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1986年 | 1篇 |
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基于0.13 μm eFLASH工艺技术,成功制备了Sence-Switch型pFLASH单元,并对其性能进行了研究.该单元由两个共享浮栅和控制栅的编程/擦除管(T1)和信号传输管(T2)组成,采用带带遂穿(BTBT)编程方式和福勒-诺德海姆(FN)遂穿擦除方式实现了其“开/关”态功能,并对其“开/关”态特性进行表征,同时,研究了其耐久性和电荷保持特性.实验结果表明,该单元具有较优的“开/关”态特性和电参数一致性,T1/T2管阈值窗口的均值、均一性分别约为9.2V和2.4%;在工作电压为-1.5V条件下,T2管“关”态的漏电流均在1 pA/μm以下,T2管“开”态的驱动电流均值为116.22 μA/μm,均一性为5.61%;该单元循环擦/写次数可达10 000次.同时,在25℃的“开/关”态应力条件下,该Sence-Switch型pFLASH单元寿命大于10年. 相似文献
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传统的电网作业场景中的有毒有害气体报警传感器应用于变电、配电有限作业空间中,由于设备处于高温、低温、避光的环境,传感器的响应能力、设备的稳定性会受到影响,进一步会给电力企业带来不可估量的损失。为此,本文设计了一种可穿戴式智能感知装置用于测量电网有限空间环境数据,主控内核以单片机为主采集模块多合一传感器模组,实现对现场作业环境数据实时采集和处理分析,并通过蓝牙无线通信模块将信号传输至上位机后端平台和手机APP端,实现对超阈值数据及时报警,有效管控作业人员生命安全。 相似文献
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黑河中游调水和近期治理中游生态环境产生一系列影响,结合遥感技术对中游生态环境进行评价,采用模糊综合分析法模型对中游生态环境指标综合评价。 相似文献
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由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应(SEGR)和单粒子烧毁效应(SEB)。本文介绍了抗辐射加固高压SOI NMOS器件的单粒子烧毁效应。基于抗辐射加固版图和p型离子注入工艺,对高压器件进行抗辐射加固,提高器件的抗单粒子烧毁能力,并根据电路中器件的电特性规范,设计和选择关键器件参数。通过仿真和实验结果研究了单粒子烧毁效应。实验结果表明,抗辐射加固器件在单粒子辐照情况下,实现了24 V的高漏极工作电压,线性能量传输(LET)阈值为835 MeV·cm2/mg。 相似文献
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结合沉降槽的生产实践,介绍了由传统沉降槽改造为高效沉降槽的改造方法和具体步骤。在仍利用原有土建基础的前提下,按照高效沉降槽技术改进传统沉降槽结构,选用高效絮凝剂,增加絮凝剂加入点。传统沉降槽经过高效化改造后,可强化赤泥分离洗涤指标,提高设备产能。 相似文献