Investigation of Capacitively Coupled Argon Plasma Driven by Dual-Frequency with Different Frequency Configurations

Low pressure argon dual-frequency （DF） capacitively coupled plasma （CCP） is generated by using different frequency configurations, such as 13.56/2, 27/2, 41/2, ...     

A Study on Optical Emission of CF4＋CH4 Plasma and Deposition Mechanisms of a-C ： F, H Films

Fluorinated amorphous carbon (a-C : F, H) films were deposited by inductively coupled plasma using CH4 and CF4 gases. Actinometrical optical emission spectroscopy (AOES) was used to determine the relative concentrations of various radicals, CF, CF2 CH, C2, H and F, in the plasma as a function of gas flow ratio R, R=[CH4]/([CH4] [CF4]). The structural evolution of the films were characterized by Fourier transform infrared transmission (FTIR) spectroscopy. The relationship between the film deposition and the precursor radicals in the plasma was discussed. It was shown that CH radical, as well as CF, CF2, C2 radicals are of the precursors, contributing to a-C : F, H film growth.     

流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响

使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3／C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加，成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大，而刻蚀基团F的密度也会增加，从而使得a—C：F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明，在高CHF3流量下沉积的a—C：F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C：F薄膜的制备中CHF3／(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。     

源气体流量比对F-DLC薄膜结构的影响

以高纯石墨作靶，CHF3/Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备出了氟化类金刚石（F-DLC）薄膜。拉曼光谱表明，CHF3相对流量的增加会引起薄膜的D峰与G峰强度之比I（D）/I（G）减小，晶粒增大，芳香环结构出例下降。红外吸收光谱分析证实了这些推论，指出这是由于薄膜中氟含量上升的结果。     

聚乙烯醇和海藻酸钠膜的接触角与表面电阻率关联性的研究

上流辉光氧等离子体对聚乙烯醇，海藻酸钠等有机高分子膜作表面改性处理，其亲水性和电阻等性能有了很大改变。发现膜与水的接触角和表面电阻率这两种性能经等离子体处理后呈现类同的变化规律，它们之间存在着某种关联。     

低掺铝TiN薄膜的XPS,XRD分析研究

本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果表明：膜层中除含Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ元素外，还出现了一定量的氧；薄膜呈现了（１１１）、（２２２）等晶面的择优取向；薄膜与基底间的附着力较好。     

TiN/NbN纳米多层薄膜的交变应力场和超硬效应

为了研究纳米多层薄膜的超硬效应 ,采用反应溅射法制备从 1 4nm至 2 7nm不同调制周期的一系列TiN/NbN纳米多层膜。高分辨电子显微镜对薄膜的调制结构和界面生长方式的观察发现 ,TiN/NbN膜具有很好的调制结构 ,并呈现以面心立方晶体结构穿过调制界面外延生长的多晶超晶格结构特征。显微硬度测量表明 ,TiN/NbN纳米多层膜存在随调制周期变化的超硬效应。薄膜在调制周期为 8 3nm时达到HK39 0GPa的最高硬度。分析认为 ,两种不同晶格常数的晶体外延生长形成的交变应力场 ,对材料有强化作用 ,这是TiN/NbN纳米多层膜产生超硬效应的主要原因     

Effects of Deposition Temperature on the Properties of Fluorinated Amorphous Carbon Films

Fluorinated amorphous carbon films (a-C:F) were prepared at different temperatures using a microwave electron cyclotron resonance chemical vapor deposition (ECR-CVD) reactor with CHF3 and C2H2 as source gases. Films were annealed at 500℃ in vacuum ambience inorder to investigate the relationship of their thermal stability, optical and electrical propertieswith deposition temperature. Results indicate that the films deposited at high temperature have a less CFx bonding and a more cross-linking structure thus a better thermal stability. They also have a lower bandgap, higher dielectric constant and higher leakage current.     

氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO∶Al膜性能的影响

利用脉冲激光法制备了ZnO∶Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :基片温度从 2 0 0℃升到 30 0℃过程中 ,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应增大。在氧分压强为0Pa、基片温度为 4 0 0℃下沉积的膜 ,其电阻率具有较低值 ,且在可见光区其透光率约为 90 %。     

氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO：AI膜性能的影响

利用脉冲激光法制备了ZnOAl透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、xRD测试分析,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出基片温度从200℃升到300℃过程中,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应zk大。在氧分压强为0Pa、基片温度为400℃下沉积的膜,其电阻率具有较低值,且在可见光区其透光率约为90％。