HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究

本文通过变温的Ｈａｌ测量系统地研究了ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ以及ＩｎＰ基ＨＥＭＴ三种结构材料的电子迁移率μｎ和二维电子浓度ｎｓ．仔细地分析了不同ＨＥＭＴ结构材料的散射机制对电子迁移率的影响以及不同ＨＥＭＴ材料结构对电子浓度的影响．研究结果表明ＩｎＰ基ＨＥＭＴ的ｎｓ×μｎ值比ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ的ｎｓ×μｎ值都大,说明可以用ｎｓ×μｎ值来判断ＨＥＭＴ结构材料的性能好坏．     

对旋式风机性能与应用的研究

结合三河口煤矿的实际情况,对对旋式局部风机从理论和应用方面进行了较深入的研究。结果表明,对旋式局部风机效率高、噪音低、安全可靠、节能效果显著,是一种很有推广应用价值的新型风机     

浅析工程造价管理的重要性

工程建设单位应合理的控制工程造价，在节约成本的基础上获得巨大的经济效益。本文根据自己多年的经验，在工程造价的管理方面提出一些自己的见解，以达到交流和沟通的目的。     

MOCVD和GSMBE生长Ga_（0．5）In_（0．5）P外延层中有序结构的研究

用ＭＯＣＶＤ在（１００）、ＧＳＭＢＥ在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ上生长了ＧａＩｎＰ外延层．ＰＬ测试表明，（１００）衬底上ＧａＩｎＰＰＬ峰的能量比计算的带隙分别小４３（ＧＳＭＢＥ生长）和１０４ｍｅＶ（ＭＯＣＶＤ生长）．用Ｋｕｒｔｚ等人的模型对ＭＯＣＶＤ和ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＩｎＰ中有序度的不同进行了解释．并讨论了衬底晶向对ＧａＩｎＰ中有序程度的影响．     

InGaAsSb四元固溶体的团簇效应

在Ｏｎａｂｅ工作的基础上，使用对相互作用模型对于Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ１－ｙＳｂｙ四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值（ｘ，ｙ）进行了计算．结果表明团簇效应在该系统中严重存在．计算了对分布几率随组分值和温度的变化．对于该效应对固溶隙计算的影响作了讨论．     

低温分子束外延GaAs薄膜的研究

我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退火温度的上升，晶格失配逐渐消失．ＴＥＭ观察到６００，７００，８５０℃退火后的样品中存在大量的砷沉淀物．沉淀物大致呈球形．砷沉淀物的直径随着退火温度的上升而线性地增大，而密度却随退火温度的上升指数地下降．     

高电子迁移率GaAs／AlxGa1—xAs二维电子气（2DEG）异质结结构参数优…

本文采用三角阱近似，考虑了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）异质结中七种主要的散射机制，计算了２ＤＥＧ电子迁移主经与隔离层厚度（ｄ）和Ａｌ组分（ｘ）的关系，对ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质结的结构参数进行了优化分析。就作者所知，本文首次计算了２ＤＥＧ电子迁移率与Ａｌ组分ｘ的关系，得到了与实验规律一致的结果。     

海泡石用作染料吸附剂的研究

以染料为例分析了海泡石作为污水中有机污染物吸附剂的可能性。结果表明，经过热酸活化后的海泡石可有效吸附污水中的染料，尤其对活性翠兰的去除率可达96％。红外光谱和解吸附实验表明，海泡石对染料的吸附属物理吸附类型。     

永安镇油田永12断块开发后期水平井整体调整方案优化设计

永安镇油田12断块属边底水活跃的层状断块“屋脊”油藏，目前已进入高含水、高可采储量采出程度、高剩余可采储量采油速度开发阶段。其数值模拟结果和新井及侧钻井生产动态均表明，油藏构造各部位仍有剩余油分布。为进一步提高采收率，开展了水平井整体挖潜方案优化研究，借助数值模拟技术对水平井距油层顶距离、井段长度、液量保持水平、轨迹等进行了优化设计，确定了最佳方案。     

LEC GaAs中缺陷的光致发光研究

本文用4.2K光致发光研究了LEC GaAs的热感生缺陷.热退火时样品分别为无包封,包封或用一个未掺杂的SI-GaAs片覆盖.退火温度为650-850℃,退火在不同气氛下进行(真空,H_2,N_2,H_2+N_2或H_2+As_2). 与缺陷有关的发光带有1.443eV,1.409ev和0.67eV发光带.1.443eV发光带不仅在富Ga的GaAs中出现,而且在富As的热稳定性好的SI-GaAs晶体并经过850℃(在H_2中)热退火的样品中也观测到此发光带.这可能是在退火过程中促进反位缺陷GaAs的形成.1.443eV发光带与GaAs有关.GaAs晶体在H_2中退火后1.409eV峰很强,但在真空中退火末探测到此发光带.文中提出它可能是热退火时氢原子扩散到GaAs晶体中并与某些缺陷结合成络合物的新观点.