识别密封动力特性系数方法存在的问题,提出利用转子不平衡实现同频激励,在2组不平衡状态下构建4个独立方程,建立密封动力特性系数识别模型。在密封试验台上研究了转子不平衡、转速、进出口压比等因素对密封动力特性系数的影响。试验结果表明动力特性系数中直接项系数相近,交叉项大小相同,符号相反。随着进出口压比和转速的增大,8个密封动力特性系数都增大,直接刚度项增大幅度较交叉刚度项更为明显,直接阻尼项增大幅度与交叉阻尼项接近。同时发现相对振动大小对动力特性系数影响并不大。对影响动力特性系数识别精度的因素进行了分析,提出了试验转速、不平衡工况的合理选择方法。 相似文献
103.
以硫酸为浸出剂,采用正交法,研究了废旧高温合金浸出的最佳工艺条件。结果表明,在下述优化后的条件下,镍、钴的浸出率均达99.5%以上、铬浸出率达96%以上、钽浸出率小于2%:硫酸浓度343g/L、反应温度80℃、反应时间3h。 相似文献
104.
随着移动电子商务的发展,金融机构、电信运营商、第三方电子支付企业纷纷进入移动支付领域。目前近距离移动支付有三种主流技术方案:RFID-SIM、SIMPASS、NFC(包括NFC、eNFC和SD方案),由于移动支付相关标准众多且不一,这已经成为移动支付发展的原因之一。本文通过对近场移动支付主流技术的阐述结合国内典型从业者的技术选择现状的分析,对未来近场移动支付技术路线的演进进行探讨。 相似文献
105.
正A radio frequency(RF) receiver frontend for single-carrier ultra-wideband(SC-UWB) is presented. The front end employs direct-conversion architecture,and consists of a differential low noise amplifier(LNA),a quadrature mixer,and two intermediate frequency(IF) amplifiers.The proposed LNA employs source inductively degenerated topology.First,the expression of input impedance matching bandwidth in terms of gate-source capacitance, resonant frequency and target S_(11) is given.Then,a noise figure optimization strategy under gain and power constraints is proposed,with consideration of the integrated gate inductor,the bond-wire inductance,and its variation.The LNA utilizes two stages with different resonant frequencies to acquire flat gain over the 7.1-8.1 GHz frequency band,and has two gain modes to obtain a higher receiver dynamic range.The mixer uses a double balanced Gilbert structure.The front end is fabricated in a TSMC 0.18-/im RF CMOS process and occupies an area of 1.43 mm~2.In high and low gain modes,the measured maximum conversion gain are 42 dB and 22 dB,input 1 dB compression points are -40 dBm and -20 dBm,and S_(11) is better than -18 dB and -14.5 dB.The 3 dB IF bandwidth is more than 500 MHz.The double sideband noise figure is 4.7 dB in high gain mode.The total power consumption is 65 mW from a 1.8 V supply. 相似文献
106.
正A fully integrated multi-mode multi-band directed-conversion radio frequency(RF) receiver front-end for a TD-SCDMA/LTE/LTE-advanced is presented.The front-end employs direct-conversion design,and consists of two differential tunable low noise amplifiers(LNA),a quadrature mixer,and two intermediate frequency(IF) amplifiers.The two independent tunable LNAs are used to cover all the four frequency bands,achieving sufficient low noise and high gain performance with low power consumption.Switched capacitor arrays perform a resonant frequency point calibration for the LNAs.The two LNAs are combined at the driver stage of the mixer,which employs a folded double balanced Gilbert structure,and utilizes PMOS transistors as local oscillator(LO) switches to reduce flicker noise.The front-end has three gain modes to obtain a higher dynamic range.Frequency band selection and mode of configuration is realized by an on-chip serial peripheral interface(SPI) module.The frontend is fabricated in a TSMC 0.18-μm RF CMOS process and occupies an area of 1.3 mm~2.The measured doublesideband (DSB) noise figure is below 3.5 dB and the conversion gain is over 43 dB at all of the frequency bands. The total current consumption is 31 mA from a 1.8-V supply. 相似文献
108.
109.
110.
介绍了铝质PS版基基带材热轧粘铝形成机理;分析了PS版基表面麻坑形成过程及原因;制定并实施了产品质量控制手段和相应的检查方法。PS版基带材的质量及产品率都有较大提高。 相似文献