脂肪胺聚氧乙烯醚与LAS复配体系的表面活性

研究了脂肪胺聚氧乙烯醚（AE18）和十二烷基苯磺酸钠（LAS）在水溶液中相互作用。通过表面张力法测定了AE18和LAS不同比例下的临界胶束浓度（CMC）。两种表面活性剂以任何比例复配时,复配体系的CMC都明皿低于LAS的CMC;并且在摩尔比n（LAS）：n（AE18）=1：9时,混合体系的CMC比任何单一表面活性剂CMC都低。复配体系达到CMC时的表面张力（γCNC）介于两种表面活性剂之间。运用Clint提出的理想混合胶团公式对CMC值进行了计算,与CMC实验值比较．发现随AE18摩尔分数的增加,CMC的实验值与计算值相近。     

基于聚苯硫醚纤维的复合功能面料研究与开发

以聚苯硫醚纤维和不锈钢纤维混纺纱为基础,设计并织制了不同混纺比、不同排列方式、不同组织的织物;测试了不同规格织物的抗静电性能、防电磁辐射性能和阻燃性能等功能性指标,分析了上述性能实现的影响因素及其作用机理。研究结果表明,不锈钢纤维含量对织物抗静电性能、防辐射性能影响显著,且织物抗静电性能、防辐射性能随不锈钢含量的增加而增强,但不锈钢纤维含量对织物的阻燃性能影响不显著;混纺纱的排列方式、织物组织对织物的防电磁辐射性能影响显著,混纺织物具有良好的阻燃性能。     

基于微平面模型的混凝土本构矩阵

在Zdenek P Baant等人提出的微平面模型的基础上,提出了确定混凝土本构矩阵的逐步拟合方法.给出了基于微平面的应力-应变刚度矩阵,并采用逐步拟合法根据试验数据给出了微平面上应力-应变关系函数的量化形式.模型基于单轴试验数据进行拟合,可用于计算材料的多轴本构关系,也可用来进行隐式分析.     

孔隙水溶液浓度对膨胀土膨胀特性的影响

通过开展恒体积膨胀压力试验与有荷膨胀率试验,研究了孔隙水溶液浓度对膨胀土膨胀特性的影响.试验结果表明,随着溶液浓度的增大,膨胀压力降低;相同浓度溶液制作的试样,分别浸入不同浓度的溶液,一种浓度小于制样所用浓度,另一种与制样溶液浓度相等,最终所得的膨胀压力与膨胀应变均很接近.通过对孔隙水赋存状态的分析表明,试验结果均符合渗透压理论.     

赤泥堆场固结排水方案的数值分析

流塑状赤泥含水率高、强度低,通过排水固结处理,可以增大其密度和强度,增强其堆场的稳定性,并减小堆场渗漏污染的可能性.采用固结有限元计算,对比分析分层堆载干赤泥、塑料排水板和真空预压3种方案的固结排水效果.由于流塑状赤泥渗透性低,堆载产生的超孔隙水压力难以消散.分析表明,堆载+塑料排水板联合方案下,赤泥堆场能够及时完成固结,有利于扩大库容.     

基于语料库的语言自主学习中心资源建设研究

为解决语言自主学习中心资源匮乏、学生自主学习过程缺乏有效监控和教师缺乏指导学生自主学习的针对性方案的问题,加强语言自主学习中心资源建设,在语料库数据驱动学习理论的基础上,探讨了语料库在自主学习中的优势,介绍了基于语料库的语言自主学习中心资源建设方案。     

基于哈希函数的数据库查询技术的研究

分析了目前常用的哈希函数和数据库传统的查找方式存在的不足,提出了一种新的思想,将哈希函数与数据库设计相结合,直接定位到所要查找的记录,以提高查找效率。     

基于人工免疫模式识别的结构损伤检测与分类算法

目的 研究人工免疫系统的自治性、主动性、自适应及学习和记忆的仿生机理,来解决结构健康监测中的结构损伤识别和分类问题.方法 通过模仿免疫识别和学习机理,提出一种基于Diagonal距离的人工免疫模式识别的结构损伤分类算法,并在IASC-ASCE SHM工作小组所提出的benchmark模型上对结构模式分类进行了实验测试.结果 仿真实验表明基于Diagonal距离所得到的分类成功率要略高于Euclidean距离和Mahalanobis距离所得到的分类成功率;基于Diagonal距离研究了克隆率和记忆细胞替代阈值对分类成功率的影响,只要选取合适的参数值,就能获得较高的分类成功率.结论 基于Diagonal距离的人工免疫模式识别的结构损伤检测和分类算法通过免疫学习和进化,产生高质量的记忆细胞,从而有效识别各种结构损伤模式.     

图像复原及模糊聚类在特殊天气下非结构化道路识别中的应用

提出了一种基于图像复原技术和模糊聚类分析图像分割技术的特殊天气下非结构化道路识别技术。该技术主要是针对雾天采集到的非结构化道路的一种识别算法。首先根据McCartney提出的大气散射模型的衰减模型和大气光模型,得到还原以后的图像;然后在还原后的图像上将色度空间H分离出来,以此为基础使用二次最大熵的模糊聚类分析法获取阈值,对图像进行分割,得到道路和非道路的二值化图像。     

基于3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole(TAZ)制备的薄膜电阻的磁效应

讨论了采用热蒸镀方法制备的结构为ITO/β-NPB(55-xnm)/Alq3(45nm)/TAZ(xnm)/LiF(0.5nm)/Al的器件的磁效应。在室温下研究了x分别取0、5、10、15nm时器件的电阻率与磁场之间的变化关系。结果表明,x=0nm时,在10V电压下,电阻率变化率Δρ/ρ随磁场强度的增大而增大;当磁场强度B=110mT时,Δρ/ρ达到最大,仅为8.22%。当x分别取5、10、15nm时,Δρ/ρ为随磁场的增大而减小;在相同磁场强度下,x越大,Δρ/ρ越大;当B=110mT,x=15nm,电压为10V时,Δρ/ρ的数值达到最大,为-16.92%。