冷冻冷藏陈列柜的节能探讨

随着大型超市的不断发展，冷冻冷藏陈列柜的使用量越来越大，陈列柜的节能也越来越重要。本文阐述了冷冻冷藏陈列柜的相关节能技术，分析比较其特点，并指出了其应用前景。     

珠宝首饰的陈列艺术

在珠宝行业,珠宝首饰的陈列是商品营销与管理的一项重要内容,也是珠宝连锁经营标准化的基本要求.珠宝陈列既有科学性又有艺术性,陈列较佳能提高20%～30%的珠宝销售额.     

民用型区域建设用海规划控制标准研究

填海造陆作为我国沿海地区解决人地矛盾的重要途径,对我国社会经济发展有着不可替代的作用。2006年实施的区域建设用海规划制度,有效控制了填海进程,但是仍旧存在一些问题。解决这些问题最好的方法之一是建立规划控制标准,其能衡量区域建设用海规划是否科学合理,能够进一步加强区域建设用海的管理和提高规划编制水平。文章主要对民用型区域建设用海规划控制标准展开了研究,通过对国内外基础研究理论及工程实践案例的分析,总结出一系列控制指标并运用特尔菲法进行筛选,尝试性地提出规划控制指标分为主要控制指标(海域使用效率、岸线利用效率和开发退让距离)和次要控制指标(水域比率和生态岸线率)两类并分别对其进行指标定义、赋值解析和意义阐述。     

工艺参数对低电容TVS器件耐压的影响

分析了低压低电容TVS器件的击穿原理,从NPLUS集电极区杂质浓度、杂质注入能量及退火激活温度三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响,最终优化选择了工艺参数并制作了低压TVS器件。低压低电容TVS器件采用集成工艺将低电容二极管与TVS管集成在同一芯片上,解决了实际应用中低电容的需求。通过传输线脉冲测试器件展现了优良的抗ESD能力,有利于对主器件实施更可靠的保护。     

一种具有较强图形功能的可编程语言:POSTSCRIPT

一、引 言 POSTSCRIPT是一种新兴的具有较强图形功能的解释性可编程语言,它起始于1976年EVANS＆Sutherland计算机公司的一个“设计系统”,当时是探索用解释性语言去建立复杂的三维图形数据库,研究获得了成功,该语言也被用于计算机辅助设计方面的应用。1978年Martin Newll     

轮胎硫化热工系统的改进

指出原硫化热工系统存在不足，依据压力、温度、时间三要素之间关系制定对策措施。采用直接加热除氧热水装置取代由热交换器系统的间接加热方式；用微机进行等效硫化控制。介绍了系统设计、安装和使用中的若干注意事项，认为改造后的轮胎硫化热工系统能源利用合理，满足生产工艺要求，系统运行可靠，有效提高了轮胎的质量、产量，经济效益显著。     

水平管外熔冰特性的理论与实验研究

对单根水平管外熔冰特性进行了理论和实验研究；在简化的数学模型的基础上，按准稳态过程进行近似分析求解，获得了计算熔冰时间与熔冰厚度的关系式，计算结果与实验结果相符。     

自控塔式硫熏中和器在糖厂中的应用

用甘蔗生产直接消费的白砂糖，有碳酸法和亚硫酸法2种清净工艺。在我国，绝大多数糖厂都采用亚硫酸法清净工艺。上世纪60年代，我国在世界上率先研究成功管道式硫熏中和器，为亚硫酸法糖厂的硫熏中和工艺提供了良好的工艺条件和操作环境。管道式硫熏中和器的普遍应用，改变了亚硫酸法糖厂的面貌，也促进了亚硫酸法清净工艺的发展，但还存在着不少急需研究解决的问题。     

MPS快恢复二极管正向压降的研究

介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通损耗,以减少芯片的发热损耗。采用Silvaco仿真软件对MPS结构的两款较快恢复二极管的正向特性进行了研究并实际制作了器件,发现正向压降与衬底掺杂浓度及载流子迁移率关系极大。分析了正向压降的温度特性,结果表明固定掺杂浓度的FRD器件,由于晶格散射对载流子迁移率起主导作用,正向压降呈正温度系数特性;而对于FRED器件,由于杂质散射起主导作用,正向压降呈负温度系数特性。     

C2F6 /O2 /Ar Plasma Chemistry of 60 MHz/2 MHz Dual-Frequency Discharge and Its Effect on Etching of SiCOH Low-k Film

This work investigated C2F6/O2 /Ar plasma chemistry and its effect on the etching characteristics of SiCOH low-k dielectrics in 60 MHz/2 MHz dual-frequency capacitively coupled discharge. For the C2F6/Ar plasma, the increase in the low-frequency (LF) power led to an increased ion impact, prompting the dissociation of C2F6 with higher reaction energy. As a result, fluorocarbon radicals with a high F/C ratio decreased. The increase in the discharge pressure led to a decrease in the electron temperature, resulting in the decrease of C2F6 dissociation. For the C2F6/O2 /Ar plasma, the increase in the LF power prompted the reaction between O2 and C2F6 , resulting in the elimination of CF3 and CF2 radicals, and the production of an F-rich plasma environment. The F-rich plasma improved the etching characteristics of SiCOH low-k films, leading to a high etching rate and a smooth etched surface.