基于S变换图像灰度量化的短时电能质量扰动识别分类

针对短时电能质量扰动分类大多依赖分类器,分类准确率不高这一难题,提出了基于S变换模时频矩阵灰度图像法。首先对常见的几种扰动进行S变换分析,得到模时频矩阵,再应用数字图像灰度方法,将模矩阵各元素值用灰度图方式表示,分析其灰值分布特征,引入灰度期望和灰度方差两指标,量化灰度图像灰值分布,并根据量化结果建立扰动标准判据,实现扰动分类。仿真实验表明,该方法不依赖于分类器,能准确地对扰动进行分类且对噪声不敏感,是一种有效的短时电能质量分类方法。     

基于LPC2131和IA4421的无线数据采集系统设计

设计了一种新型的无线数据采集系统。该系统由下位机、上位机和PC机3部分组成,采用LPC2131ARM7微控制器作为下位机和上位机的主控制器;无线收发电路工作频率为433MHz,发射功率为5dBm,接收灵敏度为一100dBm,无线数据传输速率为9600bps;具有8路10位和2路16位A／D转换通道。介绍了下位机和上位机的电路结构、数据采集处理程序和无线数据收发程序的流程图、数据存储程序和PC机程序的编写方法。该系统适合工业控制和医疗系统等无线数据采集与传输的应用。     

甘蓝温室原种繁育蜜蜂授粉管理技术

在温室甘蓝原种繁育过程中,利用蜜蜂授粉可以节省人工,提高甘蓝种子产量和纯度。文章主要介绍了在温室条件下,用蜜蜂授粉的方式繁育甘蓝原种的方法及需要注意的事项。为甘蓝原种繁育提供一套行之有效的技术。     

CdZnTe衬底沉积相成分分析

采用扫描电子显微镜技术对Cd Zn Te单晶片中的沉积相进行成分分析研究,结果表明通过红外显微系统观察到的Cd Zn Te晶片中常见的"放射状"沉积相和"链状"沉积相Cd含量富集,确认为Cd沉积相;另外,扫描电镜能谱仪对沉积相颗粒分析表明,Cd Zn Te晶体中的杂质元素易在Cd沉积相中富集。     

异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展

分子束外延碲镉汞技术是制备第三代红外焦平面探测器的重要手段,基于异质衬底的碲镉汞材料具有尺寸大、成本低、与常规半导体设备兼容等优点,是目前低成本高性能红外探测器发展中的研究重点。对异质衬底上碲镉汞薄膜位错密度随厚度的变化规律进行了建模计算,结果显示ρ~1/h模型与实验结果吻合度好,异质衬底上原生碲镉汞薄膜受位错反应半径制约,其位错密度无法降低至5×10 6 cm-2以下,难以满足长波、甚长波器件的应用需求。为了有效降低异质外延的碲镉汞材料位错密度,近年来出现了循环退火、位错阻挡和台面位错吸除等位错抑制技术,本文介绍了各技术的原理及进展,分析了后续发展趋势及重点。循环退火和位错阻挡技术突破难度大,发展潜力小,难以将碲镉汞位错密度控制在5×105 cm-2以内。台面位错吸除技术目前已经显示出了巨大的发展潜力和价值,后续与芯片工艺融合后,有望大幅促进低成本长波、中长波、甚长波器件的发展。     

InAsSb势垒阻挡型红外探测器暗电流特性研究

计算了不同温度下由辐射复合和俄歇复合决定的InAsSb材料的载流子寿命,结果表明,低温下n型InAsSb材料的载流子寿命受限于辐射复合过程,而高温下InAsSb材料的载流子寿命取决于Auger 1复合过程。讨论了势垒阻挡型器件的暗电流解析模型及暗电流抑制机理,通过在nBn吸收层的另一侧增加重掺杂的n型电极层形成nBnn⁺结构对吸收区内的载流子进行耗尽,吸收区少数载流子浓度降低约两个数量级,从而进一步降低器件暗电流。成功制备了InAsSb-基nBnn⁺器件,150 K下器件暗电流低至3×10^-6 A/cm²,采用势垒结构器件的暗电流解析模型对150 K下器件的暗电流进行拟合分析,结果表明由于势垒层为p型掺杂,在吸收层形成耗尽区,导致器件中的产生复合电流并没有完全被抑制,工作温度低于180 K,器件暗电流受限于产生复合电流,工作温度高于180 K,器件暗电流受限于扩散电流。     

基于CSS及边缘计算的移动医疗设备定位管理系统研究

满足移动医疗设备的区域性定位、运行轨迹跟踪及现场可视化管理需求,实现重点区域的越界和入侵告警管理。基于CSS技术和边缘计算技术,设计医疗设备定位管理系统,定义系统层次功能,优化定位滤波算法,构建实验测试系统并完成系统性能测试。经过Kalman滤波后,系统定位精度可提高到1 m左右,传输速率为1 Mbit/s信号。在1μW功率下,传输距离可达5 m,在6.3 mW功率下,传输距离可达26 m。所设计方案可实现覆盖大范围区域的移动医疗设备的智能追踪,及时、准确地将各个区域设备的动态情况反映到中心监控平台,使管理人员能够随时掌握布控区域设备的分布状况和每个受控对象的运动轨迹,进而实现更加合理的管理。     

中波碲镉汞雪崩光电二极管(APD)增益特性

采用不同工艺制备了中波碲镉汞雪崩二极管(HgCdTe APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析。结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1.2μm 和2.5μm,较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流,器件有效增益则从近100提高至1000以上。采用拟合HgCdTe APD器件增益-偏压曲线获得了较好的效果,且拟合得到的参数与Sofradir的Rothman的结果相似。     

基于非参数核密度估计的电力市场用户电量异常数据辨识与修正方法

随着我国电力现货市场的逐步推进,电力市场中的交易结算环节对电力市场用户电量数据的准确度提出了更高的要求。首先,为解决由于计量装置等问题造成的分时电量数据缺失与异常,采取非参数核密度估计(kernel density estimation,KDE)的方法,对窗宽进行优化选取,根据电力市场用户的历史电量数据提取其日分时电量特征曲线。其次,将提取的特征曲线结合历史电量所蕴含的信息得到用户电量数据的可行域矩阵,并将其应用于异常数据的辨识中。再次,根据异常数据区间用电量大小对特征曲线进行缩放处理后的数据作为连续缺点数据修正值。最后,利用某省电力市场用户的计量电量数据,对所提方法的有效性和准确性进行了验证。结果表明所提方法能够有效地处理异常数据,和其他方法相比较,该文方法在连续多点电量数据异常的修正过程中准确度最高,具有实际应用价值。     

闭环全光纤电流互感器温度补偿方法研究

分析了闭环全光纤电流互感器(FOCT)的温度误差影响因素,设计了FOCT系统的温度补偿方案,完成了样机研制及全温范围(-40℃～70℃)内不同长度1/4波片和不同圈数传感环的系统性能测试。仿真结果表明,当1/4波片的相位延迟角在101°～103°范围内时,1/4波片和Verdet常数对FOCT的温度误差影响可相互抵消。试验测试结果表明,当1/4波片长度在2.4mm,即1/4波片的相位延迟角为102.86°时,FOCT的温度性能最好,和仿真结果一致。