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首先,将Stober法制备出的SiO2活性微球分散到抗坏血酸(VC)水溶液中,通过水热碳化法成功制备出了SiO2/C复合微球.采用XRD、SEM、TEM和BET等手段对产物的结构、形貌和比表面积进行了分析.然后,以Cu(Ⅱ)和Cr(Ⅵ)为目标污染物,对比研究了SiO2和SiO2/C对水体中上述两种金属离子的脱除效果.结果表明,SiO2和SiO2/C对Cu(Ⅱ)和Cr(Ⅵ)的吸附动力学满足准一阶动力学方程,吸附热力学过程符合Langmuir模型,但SiO2/C复合微球对Cu(Ⅱ)和Cr(Ⅵ)的去除量较高,且具有较好再生性能,经过6次循环使用后,对Cu(Ⅱ)和Cr(Ⅵ)的去除率仍高达95%和93%. 相似文献
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以聚乙烯醇(PVA)和水华蓝藻为主要原料,通过溶液铺膜法制备了蓝藻/PVA共混膜,采用万能试验机,研究了不同助剂对蓝藻/PVA共混膜力学性能的影响。结果表明,蓝藻的添加显著降低了共混膜的力学性能。当添加比例为PVA的1/2时,膜的拉伸强度和断裂伸长率分别比无藻处理下降了65.89%和79.57%。甘油、尿素显著提升了蓝藻/PVA共混膜的断裂伸长率,当添加比例为蓝藻的1/2时,分别能使共混膜的断裂伸长率提高73.20倍和62.02倍。虽然柠檬酸、硅烷偶联剂能够提升蓝藻/PVA共混膜的拉伸强度,但只能在低剂量时促进断裂伸长率的小幅提高,当柠檬酸添加比例为蓝藻的1/40时,膜的断裂伸长率能提高4.41倍,而当硅烷偶联剂添加比例为蓝藻的1/20时,膜的断裂伸长率能提高1.49倍。尿素与甘油复合增塑,更有利于提升共混膜的断裂伸长率。硅烷偶联剂与甘油复合增塑,更有利于提升共混膜的拉伸强度。 相似文献
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针对国内某选矿厂铜浮选工艺泡沫速率不稳定,精矿品位波动大,回收率不理想等特点,设计了一套浮选专家控制系统,该系统结合泡沫影像分析技术,在线品位分析技术,PID控制与模糊逻辑控制技术。系统架构简明合理,逻辑层次清晰有效,投入运行一段时间后,在不同原矿品位前提下,都能实现稳定泡沫速率,减少精矿品位波动,提高回收率等指标优化,同时药剂添加量也有明显减少。这表明该系统运行效果良好,值得应用推广。 相似文献
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为实现对干湿联合冷却塔冷却特性、节水特性的综合分析,编制干湿联合冷却塔校核计算流程,基于Visual Studio开发平台,本文开发了干湿联合冷却塔冷却节水特性分析优化软件。通过对某在运干湿联合冷却塔进行冷却节水特性计算,验证了所开发软件计算结果的准确性;在消雾节水计算结果基础上,对标干湿联合消雾冷却塔验收测试规程,生成其成雾频率曲线、耗水量曲线、塔雾指数、冷却特性曲线,综合分析其消雾特性、节水特性及冷却特性,从而确定了干湿联合冷却塔的最佳运行工况。同时运用所开发软件对比分析了某冷却塔设计干段散热面积对其消雾特性、节水特性及冷却特性的耦合影响,并分析了百叶窗开度对干湿联合冷却塔性能的影响,为干湿联合冷却塔的运行优化和设计优化提供了工具性软件支持。 相似文献
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We investigate the effect of dopant random fluctuation on threshold voltage and drain current variation in a two-gate nanoscale transistor. We used a quantum-corrected technology computer aided design simulation to run the simulation (10000 randomizations). With this simulation, we could study the effects of varying the dimensions (length and width), and thicknesses of oxide and dopant factors of a transistor on the threshold voltage and drain current in subthreshold region (off) and overthreshold (on). It was found that in the subthreshold region the variability of the drain current and threshold voltage is relatively fixed while in the overthreshold region the variability of the threshold voltage and drain current decreases remarkably, despite the slight reduction of gate voltage diffusion (compared with that of the subthreshold). These results have been interpreted by using previously reported models for threshold current variability, load displacement, and simple analytical calculations. Scaling analysis shows that the variability of the characteristics of this semiconductor increases as the effects of the short channel increases. Therefore, with a slight increase of length and a reduction of width, oxide thickness, and dopant factor, we could correct the effect of the short channel. 相似文献
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为提高电压跌落条件下双馈风电机组的运行稳定性,介绍了crowbar与chopper共同配合作用的低电压穿越技术,并从提高crowbar阻值整定上限这一角度通过理论分析与仿真验证说明了crowbar与chopper配合作用的优势。提出低电压穿越过程中机侧变流器的无扰切换控制方法,通过仿真验证了这种方法可以大大减少crowbar投切次数与低穿过渡时间,且控制简单可行。 相似文献