一种特殊印制电路板加工流程

为适应电子产品向着功能多样化、便携化的发展要求,印制电路板不仅出现高厚径比、精细线路的高密度特征,更是出现了一些特殊结构要求的板件,例如要求树脂填孔且有金属化板边要求,常规流程在树脂磨平加工时,金属化板边易被磨穿而无法生产;还有树脂填孔板件,塞树脂孔与非塞树脂孔距离太近,常规流程在树脂填孔时非塞树脂孔易被污染而无法加工。通过试验研究结合实际生产情况,本文介绍了一种特殊的加工流程,树脂填孔板件,通过将塞树脂孔先加工,非塞树脂孔和外层线路后加工的方式,解决了以上两种板件无法生产的难题。     

引入微晶硅底电池的PIN型三结Si基薄膜太阳电池的制备

为充分利用太阳光谱能量,在玻璃衬底的PIN型a-Si/a-SiGe电池中直接引入了微晶硅(μc-Si:H)底电池.从透明导电氧化物(TCO)衬底的光透过率估算了PIN型a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si:H三结电池实现高转化效率的可行性.通过调整μc-Si:H底电池厚度考察三结电池的性能变化,结果发现,受中间电...     

微晶硅电池的制备及提高其效率的优化

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同硅烷浓度系列的微晶硅电池。结果表明:电池的开路电压随着硅烷浓度的增大而逐渐增加,而电池的短路电流则先增加后减小,在转折点电池的效率达到最大,填充因子则变化不明显;(220)择优取向出现,I(220)/I(111)比值大,电池的短路电流密度也大,电池的效率也最高;在实验的范围内,电池的短路电流密度和厚度成正比例关系;首次在国内制备出了效率达7.3%,短路电流密度(Jsc)为21.7mA/cm2,开路电压(Voc)为0.52V,填充因子(FF)为65%的微晶硅电池。     

模拟电子技术设计性实验的探索与研究

针对我校传统模拟电子技术基础性实验存在的问题,我校开展了模拟电子技术设计性实验的探索和研究。实施后,学生的实践能力和创新能力取得了很好效果,契合了我校生物医学工程专业的发展方向。     

中国木材工业发展现状、趋势和政策--在中国木材工业可持续发展高层论坛会上的讲话

通过对国内木材工业发展的现状分析,提出向强国迈进是我国木材工业发展的必然趋势。木材加工工业的发展必须由利用天然林为主转向利用人工林为主 ;由仅扩大生产规模的单一发展模式转向扩大规模与节约利用并举的复合发展模式。     

北京国际纺织服装工业展览会展出的纺织测试仪器

1986年3月13日至19日在北京展览馆和全国农业展览馆举办国际纺织服装工业展览会。展品中有英国、联邦德国、美国、瑞士、意大利、日本等国家的十多家仪器制造厂的70余种纺织测试仪器。展出的仪器中除一些通用性和常规的仪器外,纺织专用仪器多数符合标准化的要求,自动化程度和精密度较高,许多仪器配有计算机数据处理和打印机。现简要介绍如下: 一、英国锡莱发展有限公司 (一)锡莱杂质分离机:这种新型的杂质分离机采用空气动力学棉绒/杂质分     

芽期Al3^＋胁迫对芝麻幼苗生长的影响及种质资源耐铝毒性评价

铝毒害是影响江西省红壤作物生长的重要因素之一,为了解铝对芝麻生长的毒害,发掘耐铝毒种质资源,用Al2（SO4）3·18H2O溶液模拟发芽期Al3^＋胁迫研究不同浓度Al3^＋对芝麻品种赣芝9号和赣芝12成苗及幼苗生长的影响.结果表明,Al3^＋浓度在0～100mg/L时,随着Al3^＋浓度的增加,成苗率、芽长、根长和苗鲜重均不断下降,且根长下降最为明显;而浓度在250～1000mg/L时,芝麻难以成苗.Al3^＋浓度在50mg/L时,成苗率、芽长、根长和苗鲜重等测定指标均急剧下降,因此可认为50mg/L的Al3^＋浓度胁迫可以作为芝麻种质耐铝毒性筛选鉴定的参考浓度.进而在50mg/LAl3^＋胁迫下评价96份芝麻种质[含39个改良品种（系）和57份地方种质],可将它们聚为3类,即包含21份耐铝毒种质、37份中等耐铝毒种质和38份不耐铝毒种质;发掘出赣芝9号、金黄麻、武宁黑等21份耐铝毒种质.比较分析表明,地方种质资源的平均耐铝毒特性要优于改良品种（系）,且除成苗率外,地方种质耐铝毒性的其他指标的变异系数和多样性指数均大于改良品种（系）.     

织物热辐射性能测定仪

介绍新型织物热辐射性能测试仪测试原理、技术特征及使用方法。     

80MVA脉冲发电机组剩磁启励自励稳压实验

HL-2A供电系统总体方案中,两套80MVA交流脉冲发电机组给环向场供电,125MVA脉冲发电机组(日本赠送)给极向场线圈及辅助加热系统供电。125MVA脉冲发电机组原励磁系统采用的是60Hz6.0kV电网(日本),1200kVA变压器和双桥串联的可控整流馈电的它激励磁方式。如果将它用于HL-2A供电系统,将有许多环境、条件发生变化:①我国电网为50Hz,如果电压不变频率降低,     

P型μC－SiC：H窗口材料掺杂特性的研究

用等离子体射频辉光放电法，在低衬底温度（＜１７０℃）、小ｒｆ功率（＜６０ｍＷｃｍ２）条件下，实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σＤ～０．２ｓｃｍ－１、光带隙宽度Ｅｏｐｔ～２．２ｅＶ的ｐ型微晶氢化硅碳合金（μＣ－Ｓｉ：Ｂ：Ｈ）薄膜。晶化的关键是Ｈ２稀释率和掺杂水平的控制。对该材料的掺杂效应、光电特性以及掺杂水平对材料结构的影响进行了详细研究。