合成耐火原料及其展望

本文论述了合成耐火原料的性能、工艺技术和应用。对合成耐火原料的质量等级和原料优化进行了讨论。     

碲锌镉晶体组分的辉光放电质谱分析

碲锌镉(Cd1-yZnyTe,CZT)被认为是当今红外焦平面探测器材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe,MCT)的最佳衬底,研究亦表明[1]:CZT还是核能探测、天文射线研究、工业探伤诊断中X射线、λ射线探测器的优异材料.     

豫北引黄灌区土壤次生盐碱化预报和预防的研究

灌区土壤次生盐碱化的预报和预防,就是在认识和掌握灌区土壤次生盐碱化发生发展规律的基础上,预先估计其发生发展的可能性,进而提出预防的措施。有了准确的预报做耳目,就可能使土壤次生盐碱化的预防工作有准     

高炉喷涂料的研制开发与应用

以合成莫来石、刚玉为主料，以Secar71、CTC20、Elekm96为附加原料，添加膨胀剂、促烧剂、减水剂、防爆剂，研制开发了高炉喷涂料，通过优选原料、颗粒组成，使喷涂料满足了施工、使用和技术指标要求。对喷涂、烘烤参数和使用做了详细研究和分析。经过山东省内10余座高炉使用，该高炉喷涂料施工加水量≤4.5％，喷涂反弹率6％-8％，喷涂量8～10t/h，造衬后使用时间1.5～3a，达到了国内领先水平。     

原位退火对碲锌镉晶体第二相夹杂缺陷的影响

采用传统布里奇曼法生长碲锌镉晶体,在配料过程中添加适当过量的Cd,并在晶体生长结束阶段的降温过程中加入晶锭原位退火工艺,晶体的第二相夹杂缺陷得到了有效抑制。根据晶体第二相夹杂缺陷的形成机理,结合热扩散理论和碲锌镉晶体的P-T相图,研究了退火温度对晶体第二相夹杂缺陷密度和粒度（尺寸）的影响,获得了抑制碲锌镉晶体第二相夹杂缺陷的退火条件。利用优化的退火条件制备碲锌镉晶体,晶体第二相夹杂缺陷的尺寸小于10 μm,密度小于250 cm－2。     

Cd饱和气氛退火对碲锌镉晶体导电类型转变界面的影响

在富Te生长条件下,通过垂直布里奇曼法制备的部分碲锌镉晶体内存在导电类型转变界面。采用富Te液相外延技术在含有导电类型转变界面的碲锌镉衬底上生长碲镉汞薄膜,制成的红外焦平面探测器响应图上存在明显的响应不均匀分界面。碲锌镉晶体的导电类型转变由缺陷类型的不同引起,为消除碲锌镉衬底的导电类型转变界面,提升碲镉汞红外焦平面的成像质量,对含有导电类型转变界面的碲锌镉晶体进行了Cd饱和气氛退火实验,研究了时间和温度等退火条件对晶体导电类型转变界面的影响,探讨了Cd间隙和Cd空位缺陷的形成机制,为晶体生长过程中的Cd空位缺陷抑制提出了解决思路。     

Cd气氛退火对CdZnTe晶片质量影响

在CdZnTe晶体生长时,有时会产生大颗粒的沉积相,严重的影响了CdZnTe晶片的质量,通过电子探针测试证明其为Cd沉积相。采用Cd气氛退火来消除Cd沉积相,可以改善CdZnTe晶片的质量。实验发现：在较高的温度（600℃）条件下,退火可以有效的消除大颗粒（〉5μm）的Cd沉积相,改善CdZnTe晶片红外透过率、X射线双晶回摆曲线半峰宽（FWHM）和腐蚀坑密度（EPD）。在此条件下对CdZnTe晶片进行退火,有助于提高CdZnTe晶片的性能。     

红外材料器件

采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示: CdZnTe衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延伸,造成了薄膜形成亚晶界和更大面积的由位错引起的晶格畸变应力区域,影响了薄膜结构的完整性。     

淄博陶瓷简介

淄博陶瓷有着悠久的历史。从市内的磁村。坡地和寨里等地曾发掘许多宋代以来的古窑址,窑位密集,可以看出当时窑业比较发达,生产也比较兴旺。出土的产品中多是居民日用器皿。这些产品造型大方,使用方便,装饰简     

CdZnTe晶片中沉积相分布特性的研究

利用红外显微镜分别对富Cd和富Te配料生长的两组碲锌镉晶片的沉积相进行观察,对观察结果做统计分析,发现两组晶片中的沉积相在形状和分布情况方面有很大差别,采用数据拟合的方法发现两组CdZnTe晶片中不同尺寸的沉积相颗粒的密度满足指数分布.