半导体激光器光输出噪声测量及与电噪声的相关性

采用互谱估计方法测量了半导体激光器的微弱电噪声谱及光噪声谱。结果表明两者在超辐射区有较强的相关性。对光噪声的形成机理分析证明由载流子起伏形成的光噪声与电噪声完全相关，而由外量子效率起伏引起的光噪声与电噪声是不相关的。     

互功率谱参数谱估计的矩估计方法

互功率谱估计量谱估计领域里一个重霜分支。传统的互谱估计由于存在着谱估计方差大，谱分辨率低，谱窗泄漏及频率混叠等诸多弊病而极大地限制了它的应用，针对这一问题，本文首先从理论上证明了互相关函数的Ｙｕｌｅ－Ｗａｌｋｅｒ方程，并在此基础上提出了互功率谱的矩估计方法，文中还给出该方法的仿真实验结果。     

双极晶体管的1/f噪声参数f_L和γ的测量提取——噪声电流谱测量法

晶体管低频噪声主要是1/f噪声,其参数f_L和r的测出,不仅对低频低噪声设计,而且对于研究半导体噪声机理以及应用它来分析半导体内部缺陷或表面清洁处理情况都有着重要意义。本文给出了双极晶体管的1/f噪声参数的测量方法、系统及实例,获得了已有噪声测量系统所不能给出的参数。     

有色噪声背景下正弦信号频率估计的互谱Pisarenko和MUSIC方法

现代互谱估计是抑制有色噪声的一个有效方法。本文首次对正弦信号的扩阶互相关函数矩阵的特征结构进行了深入的分析，并进而提出了有色噪声背景下正弦信号频率估计的互谱Ｐｉｓａｒｅｎｋｏ方法和ＭＵＳＩＣ方法。     

集成运算放大器的NF图测量

对于晶体管(场效应管)的低噪声设计,目前采用的方法是根据器件内部参数来计算最佳源电阻,最佳工作电流及信号工作频率。这种方法很难用于集成运算放大器的低噪声设计。因为对于集成运算放大器,不仅无法准确提取器件内部参数及噪声參数,而且噪声电路的计算也极为复杂。因此,其噪声系数图(NF图)及最佳工作参数的设计只能依据对E_n(f)及I_n(f)的测试来解决。本文提出了用FFT分析仪及计算机组成的噪声测试系统,来测量E_n(f)及I_n(f)。并编制了相应的应用软件,实现了对低噪声运算放大器的NF图计算,从而得到了器件工作在最佳噪声性能时的源电阻及信号工作频率。本文给出了对LFC3集成运算放大器的低噪声设计结果。     

线谱对参数的一步插值预测矢量量化

利用语音短时谱变化相对较慢、其邻近ＬＳＰ矢量存在充分相关这一特性，提出了一种新的谱编码方法，即ＬＳＰ编码的一步插值预测矢量量化，本设计了一个１８ｂｉｔ／ｆｒａｍｅ分裂矢量量化方案用于量化预测残差，当帧变化周期为３０ｍｓ时，平均谱失真仅为１．１７８ｄＢ。     

噪声相关系数的计算及其在低噪声设计中的应用

在电子测量中噪声是一个重要的问题。噪声相关性对噪声计算和低噪声设计精度影响很大,这个问题一直被学者们忽视。本文在改进的噪声相关系数定义的基础上,解决了噪声相关系数的计算问题,进而给出了更精确的低噪声设计结果。在实例中,讨论了忽略噪声相关性对噪声计算和低噪声设计所造成的误差。     

智能电压表研制中的几个问题的探讨

我们在充分利用当前所具有的硬、软件资源的基础上,研制了多功能、高精度、高可靠性、低成本的智能电压表。本文论述了该仪器的性能、功能、应用和硬软件结构,讨论了数据处理方法、计算用常数的输入方法、故障自诊断方法,给出了监控程序及主要程序的流程图。     

微弱电磁量的相关测量方法及其性能分析

由于受到噪声及干扰影响。电磁测量中被测信号越小,则测量精度越低,因此如何排除微弱信号测量中噪声的影响是一个值得重视的问题。本文探讨了在微弱电磁量的测量中应用相关方法的原理,对相关器的性能进行了研究,特别讨论了相关器的参考信号选择方法及测量时间的影响。     

低噪声前置放大器的优化设计及电路实现

目前,常用的低噪声设计方法是选择低噪声晶体管及合适工作点,使器件的噪声电阻等于信号源内阻。本文证明了这种方法不能给出最佳的低噪声性能,并提出正交优化方法及噪声匹配原理,使前置放大器真正工作在最低噪声状态。文中还给出了低噪声设计实例和一些实验结果,说明我们提出的这种方法是有效的。