薄盒中液晶分子预倾角的测试方法

晶体旋转法是测试液晶分子预倾角的常用方法,但由于需要制备较厚的样品,使用上有很多不便。本文通过叠加一适当位相差,改进了晶体旋转测试液晶分子预倾角的方法,使用于测试较厚液晶盒中预倾角的系统在测试相当于产品厚度的样品时,保持了较高的测试精度。     

新铁电液晶的电光特性

本文肯定了我国首次合成的铁电液晶(由上海华东化工学院提供).其响应速度、螺距与国外报道的数据非常接近.指出该材料的下降时间与TN型液晶规律相反,盒越薄,下降时间越慢,存储效应越明显.     

TFT LCD—未来主流显示技术

有资料表明,未来10年不可能有在性能上优于TFT-LCD的显示器问世,TFT-LCD产品将会越来越成熟。所谓平板显示器时代,实际上就是液晶平板显示时代。我国也将在最近10年内成为世界上重要的液晶平板显示基地之一。     

有限元法求解液晶层中的指向矢分布

建立了基于有限元法的液晶层中指向矢分布的计算方法,可以方便地考虑非对称取向和表面锚定能及其形式对指向矢分布的影响,作为应用实例,给出了非对称弱锚定情形下的液晶层下指向矢分布的计算结果。     

全息聚合物分散液晶膜的干涉图像存储及衍射特性

用激光干涉形成的亮条纹引发预聚物／液晶混合物相分离,在相分离稳定后,干涉图样被存储在聚合物／液晶复合膜中,被称之为全息聚合物分散液晶（HPDLC）。研究了相关因素对HPDLC膜信息存储的影响,并且光学显微镜观察了膜结构。给出了具有栅式结构膜的衍射特性。实验结果表明,形成的HPDLC膜其存储的栅结构稳定持久,而且其衍射效率可用电或热来调节。     

VGA TFT LCD的驱动电路设计

介绍了VGA TFT LCD驱动电路的设计思想、所使用的行反转驱动方法及其优点、数据驱动器的工作原理和灰度级实现方法以及扫描驱动器的工作原理。详细地分析和计算了公共电极驱动Vcom调节方法,并有效地解决了由于FTF寄生电容引起的电压跳变而导致的图像闪烁问题。     

ADS双栅线结构高透像素设计

大尺寸、高分辨率(4K:3 840×2 160、8K:7 680×4 320)、高透过率和高性价比是TV产品发展的主要方向。先进的超级多维场开关(ADS)双栅线4K阵列基板栅极(Gate on Array,GOA)产品是目前主流的TV产品之一,因产品分辨率高和双栅线结构,像素尺寸较小且开口率较低,加之常规ADS双栅线像素结构在两个子像素中间的暗区较大,导致面板透过率较低,影响产品特性和竞争力。本文在常规ADS双栅线像素结构基础上,改变两层电极的功能,使底层电极作为像素电极,顶层电极作为公共电极,同时顶层电极在两个子像素面内采用联通设计,减小有效电场弱区和像素暗区,提升像素光效和透过率。模拟和试验结果表明:新型ADS双栅线像素设计可以提升面板透过率约3%。且光学、电学、机械和信赖性等评价无问题,可实际应用于产品,提高产品价值和竞争力。     

薄膜晶体管透明电极铟锡氧化物雾状不良的分析研究

对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究。通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析。结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致严重的雾状不良发生和刻蚀工艺中的膜层下端过度刻蚀的问题。通过在透明电极ITO上面沉积微薄的过渡缓冲膜层,并优化界面等离子体处理条件,可以改善雾状不良。     

用衰减全反射法研究向列相液晶的排列性质

液晶作为一种最有前途的平板显示材料,其分子在液晶盒内的排列特性对显示器件的设计及制作无疑是极为重要的。衰减全反射法（简称ATR方法）最早应用于对金属薄膜特性的研究,后来逐渐成为研究各类介质光学性质的有力工具。最近几年,这种方法在研究液晶在液晶盒内的排列性质方面展现了强大的活力。本文介绍了衰减全反射法的基本原理、实验方法并将它应用于探测向列相液晶CP—9001 LA的排列性质。     

ZnSe:Al深能级的研究

把用升华法得到的 ZnSe 单晶进行解理、降阻、机械抛光、化学腐蚀后,在样品的两个表面镀上高纯 Al,在 Zn 饱和蒸气压下,进行300℃～900℃的扩散实验、然后用20%沸腾的 NaOH 经2mins 除去样品表面残留的 Al,再在300℃、Ar 气保护下,烧成 In 欧姆接触电极、尔后用5%的 Br—CH_3OH 腐蚀样品约20Sec 后,蒸上金电极,用以形成肖特基势垒,最后对各样品进行 C—V 特性和深能级瞬态谱(Deep Level Transient Spectro-scopy)的测量。