SiCl4氢化转化为SiHCl3过程的热力学

应用有关热力学数据研究了与多晶硅主要生产工艺即西门子法相关的“Si-Cl-H”三元系的复杂化学反应,研究SiCl4氢化转化为SiHCl3过程中可能发生的15个反应,给出15个反应的ΔGθm -T图;并确定5个独立的反应,给出这5个独立反应的KθP -T图;高温时主反应(1)的Kp增长较慢,而反应(2)和(5)的KθP快速增大,1 373K时,主反应(1)的KθP较小,为0.157 1.进一步研究温度、压强和进料配比nH2/nsicl4对SiCl4氢化率的影响,并绘制出SiCl4氢化率随这些因素的变化曲线.结果表明:当压强和进料配比一定时,SiCl4的氢化率随温度的升高先增加后降低;增大压强或增加进料配比nH2/nsiCl4都会提高SiCl4的氢化率;SiCl4氢化转化为SiHCl3过程的最佳操作条件为温度为1 000℃,压强为0.3 MPa,进料配比nH,/nSiCl4为4,在此条件下,SiCl4的氢化率为25.78％.     

高纯石墨制备现状及进展

高纯石墨由于良好的耐高温和导电等性能得到广泛的应用,文章介绍了石墨矿物原料资源及特点,综述了石墨提纯的湿法和火法原理及优缺点。介绍了高纯石墨制备的国外技术及我国发展状况。     

SiHCl3氢还原过程的热力学分析

应用相关热力学数据研究了改良西门子法还原炉内涉及到的“Si— Cl— H”三元系复杂化学反应,进一步研究了温度、压强和初始进料摩尔比n( H2 )/n( SiHCl3)对硅产率的影响,拟合得到硅产率随这些影响因素的变化图.通过分析得到:在低压、高温以及相对较大的初始进料比条件下,对SiHCl3氢还原过程更有利,硅产率也...     

含铋高锑冶炼渣浸出液梯级分离回收砷、锑、铋

针对传统锑、铋分离过程中,砷、锑、铋分离不彻底,有价元素回收率不够高等问题,采用还原沉砷、水解沉锑、中和除氯、中和沉铋等方法对含铋高锑冶炼浸出液进行处理,对温度,反应时间等影响条件进行了考察。结果表明,在最佳条件下,通过加入次亚磷酸钠将砷酸根还原为砷单质,最后砷以氧化砷的形式被回收,回收率达到了91.99%;沉砷后液加水进行水解沉淀,锑以SbOCl的形式沉淀下来,沉淀率在95%左右;将SbOCl加入氨水中进行除氯,锑以氧化锑的形式沉淀分离,除氯率达到了96%;沉锑后液加入一定量的氨水来中和,铋以BiOCl沉淀的形式分离出去,沉淀率达到99%左右,实现了砷与锑、铋的梯级分离与回收。     

锗对硫酸锌电解液电积锌的影响

通过对电流效率,沉积物表面形貌和阴极极化曲线分析,阐明了锗对硫酸锌电解液电积锌的影响。研究表明,当溶液中锗的浓度大于0.04 mg/L时,电流效率从没有杂质锗存在时的89.2%下降到80%以下,且沉积物表面出现小孔。通过对阴极极化曲线的分析,得到了不同锗浓度下锌电积的平衡电位以及阴极动力学参数(交换电流密度J0和传质系数α),进而说明杂质锗的存在会削弱阴极极化,改变锌电沉积机理。     

氢氧化镍材料制备的研究进展

对氢氧化镍[Ni(OH)_2]的制备方法,如液相沉淀法、均相沉淀法、水热法、氧化法、高压水解法、离子交换树脂法、微乳液法、电解法和机械化学合成法等进行叙述;阐述制备工艺对产物结构、形貌、尺寸和容量等方面的影响。进一步综述掺杂Ni(OH)_2制备工艺方法并分析添加元素对Ni(OH)_2结构、容量、电化学性能的影响;讨论制备改性Ni(OH)_2过程中p H值、CO32-对Ni(OH)_2颗粒尺寸与形貌的影响。展望纳米Ni(OH)_2和掺杂Ni(OH)_2的应用前景。     

银钌涂层钛阳极制备及电化学性能

通过对钛阳极使用银钌元素制备涂层,探究银钌不同配比和不同焙烧温度下所制备银钌涂层钛阳极的性能,通过扫描电镜和 X 射线衍射对钛阳极涂层的表面形貌和涂层的物相组成进行表征,采用循环伏安测试、极化曲线测试等对银钌涂层钛阳极的电化学性能进行表征。结果显示:涂层的银钌元素在制备的时候效果最好银钌元素配比为Ag:Ru=7:3,焙烧温度为350℃时所制备的涂层阳极性能最好;银钌涂层钛阳极具有其中添加银钌元素利用了其优良的导电性和电催化性。     

废旧三元锂电池正极材料的回收再生研究

本研究利用苹果酸作为浸出剂,过氧化氢作为还原剂,对废旧三元锂电池正极材料有价金属进行浸出试验。通过条件实验,确定出最佳浸出条件为：固液比40 g/L,酸浓度1.2 mol/L,温度90 ℃,时间60 min。此时,Co、Mn、Ni、Li的浸出率分别为97.1%、99.8%、96.9%、98.7%。条件实验结果表明温度对浸出率的影响较大,因此,保持其他因素不变,在高压釜中进行了110℃条件下的浸出试验,Co、Mn、Ni、Li的浸出率分别达到了99.81%、99.93%、99.75%、99.95%。浸出液通过补加相应的离子,采用溶胶凝胶法再制备正极材料,对正极材料的结构、形貌、充放电进行了分析。结果表明,该方法再生的正极材料结晶性能好、表面光滑、无明显的团聚现象、充放电性能良好。     

黝铜矿碱性体系制备锑酸钠的试验研究

首先采用碱浸法在硫化钠与氢氧化钠体系中选择性浸出黝铜矿中的锑,然后以碱浸液为原料,采用高温高压氧化沉淀生成锑酸钠。分别研究了碱浸工艺参数对锑浸出率和沉锑工艺参数对锑酸钠沉淀率的影响。结果表明,黝铜矿高温高压下浸出分离锑的最佳条件为:浸出温度150℃、浸出时间6 h、液固比6∶1、硫化钠浓度120 g/L、氢氧化钠浓度80 g/L。在此条件下,锑的浸出率达到80%以上,远高于在低温常压下浸出率仅为45%的指标;黝铜矿浸出液高温高压氧化制备锑酸钠最佳反应条件为:反应时间2 h、氢氧化钠过量系数1.6、氧气压力0.8 MPa、温度150℃,该条件下的沉锑率可高达98%以上。对该方法制备的锑酸钠进行分析的结果显示,所制锑酸钠从产品质量、粒径、形貌上都满足工业需求。     

以SiHCl_3和SiCl_4的混合物为原料制备多晶硅热力学

根据相关热力学数据,首先计算并拟合得到Si-Cl-H三元系中气相Cl与H原子的摩尔比(nCl/nH)与反应达到平衡时的气相Si与Cl原子的摩尔比(nSi/nCl)Eq的关系。为了得到合理的SiCl4(STC)和SiHCl3(TCS)的进料配比,详细分析TCS与STC的3种配比(nTCS/nSTC分别为1/4、1和4)时温度、压强以及进料配比对Si沉积率的影响。结果表明:以STC和TCS的混合物为原料时,最佳温度为1400K,压强为0.1MPa。为了保证硅产率达到可工业化生产的35%以上,当原料摩尔比(nTCS/nSTC)为1/4时,原料中nCl/nH为0.055;当原料摩尔比(nTCS/nSTC)为1时,原料中nCl/nH比为0.07;当原料摩尔比(nTCS/nSTC)为4时,原料中nCl/nH为0.09。随着硅原料中TCS所占比例的增大,在较高的nCl/nH下,就可以得到较高的硅产率。最后分析得到:当选定原料配比时,要得到合理的硅产率,所需要控制nCl/nH的范围;当进料中nCl/nH一定时,要得到合理的硅产率,需选择原料配比的理想范围。