纳米技术在磁性材料中的应用

综述了纳米技术近几年来在磁性材料领域的应用研究情况，并展望了有关发展前景。     

铁氧体材料辐射效应的研究进展

随着航空航天技术和核技术的发展,铁氧体电子元器件已经广泛运用于人造卫星、宇宙飞船和核污染探测器等。基于空间环境和核环境的特殊性,铁氧体电子元器件不可避免地处于空间辐射和核辐射等强辐射环境之中,然而辐射会对铁氧体电子元器件性能造成不同程度的损伤甚至导致器件失效。介绍了铁氧体材料和辐射环境,着重综述了近年来国内外铁氧体材料辐射效应的研究,分析了不同种类的辐射对铁氧体材料性能的影响,指出了研究铁氧体材料辐射效应存在的问题,并展望了今后值得关注与研究的方向。     

高频开关电源变压器的设计方法

介绍了国内外高频开关电源变压器的研究现状及主要的设计方法.     

MnZn功率铁氧体的研究进展及发展趋势

介绍了宽温超低损耗、高频低损耗和高温高饱和磁感应强度(Bs)MnZn功率铁氧体材料的研究现状,以及添加剂的种类和制备方法的研究,世界上主要软磁铁氧体公司近几年的最新产品情况,指出了MnZn功率铁氧体的发展趋势.从目前的发展状况来看,应用在中低频的功率MnZn铁氧体材料不但要求在较宽的温度范围内具有较低的损耗,同时要求具有高的起始磁导率和饱和磁感应强度.而对于高频功率MnZn铁氧体材料则继续向高频低损耗发展.     

预烧温度对MnZn功率铁氧体烧结活性及温度稳定性的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备了MnZn功率铁氧体.研究了预烧温度对MnZn功率铁氧体烧结活性及磁性能、温度稳定性的影响.结果表明,MnZn功率铁氧体预烧料粉体的活性随预烧温度的升高而降低.预烧料粉体的活性对其烧结样品的微观结构有很大影响.预烧温度在870℃时样品具有最佳的磁性能和温度稳定性.     

CuO对LiZn铁氧体微观结构和磁性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺在1000～1160℃制备掺CuO的LiZn铁氧体Li0.35Zn0.3Fe2.35O4.结果表明,在1000～1100℃烧结时适量的CuO可促进固相反应和晶粒生长,降低烧结温度,提高样品的密度、饱和磁化强度4πMs和剩磁Br,降低矫顽力Hc.在1130℃烧结时,CuO基本无助烧作用,且增加CuO含量出现异常晶粒长大现象.在1160℃烧结时,样品内部形成巨晶,虽有利于降低Hc,但导致Br明显下降.     

ZnO对MnZn铁氧体磁导率和损耗温度特性的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体.通过对铁氧体断面微观形貌的表征及密度、电阻率和磁特性的测试,研究了ZnO含量对低损耗MnZn功率铁氧体起始磁导率(μ1)和损耗温度特性的影响.结果表明,随着ZnO摩尔分数的增加,室温下MnZn功率铁氧体的μi、饱和磁感应强度Bs、密度及电阻率均先增大后减小,损耗先减小后增大,居里温度一直降低.当x(ZnO)=14.5%时,室温下铁氧体的μ1、Bs、密度及电阻率均达到最大值,而磁滞损耗(Ph)、涡流损耗(Pe)及总损耗(Pcv)达到最小值.同时,铁氧体的μiT曲线Ⅱ峰及最低损耗所对应的温度点向低温移动.Ph-T曲线与μi-T曲线呈相反的变化趋势;Pe-T曲线与经典涡流损耗不一致,主要是由于与磁滞损耗有关的附加涡流损耗(Pe,exc)对总的涡流损耗有一定贡献.最终,当x(ZnO)=14.0%时,MnZn铁氧体材料的室温μi为3180,在25～120℃温度范围总损耗(Pcv)为280～350 kW/m3,具有优秀的宽温低损耗特性.     

ZnO对锰锌铁氧体磁性能温度特性的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,通过在不同温度下对铁氧体磁性能的测试,研究了ZnO含量对MnZn功率铁氧体磁性能温度特性的影响.结果表明,MnZn功率铁氧体室温下的起始磁导率和饱和磁感应强度随ZnO含量的增加呈先升高后下降的趋势,当w(ZnO)=12%时,起始磁导率和饱和磁感应强度达到最大值.同时,ZnO含量增加,起始磁导率-温度(μ_i-T)曲线Ⅱ峰所对应的温度点向低温移动,居里温度则一直降低.在100 kHz、200 mT条件下,随着ZnO含量的增加,常温下铁氧体的损耗先减小后增大,且损耗最低点温度也逐渐降低,并对应着μ_i-T曲线的Ⅱ峰位置.     

开关电源变压器磁芯磁场与漏磁场的3D仿真研究

利用有限元软件ANSYS建立了一种开关电源变压器的三维模型,并对该模型的磁场与漏磁场分布进行了分析。所得结果对开关电源变压器及开关电源的设计具有一定的指导意义。     

共沉淀法制备纳米Ce:YIG磁性粉体的表征

以碳酸氢氨为沉淀剂,用共沉淀工艺合成了纳米级的Ce1YIG铁氧体粉体,并采用热分析、XRD、TEM等分析手段对其物相结构及显微结构进行了分析,对粉体的饱和磁化强度随温度的变化进行了初步的探讨.结果表明:粉体中Ce1YIG晶相的成相温度为900°C.在粉体烧结过程中,始终有部分CeO2未进入Ce1YIG晶相结构.随着烧结温度的升高,粉体中CeO2的量不断减少,其饱和磁化强度大约在1000°C时达到饱和.