一种用于10位50 MS/s流水线ADC的MDAC

利用运放共享技术,设计了一种用于10位50 MS/s流水线ADC的增益D/A转换器(MDAC).采用SMIC 0.25 μm 1P5M标准数字CMOS工艺,整个MDAC模块的版图面积为0.064 mm2.仿真结果表明,在50 MHz采样率下、输入信号为2 MHz(1.5 V振幅)正弦波时,整个电路模块的功耗为7.12 mW.     

Continuous time sigma delta ADC design and non-idealities analysis

A wide bandwidth continuous time sigma delta ADC is implemented in 130 nm CMOS.A detailed non-idealities analysis(excess loop delay,clock jitter,finite gain and GBW,comparator offset and DAC mismatch) is performed developed in Matlab/Simulink.This design is targeted for wide bandwidth applications such as video or wireless base-stations.A third-order continuous time sigma delta modulator comprises a third-order RC operational-amplifier -based loop filter and 3-bit internal quantizer operated at 512 MHz clock frequency.The sigma delta ADC achieves 60 dB SNR and 59.3 dB SNDR over a 16-MHz signal band at an OSR of 16.The power consumption of the CT sigma delta modulator is 22 mW from the 1.2-V supply.     

流水线A/D转换器最新研究进展

基于运算跨导放大器(OTA)和开关电容的流水线A/D转换器(ADC)需要使用高增益大带宽OTA来保证其速度和精度.在纳米级CMOS工艺条件下,高性能OTA的设计和实现更加困难,功耗更大,成为基于OTA的流水线A/D转换器提高速度和精度的瓶颈.介绍了流水线ADC的基本原理,阐述了基于OTA和开关电容的流水线ADC的实现技术、性能瓶颈及其在纳米级CMOS工艺条件下实现的主要限制,综述了国际上针对基于OTA和开关电容的流水线ADC的各种限制所提出的几种最新设计技术及其研究进展.     

一种用于高速流水线ADC的数字延迟锁相环电路

给出了一种应用于高速流水线A/D转换器的数字延迟锁相环电路.该电路的锁定过程采用顺序查找算法,设计了锁定检测窗口,用来判断延迟后的输出时钟信号是否满足锁定条件,根据检测结果即时调整延时大小,能有效避免误锁现象,准确完成延迟锁相功能.该数字延迟锁相环采用SMIC 0.18 μm 1.8 VCMOS工艺实现,频率范围为40～250 MHz.在输入最大频率下,仿真的锁定时间约为690 ns,抖动约为1.5 ps.     

高精度电荷域ADC共模电荷误差前台校准电路

提出了一种数模混合型高精度共模电荷误差校准电路,可对电荷域流水线模数转换器中由增强型电荷传输电路电荷传输关断电压随工艺、电压和温度波动、输入共模电荷变化、各流水线子级中电容非线性而引起的各类共模电荷误差进行精确补偿．所提出的高精度共模电荷误差校准电路被运用于一款14bit210MS/s电荷域模数转换器中,并在1P6M 0.18μm CMOS工艺下实现．测试结果显示,该14bit模数转换器电路在210MS/s条件下对于30.1MHz单音正弦输入信号得到的无杂散动态范围为85.4dBc,信噪比为71.5dBFS,而模数转换器内核功耗仅为205mW,面积为3.15mm²．     

用于GaN HEMT栅驱动芯片的高性能过温保护电路

设计了一种用于GaN HEMT器件栅驱动芯片的高性能温度保护电路,能精确响应并输出保护信号以确保电路安全.过温保护采用两路温度检测电路来采集温度信号电压值并对电压差值进行放大,比较滤波后经过具有滞回功能的施密特触发器输出整形保护信号,可以克服共模噪声和温度应力的影响.基于CSMC 0.18μm BCD工艺,完成了电路设计验证与测试,结果显示电路功能正确,可满足GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求.     

GaN HEMT栅驱动技术研究进展

GaNHEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高效、高频功率转换领域中有着广泛的应用前景.栅驱动芯片对于GaN HEMT器件应用起着至关重要的作用.介绍了GaN HEMT器件特性和驱动要求,对其栅驱动芯片的典型架构和每种芯片架构各自的关键实现技术研究现状进行了综述.同时介绍了GaN基单片集成功率IC的发...     

一种低功耗嵌入式14位400MHz数模转换器

设计了一个14位刷新频率达400MHz,用于高速频率合成器的低功耗嵌入式数模转换器。该数模转换器采用5+4+5分段式编码结构,其电流源控制开关输出驱动级采用归零编码以提高DAC动态特性。该数模转换器核采用0.18μm1P6M混合信号CMOS工艺实现,整个模块面积仅为1.1mm×0.87mm。测试结果表明,该DAC模块的微分非线性误差是-0.9～+0.5LSB,积分非线性误差是-1.4～+1.3LSB,在400MHz工作频率下,输出信号频率为80MHz时的无杂散动态范围为76.47dB,并且功耗仅为107.2mW。     

一种用于高速高精度DAC的可编程基准源

高精度高稳定性基准源电路是电流模式DAC电路的关键电路模块。采用VEB线性化补偿技术、级联PNP结构和可编程技术,设计了一个高精度可编程基准源电路。测试结果表明,温度从0℃上升到＋80℃时,基准电压变化仅为1.4mV,温度系数达到了14ppm/℃。整个可编程基准源电路模块的芯片面积为0.45×0.6mm^2。     

高速ADC接口技术最新进展

随着ADC采样速率和分辨率的持续提高,高速ADC的输出接口模块所需传输的数据率同步提高。传统的TTL和CMOS等数字接口逻辑已无法满足高速ADC的应用需求。为解决该类瓶颈限制问题,LVTTL、LVCMOS等优化的数字逻辑接口、更高速的差分串行LVDS、CML输出接口以及最近几年在光传输系统中所采用的Serdes接口均被运用于ADC输出接口。首先对上述运用于高速ADC的最新数据输出接口技术的原理进行了分析和讨论,其次重点介绍了该类接口技术在高速ADC产品中的具体应用,最后对该类接口技术的优劣进行了总结。